导读:本文包含了电介质材料性能论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电介质,复合材料,纳米,常数,性能,材料,乙烯。
电介质材料性能论文文献综述
李建英[1]（2019）在《电介质材料性能及其应用》一文中研究指出2018年5月20～24日,第12届电介质材料性能及其应用国际会议(IEEE 12th International Conference on Properties and Application of Dielectric Materials, ICPADM 2018)在西安举行。来自中国、美国、日本、韩国、英国、澳大利亚及加拿大等20多个国家的243名专家学者汇聚一堂,交流前沿学术成果,共同探讨本领域发展前景。西安交通大学李盛涛教授担任大会主席,西安交通大学副校长荣命哲教授、ICPADM国际顾问委员会主席Harry Orton和中国工程院院士雷清泉(本文来源于《国际学术动态》期刊2019年01期）
戴泽辉,高阳,韩佳睿,徐军,郭宝华[2]（2017）在《高充放电效率的交联聚偏氟乙烯纳米复合电介质材料的制备及性能研究》一文中研究指出相比于传统聚合物电介质,聚合物纳米复合电介质材料能够兼顾聚合物高击穿场强和铁电纳米粒子高介电常数的优势,达到较高的储能密度。然而,由于填充相击穿场强低、界面间缺陷等因素的影响,0-3型纳米复合材料的击穿场强和充放电效率相比于基体显着下降。为制备兼顾高击穿场强、高充放电效率的纳米复合材料,本文对含有5%(体积分数)BaTiO_3的PVDF纳米复合材料进行热引发交联制备交联纳米复合材料。交联抑制了聚合物非晶区的运动,降低材料的介电损耗。介电损耗由交联前的0.32降低至交联后的0.22。200 MV/m下,交联膜的放电能量密度为3.37 J/cm~3,相比于交联前(2.82 J/cm~3)提升了20%;交联膜的充放电效率为88.3%,相比于交联前(76.5%)提升了15%。交联膜的储能密度最大值可以达到14.1 J/cm~3,相比于PVDF的储能密度最大值9.1 J/cm~3提升了54.9%。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题I：能源高分子》期刊2017-10-10）
丁善军[3]（2017）在《聚合物基半导体纳米复合电介质材料的制备与性能研究》一文中研究指出电介质材料在微电子、高压绝缘以及储能领域具有重要的应用价值,因此得到国内外研究者的广泛关注。尽管研究者们对电介质材料的介电性能和储能行为进行了较为深入的研究,也取得了很多突破性的成果,但在聚合物基电介质复合材料领域,还存在很多亟待解决的问题,尤其是高含量下介电损耗过高,击穿强度急速下降的难题。因此,本论文以探讨界面结构对击穿强度和储能行为的影响为研究目的,制备了具有优异介电和耐电压性能的电介质聚合物纳米复合材料。采用纳米半导体颗粒作为复合材料的填料,研究了半导体填料对介电、击穿、储能、导热等性能的影响,并在此基础之上,设计并制备出高含量下抑制损耗增加及能够保持较高的击穿强度的复合材料。首先,为了提高聚合物复合材料的介电和储能性能,本文选取了纳米ZnO和ZnS作为复合材料填料的研究对象,并与具有铁电性质的聚合物——聚偏氟乙烯(PVDF)进行复合,制备出具有高介电、高储能的聚合物复合材料。对一系列样品进行了介电、耐压绝缘、储能、导热、热稳定等性能的测试分析,结果发现,介电常数随着填料的增加而增加;低含量下,储能密度和击穿强度得到显着提升,说明ZnS和ZnO在电子封装、高压电气等领域具有潜在的应用。其次,在前述氧化锌和硫化锌的研究基础之上,进一步制备了纳米ZnO-ZnS复合颗粒填料,再与聚偏氟乙烯进行复合,得到叁相的复合材料。结果表明:随着填料的含量增加,复合材料的介电损耗得到了有效的抑制,且高含量下击穿强度依旧保持较高水平。相比同含量下ZnS和ZnO,叁相复合材料的储能密度和击穿强度均有显着提升。(本文来源于《深圳大学》期刊2017-06-30）
