导读:本文包含了深亚微米器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:效应,剂量,粒子,电荷,器件,测试,半导体。
深亚微米器件论文文献综述
程彩莉[1]（2017）在《深亚微米器件辐射机理及仿真技术研究》一文中研究指出作为核心器件,高集成度和高可靠性集成电路已成为制约我国各种航天器及辐射环境下武器装备性能提升的主要因素。随着CMOS工艺的持续进步,集成电路的尺寸具有越发减小的趋势,集成度也在持续升高,由此引发的辐射损伤越发明显;同时,复杂空间环境下不同效应协同作用出现的辐射耦合效应,又使得采用单一效应假设下获得的器件、电路损伤结论和实际情况不能相吻合,使得电子系统辐射损伤机制的探索和抗辐射加固技术的研发难度不断提高。研究深亚微米器件辐射环境下的失效机理及辐射效应模型技术,准确、完整地揭示深亚微米级器件辐射损伤机制,有效的多种因素耦合效应协同仿真方法和模拟工具有必要被开发出来,基于此,本文开展了基于耦合辐射效应的深亚微米器件辐射机理及仿真技术的研究工作。论文的主要研究内容如下:(1)提出了一种脉冲激光等效重离子LET阈值的单粒子效应模型,为单粒子辐射效应的仿真提供了一种新的手段。在深入分析单粒子辐射效应物理机理基础上,该模型考虑了激光入射时能量折射率、透射率、SiO2层的调制因素,最大可能的改进能量损耗函数,从而提升激光等效重离子LET阈值模型的准确性;(2)改进和完善了现有的总剂量辐射效应模型,进一步完善了总剂量辐射效应模型与辐射时间、器件结构的关系。该模型采用离散化时间,并考虑了辐射过程中能量衰减、初始电场、变化电场等因素与电荷累积过程,从而提升了总剂量辐射效应模型的准确性;(3)基于提出的脉冲激光等效重离子LET阈值单粒子效应模型和改进型总剂量效应模型,开发了支持单粒子与总剂量效应的软件程序。程序开发过程中,单粒子效应模型部分引入透射率函数改进激光能量的校正计算等效重离子LET阈值,总剂量效应模型部分采用离散时间累积迭代算法计算空穴累积数目;在此基础上,将开发的软件程序和Sentaurus TCAD软件结合形成模拟平台,构建了支持单粒子与总剂量效应协同仿真的模拟平台;(4)基于单粒子与总剂量协同效应仿真的模拟平台,进行CMOS器件单粒子和总剂量效应协同仿真的验证和分析。基于45nm NMOS叁维器件,分别进行了0Krad、200Krad、800Krad总剂量辐射条件下的单粒子辐射效应仿真,并将这叁组仿真结果进行对比分析。通过多组数据的对比和分析表明,随总剂量辐射效应的增强,单粒子效应越明显;而当单粒子辐射效应较强时,总剂量辐射效应对单粒子效应的影响程度会减小。仿真结论显示所提出的辐射效应模型及TCAD仿真模拟平台能很好的预测深亚微米CMOS器件电学特性受单粒子和总剂量协同效应的影响情况,验证了模型、软件程序与模拟平台的可行性。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2017-03-01）
邵隆[2]（2013）在《超深亚微米器件单粒子翻转率计算方法研究》一文中研究指出半导体器件在空间辐射环境中发生的单粒子翻转效应严重影响航天器的在轨任务。随着我国航天事业的快速发展，越来越多的先进器件用于空间环境，使得单粒子翻转对航天器可靠性影响日益严重。研究适用于先进器件的单粒子翻转率计算方法，并将其用于在轨预计，对准确选用器件，提高我国航天器的可靠性和寿命有着重要的意义。本文首先介绍了空间辐射环境、单粒子翻转机理和器件翻转截面。其次重点论述了超深亚微米器件的电荷共享和多位翻转效应，提出了基于积分、基于截面数据FOM和基于器件参数FOM的单粒子翻转率计算方法，并利用matlab对叁种方法进行编程。然后选取了四个关键技术节点先进CMOS体硅静态存储器相关数据，计算了各自单粒子翻转率，同时计算了130nm器件的多位翻转率。随后以普适性的基于积分的方法为标准，验证并讨论了两种FOM方法在超深亚微米尺度的适用性，此外，对器件单粒子翻转率随特征工艺尺寸的变化趋势和130nm器件的多位翻转率进行了分析。最后，设计了将叁种单粒子翻转率计算方法用于在轨预计的应用方案。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2013-01-01）
刘菁[3]（2013）在《超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究》一文中研究指出随着半导体工艺的发展，器件特征尺寸越来越小，单粒子辐射效应已经成为辐射环境微电子器件可靠性的一个主要的影响因素。器件尺寸缩小不仅使得半导体存储器对于单粒子电离效应更为敏感，而且出现了电荷共享和多位翻转等新可靠性问题。单次粒子撞击引发多个存储单元的翻转在超深亚微米技术下变得越来越频繁，成为一个日益严重的问题。由于以前的电荷收集模型主要是基于单个节点上的电荷输运收集过程，故无法对粒子从不同位置入射引起的相邻器件间的电荷收集进行分析。然而，对于超深亚微米器件，电荷共享和多位翻转使得上述的假设不再成立。因此，如果想要正确地预计超深亚微米器件中的单粒子翻转率，就必须对电荷共享和多位翻转等新效应的物理机理进行研究。本文通过理论分析和数值模拟对超深亚微米器件新效应的物理机理进行了深入研究，并在此基础上建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型，并通过与90nm MOS技术的TCAD模拟结果进行对比，验证了模型的正确性。本文主要完成的工作及得到的结论如下：1)总结了多位翻转随工艺尺寸发展的变化趋势及多位翻转的物理机理。确定了电荷共享是导致超深亚微米器件发生多位翻转的主要原因。2)建立了超深亚微米器件考虑电荷共享的电荷收集模型。此模型考虑了相邻器件间的电荷共享，并考虑了粒子从器件不同位置入射时，电荷收集的物理机理的不同。3)设计了计算机模拟方案，从建模结果发现，电荷共享随着器件的节点间距的增大而减小，随着入射粒子与器件表面的夹角的减小而增大。研究结果还发现多位翻转的主要机理是电荷共享，并且多位翻转随着器件间距减小而增加。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2013-01-01）
