论文摘要
超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）有五种晶相,其中β-Ga2O3能带带隙为4.7～4.9 eV,在高温气体传感、深紫外日盲光电探测和功率器件等领域具有重要应用潜力。文章综述了β-Ga2O3薄膜生长/掺杂技术、β-Ga2O3薄膜器件、β-Ga2O3器件在实际应用中渗透市场的挑战,以及未来工作的途径。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 马聪聪,方志来
关键词: 薄膜生长,掺杂,器件
来源: 光源与照明 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学
单位: 复旦大学电光源研究所
分类号: TN304;TB383.2
页码: 6-11
总页数: 6
文件大小: 2657K
下载量: 136
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