导读:本文包含了半导体桥论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,薄膜,火具,磁控溅射,特性,点火器,热敏电阻。
半导体桥论文文献综述
郑子龙,张文超,秦志春,吴刚刚,俞春培[1]（2019）在《高钝感半导体桥发火性能研究》一文中研究指出为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性,在SCB极脚间并联负温度系数(NTC)热敏电阻,可使NTC-SCB半导体桥满足1. 5 A不发火、最高2. 0 A不发火的高钝感要求。研究了1. 0 A和1. 5 A通电条件下NTC热敏电阻与SCB并联后的分流情况,通过电容放电、恒流激励下的发火实验和发火感度实验对比分析了SCB、NTC-SCB和1. 5 A、2. 25 W、5 min安全电流实验后的NTC-SCB半导体桥发火性能。结果表明:在1. 0 A、1. 00 W、5 min和1. 5 A、2. 25 W、5 min安全电流实验条件下,NTC热敏电阻的分流比约为35%和62%,达到热平衡时的温度大约为112℃和170℃;在33μF、30 V电容放电条件下并联NTC热敏电阻及1. 5 A、2. 25 W、5 min安全电流实验后,SCB的发火时间和临界发火能量均没有出现显着性变化;在7. 0 A恒流激励下,由于输入能量速率较慢以及NTC热敏电阻分流的原因,发火时间和临界发火能量均有较明显提高; SCB的99. 9%发火电流在并联NTC热敏电阻后从2. 329 A增加到3. 709 A,NTC-SCB的99. 9%发火电流在1. 5 A、2. 25 W、5 min安全电流实验后从3. 709 A增加到4. 285 A,仍然可用于提供大于5. 571 A电流的火工装置。(本文来源于《兵工学报》期刊2019年05期）
王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和[2]（2019）在《瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟》一文中研究指出为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。(本文来源于《含能材料》期刊2019年10期）
倪德彬,于国强,史胜楠,徐栋,陈利魁[3]（2019）在《基于Al/CuO_x复合薄膜半导体桥间隙点火性能研究》一文中研究指出为了提升半导体桥(SCB)的点火能力,尤其是点燃钝感药剂的能力,采用磁控溅射技术将Al/CuO_x复合薄膜与半导体桥相融合,形成含能点火器件,并研究了该含能点火器件的发火感度和点火能力。采用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDS)、X-射线衍射仪(XRD)研究了Al/CuO_x复合薄膜的微观形貌和组成。结果表明,在溅射过程中氧化铜薄膜主要以黑铜矿(Cu_2~(1+)Cu_2~1+O_3)形式存在;复合薄膜中Al、Cu、O叁种元素质量分数分别为28.8%,32.5%和38.7%,且Al与Cu原子比例接近于理论比1:1;差示扫描量热仪(DSC)显示Al/CuO_x复合薄膜放热量约为2175.4J·g~(-1);高速摄影技术测试Al/CuO_x复合薄膜的燃烧速率约为3.0m·s~(-1);兰利法测得该含能点火器件50%发火电压为8.45 V,99.9%发火电压为12.39 V。点火能力实验表明,在点火间隙为4 mm时,该含能器件能够点燃钝感点火药硼-硝酸钾(B/KNO_3)药片,显着提升了半导体桥的点火能力。(本文来源于《含能材料》期刊2019年02期）
张爱军,王增辉,陶小亮[4]（2018）在《半导体桥起爆器在固体火箭冲压发动机转级装置中的应用研究》一文中研究指出转级装置是固体火箭冲压发动机(固冲发动机)的重要组成部分,关系着固冲发动机能否实现从助推向冲压的成功转换。进气道堵盖是冲压发动机转级过程中的关键部件之一,可控制气体进入补燃室。提出了一种使用半导体桥起爆器作为起爆装置的易碎式堵盖,起爆时通过点燃半导体桥起爆器使堵盖破碎,使气体进入补燃室,完成固冲发动机转级控制。重点介绍该易碎式堵盖的结构形式、使用特点,并对半导体桥起爆器的转级控制电路进行了介绍。实验结果证明,半导体桥起爆器可应用于固冲发动机转级装置中。(本文来源于《爆破器材》期刊2018年02期）
太玉,许建兵,叶迎华,沈瑞琪,吴立志[5]（2018）在《不同调制比的Al/MoO_3含能半导体桥电爆特性研究》一文中研究指出调制比是薄膜制备中体现材料化学计量比的重要参数,直接影响含能复合薄膜的反应性能。为了研究Al/MoO_3含能复合薄膜在半导体桥上复合的最佳调制比,采用磁控溅射工艺分别制备了3种调制比的Al/MoO_3含能复合薄膜和Al/MoO_3含能半导体桥。研究了薄膜的形貌、热反应性能与Al/MoO_3含能半导体桥在不同充电电压下的电爆过程。结果表明适当调整调制比可以减小临界激发能量,缩短临界激发时间,提高含能半导体桥的燃烧时间。(本文来源于《火工品》期刊2018年01期）
杨正才,付一鸣,王科伟,王昊静,曾祥涛[6]（2018）在《含能半导体桥在点火中的应用研究》一文中研究指出设计了一种点火器,采用Al/MoO_3复合薄膜体系的含能半导体桥作为发火元件,B-KNO_3点火药为发火药,并对其发火感度、安全电流、发火时间及P——t参数进行了测试。结果表明:含能半导体桥发火感度与常规半导体桥相比无明显变化,但其安全电流明显提高,能够满足GJB 344A中规定的A类钝感电起爆器相关要求和发动机点火要求。(本文来源于《火工品》期刊2018年01期）