李雍[4]（2016）在《几种电介质材料的介电及微波衰减性能研究》一文中研究指出PMN-PST和BiFeO_3均属于钙钛矿结构的电介质材料,具有良好的物理和化学性能和优秀的铁电及介电性能,在通讯、能量转换、电磁屏蔽及吸波隐身等高技术领域有着巨大的应用价值。本论文以PMN-PST和BiFeO_3两种材料为对象,研究了Mn掺杂的PMN-PST陶瓷的介电性能、铁电等电学性能,Nd掺杂、La掺杂的BiFeO_3及BiFeO_3/铁氧体复合材料的室温、高温微波电磁及衰减性能,揭示了掺杂及复合对材料的电、磁性能及微波衰减性能的影响。(1)Mn掺杂PMN-PST叁元陶瓷的介电性能研究通过两步前驱体法制备了Mn掺杂对PMN-PST陶瓷,研究了其结构、介电及铁电等电学性能。研究发现,适量Mn掺杂能够提高陶瓷致密度,增大晶粒尺寸;对于介电性能,Mn掺杂抑制了PMN-PST陶瓷的弥散相变,使其由弛豫性向一般铁电性转变。Mn掺杂也改善了PMN-PST陶瓷的铁电性能,降低了损耗,提高了机械品质因子。当Mn掺杂量为0.75 mol%时,陶瓷密度及电学性能最佳。(2)Nd掺杂BiFeO_3的电磁及微波衰减性能研究采用溶胶凝胶法制备了不同量Nd掺杂的BFO纳米晶。在8.2-12.4 GHz考察了其微波电磁性能,随着Nd掺杂量的增加,介电虚部减小,而磁导率虚部增大,并且介电虚部是由极化所主导而非电导,磁损耗来源于自然共振。由于Nd掺杂促使晶体中有序畴结构的形成和超交换作用的增强,导致电偶极子的旋转困难和自然共振的增强,从而引起Nd掺杂的BiFeO_3电、磁性能增强。而且Nd掺杂的BiFeO_3微波衰减性能明显增强,吸收带宽拓宽。其原因在于:Nd掺杂致使介电损耗降低和磁损耗增加,电、磁损耗逐渐趋于平衡,电磁参数实现匹配。(3)La掺杂BiFeO_3的高温电磁及微波衰减性能研究采用溶胶凝胶法制备了掺杂量为0.20的La掺杂的BFO纳米颗粒,对比研究了BFO和BLFO20的高温微波电磁及衰减性能。研究发现,在473 K以上,BLFO20的介电虚部突然提升。BLFO20电导模式随着温度升高由离子型转变为跳跃电子型,导致高温电导率提高,因此介电虚部增大。La掺杂也增强了自然共振,提高了磁损耗。考察BLFO20的微波衰减性能,发现BLFO20具有高效和动态稳定的微波衰减,在测量温度范围内,衰减超过-10 dB,其中最大衰减达-54 dB,有效吸收带宽覆盖约3 GHz。(4)BFO/BaFe12-x(Mn0.5Ti0.5)xO19复合材料的电磁及微波衰减性能研究分别采用熔盐法和固相法制备了BFO和BaFe12-x(Mn0.5Ti0.5)xO19。研究了BFO和BaFe12-x(Mn0.5Ti0.5)xO19的电磁和微波衰减特性,BFO由于低的磁损耗和电磁失配,其微波衰减性能较弱。对于BaFe12-x(Mn0.5Ti0.5)xO19,Mn、Ti对磁共振频率起到了调控的作用,当x=5时,共振峰恰好位于X波段,大大提高了磁损耗,但由于介电损耗较低,微波衰减性能不高。考察BiFeO_3/BaFe7(Mn0.5Ti0.5)5O19复合材料的微波介电、磁导率,发现复合材料介电虚部具有多弛豫行为,从而改善了介电损耗。相比BFO,复合材料的磁损耗也获得了提升。电磁损耗的提高有效地改善了电磁匹配,提高了微波衰减性能,当体积比为3:1时,最小反射损耗可达-45 dB。(本文来源于《北京理工大学》期刊2016-01-01）
