10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路

论文摘要

本设计采用国内GSMC 130 nm SOI CMOS工艺设计了一款10 Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8 bit DAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130 nm工艺下实现10 Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16 mm×1.24 mm,采用1.2 V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200 mV、10 Gbps的激励信号下,可提供2～8.6 mA范围可调调制电流和1～3 mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5 mA调制电流和2 mA偏置电流,总功耗为51.2 mW,输出眼图张开且清晰。性能指标可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 赵聪,郭迪,潘彦君,龚达涛,孙向明

关键词: 光纤通信系统,激光器驱动,电感峰化技术,限幅放大级,输出驱动级

来源: 电子设计工程 2019年13期

年度: 2019

分类: 信息科技,基础科学

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室,南卫理工会大学物理系

基金: 国家自然科学基金面上项目(11875145)

分类号: TN248;TN432

DOI: 10.14022/j.cnki.dzsjgc.2019.13.024

页码: 109-113

总页数: 5

文件大小: 1893K

下载量: 88

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