王帅[7]（2016）在《Al/Fe_2O_3含能半导体桥的制备及电爆性能研究》一文中研究指出火工品在武器系统、宇航发射等航天工程领域应用非常广泛,在起飞点火、星箭分离等关键动作上发挥着影响成败的关键作用,可以说火工品的安全性和点火可靠性决定了整个系统的安全可靠性。本文采用逆胶晶模板法制备叁维有序大孔(Three-dimensional Ordered Macroporous,3DOM)Fe_2O_3骨架薄膜,然后用磁控溅射法在骨架薄膜上沉积铝,得到3DOM-Al/Fe_2O_3含能薄膜。对3DOM-Fe_2O_3骨架和3DOM-Al/Fe_2O_3含能薄膜分别进行扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、X射线能谱(Energy Dispersive Spectroscopy,EDS)、X-射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)和氮气吸附-脱附表征,结果表明薄膜呈现有序的叁维大孔结构,此结构使纳米Al与Fe_2O_3骨架接触的比表面积达到43.98 m~2·g~(-1)。Al与Fe_2O_3的摩尔比为0.45,DSC曲线在580.37℃和772.65℃处有两个放热峰,总放热量为1444.41 J/g。进一步在多晶硅半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)桥区集成3DOM-Al/Fe_2O_3含能薄膜得到Al/Fe_2O_3含能半导体桥(Energetic Semiconductor Bridge,ESCB)。对多晶硅SCB和ESCB进行电爆性能实验,得到ESCB的发火过程与多晶硅SCB相似,先后桥区升温、熔化、电离、等离子体加热几个阶段,另外还有Al和Fe_2O_3发生的铝热反应阶段。ESCB的发火时间随电压的升高而减小,而临界发火能量基本没有变化。用高速摄影仪采集两种半导体桥的发火过程图像,ESCB的火花高度、火焰面积和火花持续时间均大于多晶硅SCB,这说明通过集成含能薄膜而得到的ESCB的点火能力高于多晶硅SCB。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-09-01）
陈思文,李贤连,刘平,胡美华,李剑光[8]（2016）在《半导体桥式汽车安全气囊用电点火具设计研究》一文中研究指出为了解决目前汽车安全气囊用电点火具可靠性、安全性、抗静电能力等不足的问题,采用半导体桥替代灼热桥丝制作汽车安全气囊用电点火具,对抗静电结构进行设计,解决了上述问题;同时通过对电极塞结构设计,解决了电点火药涂覆效率低的问题;对输出装药进行设计,既满足了输出压力要求,又保证了瞬发度要求。(本文来源于《火工品》期刊2016年04期）
刘明芳,许越,陈红日,张小兵[9]（2016）在《浅谈随机因素对半导体桥点火性能的影响》一文中研究指出为了研究半导体桥的点火性能,本文分析了受生产工艺和人为因素的影响而随机分布的火药各点的物理性质、火药成分、表面粗糙度以及SCB桥体密度等特征量。建立半导体桥点火过程的随机模型,采用蒙特卡洛方法研究分析了火药直径、等离子体温度及火药吸收层厚度等随机因素在半导体桥点火过程中对点火性能的影响:等离子体温度的增大,使点火延迟散布减小;火药颗粒直径,吸收层厚度的增大,使点火延迟散布增大。(本文来源于《内蒙古教育(职教版)》期刊2016年07期）
左成林,周彬,杜伟强[10]（2016）在《TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究》一文中研究指出为了加强半导体桥(SCB)的静电安全性,利用TVS二极管抗浪涌特性,分别对经TVS二极管加固前、后的SCB进行静电安全性研究。研究结果发现:并联TVS二极管后,SCB的发火时间无显着性变化;在500 p F、不串电阻条件下,SCB在6 k V条件下均未发火,在8 k V条件下均发火;在500 p F、不串电阻条件下,TVS二极管加固后的SCB在9 k V条件下均未发火,在13 k V条件下均发火;9 k V静电作用后,TVS加固后SCB的发火时间无显着性变化。因此,TVS二极管既能不影响SCB的正常发火性能,又能有效提高SCB的静电安全性。(本文来源于《爆破器材》期刊2016年03期）
半导体桥论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导体桥论文参考文献
[1].郑子龙,张文超,秦志春,吴刚刚,俞春培.高钝感半导体桥发火性能研究[J].兵工学报.2019
[2].王军,李勇,卢兵,周彬,陈厚和.瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟[J].含能材料.2019
[3].倪德彬,于国强,史胜楠,徐栋,陈利魁.基于Al/CuO_x复合薄膜半导体桥间隙点火性能研究[J].含能材料.2019
[4].张爱军,王增辉,陶小亮.半导体桥起爆器在固体火箭冲压发动机转级装置中的应用研究[J].爆破器材.2018
[5].太玉,许建兵,叶迎华,沈瑞琪,吴立志.不同调制比的Al/MoO_3含能半导体桥电爆特性研究[J].火工品.2018
[6].杨正才,付一鸣,王科伟,王昊静,曾祥涛.含能半导体桥在点火中的应用研究[J].火工品.2018
[7].王帅.Al/Fe_2O_3含能半导体桥的制备及电爆性能研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[8].陈思文,李贤连,刘平,胡美华,李剑光.半导体桥式汽车安全气囊用电点火具设计研究[J].火工品.2016
[9].刘明芳,许越,陈红日,张小兵.浅谈随机因素对半导体桥点火性能的影响[J].内蒙古教育(职教版).2016
[10].左成林,周彬,杜伟强.TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究[J].爆破器材.2016
论文知识图