杨科,黄兴溢,江平开[5]（2015）在《高储能密度聚合物纳米复合电介质材料制备与性能》一文中研究指出具有高介电常数、低介电损耗以及高储能密度的聚合物纳米复合电介质材料在现代电子和电气设备中有广泛的应用前景,研究和开发具有高性能的聚合物纳米复合电介质材料在推动国民经济发展和提升国家防卫能力方面具有极其重要的意义。尽管前人为提升聚合物纳米复合电介质材料的综合性能做出了很多贡献和努力,但依然还有不少问题亟待解决,特别是高介电常数新带来的高介电损耗和低击穿强度问题。为了解决这些问题,本文设计合成了具有草莓状结构的高介电纳米颗粒,并以聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)作为基体,通过溶液共混和热压成型工艺制备了聚合物纳米复合电介质材料。利用多巴胺与聚合物基体之间的氢键作用以及Ag纳米颗粒的库仑阻塞效应,成功地抑制了聚合物纳米复合材料内部的界面极化、降低了介电损耗、提高了击穿强度,最终提高了纳米复合材料的储能密度。(本文来源于《2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题H 能源高分子》期刊2015-10-17）
杨会静[6]（2015）在《典型电介质材料的微波介电及吸波性能研究》一文中研究指出随着电磁辐射对环境影响的日益加重,电磁污染控制、人类生命与健康保障、电子器件与电子设备防护等技术需求越来越迫切,对微波吸收材料提出了更新、更苛刻的要求。要充分提高微波吸收材料的效能,应该构建能够产生多重损耗机制的微波吸收材料,从而实现强吸收、宽频带和耐高温的要求,得到性能优秀的微波吸收材料。本文主要对碳化硅、纳米镍/碳化硅复合材料、氧化镍纳米环/碳化硅复合材料和多铁性材料铁酸铋及其钴掺杂后纳米颗粒的介电性能进行了研究,分析了这几种电介质材料的介电响应及其影响因素,研究了它们的微波吸收性能及其能量损耗机制。1、研究了碳热还原法得到的碳化硅的介电性能和微波吸收,并且分析了介电弛豫和电导及对介电性能和微波吸收的影响。碳化硅的介电常数和介电损耗均表现出了强烈的温度依赖性和频率特性。从Cole-Cole图中可以看出,介电弛豫和电导对材料的高温介电性能有较大的影响。采用第一原理的方法,计算了碳化硅的电子结构和能带结构,分析了电导和缺陷对材料介电性能的影响。碳化硅的微波吸收随着温度的增加,呈现正温度效应,且吸收带宽显着增加。2、利用化学溶液法制备了纳米镍/碳化硅复合材料,研究了其介电性能,介电弛豫和电导及对介电性能和微波吸收的影响。在测试的温度和频率范围内纳米镍/碳化硅复合材料的介电常数和介电损耗都明显优于碳化硅,表现出了强烈的温度效应,这主要源于碳化硅表面沉积层中镍纳米粒子之间跳跃电子引起的电导率的变化。镍修饰的碳化硅表现出增强的微波吸收,随着温度的升高,吸收强度和带宽都显着增加。3、在化学溶液法的基础上,对纳米镍/碳化硅复合材料加热氧化得到了氧化镍纳米环/碳化硅复合材料,研究了复合材料中的多重弛豫和电导对材料的介电性能和微波吸收的影响。由于NiO纳米晶特殊的环状形貌,Si C的介电常数虚部和介电损耗比修饰前分别增长了四倍和叁倍。纳米镍/碳化硅复合结构表现出了多重弛豫和电导的共同作用,有效提升了材料的微波吸收。修饰后SiC的微波吸收在673 K时可以达到-46.9 d B。同时,修饰后SiC的微波吸收带宽也大幅增加,尤其是在673 K和773 K,反射率损耗小于-10d B的带宽覆盖了整个X波段。优秀的介电性能和微波吸收来源于NiO的特殊形貌对材料介电弛豫和电导的增强作用。4、采用溶胶-凝胶法制备了铁酸铋(Bi Fe O3)和钴掺杂铁酸铋(BiFe1-xCoxO3)纳米颗粒,研究了在室温下2~18 GHz范围内的介电性能和微波吸收。钴掺杂可以有效提高铁酸铋的磁性和微波吸收。在研究的频率范围内,介电特性和磁性共有叁个弛豫峰存在,由于电磁参数的匹配,掺杂Bi Fe O3的微波吸收表现了明显的多频段吸收,其吸收峰分别位于S波段、X波段和Ku波段。Co掺杂Bi Fe O3的微波吸收性能具有高效,多频段的特征,优于未掺杂Bi Fe O3的性能。(本文来源于《北京理工大学》期刊2015-06-01）
张恩贺[7]（2013）在《BT/PVDF复合电介质材料的制备与性能研究》一文中研究指出埋入式电容器是一种节约电路板有效面积、提高电路板电气性能的有效技术,是电路板上用于存储和放电的元器件。当前其面临的主要问题是迫切需要具有高介电常数、低损耗因子、高热稳定性、制作工艺简单的高k材料。纳米复合电介质材料兼容了纳米陶瓷粒子的高介电性能与聚合物的易加工成型的优点,是制备埋入式电容器的主要候选材料；近年来将高介电陶瓷粒子或导电粒子分散于叁维连续相的聚合物基体制备埋入式电介质受到了广泛的关注,因此对该类聚合物基复合材料的研究具有重要的现实意义。基于此,本文选用钛酸钡为高介电填充组分,炭黑为导电组分,PVDF为基体采用溶液混合法制备聚合物基电介质复合材料。首先,在第二章中制备了不同粒径的纳米钛酸钡粉体,研究了反应温度、溶剂、反应时间等因素对纳米钛酸钡形貌、结构的影响,结果表明反应温度较高时钛酸钡颗粒单分散性较好,极性愈大的溶剂对制备大尺寸钛酸钡更为有利。在此基础上,本文第叁章中以已得的不同尺寸钛酸钡制备了复合电介质材料,发现其介电常数随BT尺寸的增加,先增加后减小。选用200nm BT作添加组分,对不同BT添加量的复合材料的介电性能研究时发现复合材料的介电常数随填充量的增加而增加,复合材料出现了明显的频率色散效应；当填充量为60%时,复合材料的介电温谱在110℃处出现了峰值。为了进一步提高复合材料的介电常数,基于渗流理论,在第四章中选取渗流阈值较小的炭黑填充到BT/PVDF复合电介质材料中,介电常数显着增加但损耗可控制在可接受范围内,因而可用做一种有潜在应用的电介质材料。(本文来源于《南华大学》期刊2013-12-01）
张建中[8]（2013）在《BaTiO_3/PVDF复合电介质材料制备及性能研究》一文中研究指出本文以设计制备一种应用于脉冲电容器,兼具铁电陶瓷高介电常数和聚合物良好成型加工性能的储能介质材料为目的,采用Ba Ti O3粉体为功能相,热塑性聚合物PVDF为基体相,开展了Ba Ti O3/PVDF复合电介质材料制备及性能研究。采用TG、高温流变仪等手段研究了Ba Ti O3/PVDF复合材料的混料工艺和热压成型工艺,结果表明:预剪切工艺可以降低PVDF聚合物基体的高温粘度,有利于复合材料成型。Ba Ti O3/PVDF复合材料的成型温度区间控制在160℃~300℃之间,在此区间内基体粘度>100Pa·s。用250℃、100MPa的热压工艺制备Ba Ti O3/PVDF复合材料试样,试样致密度>95%。采用XRD、SEM和阻抗分析仪等手段研究了Ba Ti O3粉体粒径、体积分数对复合材料介电性能和力学性能的影响,结果表明:Ba Ti O3粉体具有尺寸驱动的由铁电相向顺电相转变的“尺寸效应”,极限尺寸约为100nm。复合材料的介电常数和介质损耗受粉体粒径、体积分数和材料内部的界面共同影响。高频下Ba Ti O3体积分数对于复合材料介电常数的影响符合改进的Lichtnecker方程。由于界面、不均匀和气孔等细微缺陷的存在,随着Ba Ti O3粉体粒径的减小和体积分数的升高,复合材料的介电强度降低。采用液相沉淀法对纳米Ba Ti O3粉体进行包覆Al2O3改性,采用TEM、XPS和XRD等手段研究了包覆工艺参数对包覆效果的影响,结果表明:Al3+浓度和p H值对于包覆层效果影响较大。Al3+浓度1mol/L,p H值控制在8,烧结温度500℃时,可以得到均匀完整包覆的Al2O3-Ba Ti O3粉体。烧结后得到Al2O3以无定形态附着在Ba Ti O3表面的核-壳结构粉体。考察了包覆Al2O3改性工艺对Ba Ti O3/PVDF复合材料介电常数、介质损耗和介电强度的影响。结果表明:Al2O3包覆Ba Ti O3一定程度上降低了Ba Ti O3/PVDF复合材料的介电常数;对复合材料介质损耗的影响不大,但明显提高了复合材料的介电强度。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2013-11-01）
查俊伟,施昌勇,党智敏[9]（2013）在《陶瓷颗粒/聚合物纳米复合电介质材料的结构与性能及其原型器件》一文中研究指出以聚合物为基体的纳米复合电介质材料由于其诸多优异的特性备受广泛关注。以不同尺度(粒径)的钛酸钡(BT)颗粒与聚合物复合发现了显着不同的低频介电性能:与铁电性的热塑性聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物复合,随着BT颗粒尺寸的减小,其尺寸效应所诱导的界面效应愈发显着,导致低频下纳米复合电介质的介电常数大幅提高;与非铁电性的热固性聚酰亚胺(PI)聚合物复合,尽管复合电介质中同样具有尺寸效应和相应的界面效应,但没有观察到低频下介电常数显着增加,这可能与PVDF的强极性以及PVDF分子链与BT极性耦合有关。同时也发现BT/PVDF的介电常数受温度的影响较大,而BT/PI的介电行为受温度的影响较小,主要是由于PI是极佳的热固性材料。以上结果说明纳米粒子对复合材料介电常数的作用并不统一,与聚合物本身的链结构与化学性质有关。基于合适尺度的BT颗粒,采用层减层法微电子加工技术,制备了具有"叁明治结构"的埋入式电容,发现这类电容器具有优良的介电性能,可应用于新型多层印刷电路板电子工业。(本文来源于《第十五届中国科协年会第17分会场：复合材料与节能减排研讨会论文集》期刊2013-05-25）
梁先文[10]（2011）在《氧化硅包覆的银颗粒/聚合物复合电介质材料的制备与性能的研究》一文中研究指出目前,在埋入式电介质应用中,主要以陶瓷/聚合物复合电介质材料为主,但是低的介电常数限制了这类复合材料的应用。最近,具有高介电常数的导体/聚合物复合电介质材料受到了关注。基于渗流理论,在该材料中,当导体的体积含量接近渗流阈值时,其介电常数及损耗迅速增大。为了降低这类复合材料的介电损耗,本文通过在可导性的Ag颗粒表面包覆绝缘层SiO_2制备出核-壳结构的Ag@SiO_2颗粒。以Ag@SiO_2为填料,聚合物为基材,制备了一系列聚合物基复合材料,并对这些材料的微观结构和介电性能进行了研究。本文首先介绍了Ag@SiO_2颗粒的制备和性质。基于SiO_2良好的绝缘性和稳定性,利用Si前躯体正硅酸乙酯在Ag表面原位水解-缩聚的原理,在Ag颗粒表面淀积一层SiO_2形成了核-壳结构的Ag@SiO_2颗粒。文中对Ag@SiO_2颗粒的形成机理、相组成、内部结构、表面形貌和粒径进行了测试和分析。文中讨论和研究了SiO_2绝缘层对Ag@SiO_2/聚偏二氟乙烯(PVDF)复合材料介电性能的影响。结果表明,Ag@SiO_2/PVDF复合材料的渗流阈值达到28%,对应复合材料的介电常数值k=38.5,介电损耗小于0.08和电导率只有2.85×10~(-5) S/m(1 kHz),这正是由于在Ag颗粒的表面形成了一层厚度~5 nm的SiO_2绝缘层的缘故。为了改善Ag@SiO_2/PVDF复合材料的介电性能,文中还讨论了在上述复合材料中加入一定量的BaTiO_3铁电颗粒的Ag@SiO_2/BaTiO_3/PVDF叁相复合材料的制备,并对该复合材料的介电性能进行了研究。研究结果表明,该叁相复合材料没有表现出典型的渗流效应,当Ag@SiO_2、BaTiO_3体积含量分别为40%和20%时,复合材料的介电常数高达723(100 Hz),正好验证了复合材料中形成了大量的微电容网络和明显的“Maxwell- Wagner-Sillars”效应,以及铁电颗粒BaTiO_3对其介电常数的增加起了重要作用。考虑到铁电聚合物PVDF对频率和温度的敏感性,而环氧树脂(epoxy)具有击穿强度高、耐化学腐蚀性强、耐候性好、对频率和温度稳定等优点,本文最后详细介绍和讨论了Ag@SiO_2/epoxy复合材料的混合、制备及棒式涂布工艺,研究了其微观结构及介电性能。结果表明,频率对复合材料的介电常数及损耗的影响变得平缓了,同时当Ag@SiO_2的体积含量为25%时,复合材料出现了渗流效应。(本文来源于《华南理工大学》期刊2011-06-07）
电介质材料性能论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
相比于传统聚合物电介质,聚合物纳米复合电介质材料能够兼顾聚合物高击穿场强和铁电纳米粒子高介电常数的优势,达到较高的储能密度。然而,由于填充相击穿场强低、界面间缺陷等因素的影响,0-3型纳米复合材料的击穿场强和充放电效率相比于基体显着下降。为制备兼顾高击穿场强、高充放电效率的纳米复合材料,本文对含有5%(体积分数)BaTiO_3的PVDF纳米复合材料进行热引发交联制备交联纳米复合材料。交联抑制了聚合物非晶区的运动,降低材料的介电损耗。介电损耗由交联前的0.32降低至交联后的0.22。200 MV/m下,交联膜的放电能量密度为3.37 J/cm~3,相比于交联前(2.82 J/cm~3)提升了20%;交联膜的充放电效率为88.3%,相比于交联前(76.5%)提升了15%。交联膜的储能密度最大值可以达到14.1 J/cm~3,相比于PVDF的储能密度最大值9.1 J/cm~3提升了54.9%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电介质材料性能论文参考文献
[1].李建英.电介质材料性能及其应用[J].国际学术动态.2019
[2].戴泽辉,高阳,韩佳睿,徐军,郭宝华.高充放电效率的交联聚偏氟乙烯纳米复合电介质材料的制备及性能研究[C].中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题I：能源高分子.2017
[3].丁善军.聚合物基半导体纳米复合电介质材料的制备与性能研究[D].深圳大学.2017
[4].李雍.几种电介质材料的介电及微波衰减性能研究[D].北京理工大学.2016
[5].杨科,黄兴溢,江平开.高储能密度聚合物纳米复合电介质材料制备与性能[C].2015年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题H能源高分子.2015
[6].杨会静.典型电介质材料的微波介电及吸波性能研究[D].北京理工大学.2015
[7].张恩贺.BT/PVDF复合电介质材料的制备与性能研究[D].南华大学.2013
[8].张建中.BaTiO_3/PVDF复合电介质材料制备及性能研究[D].国防科学技术大学.2013
[9].查俊伟,施昌勇,党智敏.陶瓷颗粒/聚合物纳米复合电介质材料的结构与性能及其原型器件[C].第十五届中国科协年会第17分会场：复合材料与节能减排研讨会论文集.2013
[10].梁先文.氧化硅包覆的银颗粒/聚合物复合电介质材料的制备与性能的研究[D].华南理工大学.2011
论文知识图