胡志远,刘张李,邵华,张正选,宁冰旭[4]（2012）在《深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响》一文中研究指出研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.(本文来源于《物理学报》期刊2012年05期）
何宝平,丁李利,姚志斌,肖志刚,黄绍燕[5]（2011）在《超深亚微米器件总剂量辐射效应叁维数值模拟》一文中研究指出本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起,并且能够很好地反映试验结果.在研究总剂量辐照特性改善方面,在剂量不是很大的情况下,采用超陡倒掺杂相对于均匀掺杂能有效地减小辐照所引起的泄漏电流.如果采用峰值(Halo)掺杂,不仅有利于提高超深亚微米器件的抗辐照能力,而且在大剂量的情况下,可以得到明显的效果.(本文来源于《物理学报》期刊2011年05期）
李海霞,毛凌锋,查根龙[6]（2011）在《深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响》一文中研究指出描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。(本文来源于《微电子学》期刊2011年02期）
王思浩[7]（2010）在《超深亚微米器件的辐照特性研究与建模》一文中研究指出随着航天电子技术的发展,空间环境和电子技术的关系越来越密切。辐照会导致器件性能的退化,甚至是彻底的失效。总剂量效应是导致器件性能退化的主要辐照效应之一。本文主要针对超深亚微米CMOS器件的总剂量效应进行了实验研究,实验结果表明:环栅器件具有很好的抗辐照特性;总剂量效应对直栅NMOS器件直流特性的影响较为严重,会导致器件的关态泄漏电流增大,使器件和电路的静态功耗增加。在实验分析的基础上建立了直栅MOS器件总剂量效应模型。在模型中考虑了界面态不均匀分布、衬底掺杂分布、陷阱电荷不均匀分布、STI区角度以及源漏结深的影响。应用建立的模型预测各种电路模块的辐照特性,包括:电阻负载反相器、环形振荡器、开关电路和传输门电路。预测结果表明:总剂量效应基本不会引起组合逻辑电路的逻辑错误,但会增加电路的静态功耗;总剂量效应对开关电路的影响较为严重,会导致电路失效。对环栅器件进行建模,并将该模型嵌入到商用模型BSIM3V3中,便于电路仿真。对模型结果进行了验证,误差均在10%以下。(本文来源于《长春理工大学》期刊2010-03-01）
许松[8]（2008）在《关于深亚微米器件GOI及NBTI可靠性问题的研究》一文中研究指出随着技术的不断发展,电路的不断复杂,工艺制程的不断进步,从过去的0.5um,0.6um到后来的0.35um,0.15um,0.13um,再到如今的90nm,65nm甚至45nm的由研发阶段到量产阶段。伴随着CMOS栅氧化层的厚度,沟道长度的持续等比例缩小,MOS器件各个电参数变得越发的不稳定,诸如阈值电压漂移,跨导下降、各向漏电流的增加等等。器件的持续恶化会进一步导致工作电流阈值电压退化加速,引起栅氧的击穿,从而最终导致器件的失效。所以不够可靠的栅氧化层,退化过快的器件,这些都已经成为制约集成度进一步提高的重要原因。因此,本文以栅氧化层完整性测试(Gate Oxide Integrity:GOI)以及关于PMOS负向偏压与温度造成的器件不稳定性现象(Negative Bias TemperatureInstability:NBTI)为题展开研究,重点关注GOI及NBTI项目的失效机理、相关可靠性测试方法、流程、分析与线上控制。同时,随着工艺的发展对我们可靠性测试技术也提出了新的挑战。传统的测试方法已经远远不能满足工艺的进步,需要加以改进与完善。因此本文针对深亚微米器件的栅氧漏电模式GOI以及器件的NBTI问题,对其在测试中所面临的一些现象加以研究。并针对这些问题进行的一些必要的测试方法、分析方法上的改进,从而很好的降低干扰能较为准确的对器件进行测试评估。并且结合国外前沿的研究结果及业界标准,形成了一些自己的测试方案、对产品的适时投产、提高可靠性检测的准确率提供了有力的保证。(本文来源于《复旦大学》期刊2008-03-28）
侯志刚,许新新,张宪敏,于英霞,李惠军[9]（2005）在《超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究》一文中研究指出集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响。在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施。(本文来源于《电子质量》期刊2005年12期）
童建农,邹雪城,沈绪榜[10]（2004）在《深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型》一文中研究指出深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2004年05期）
深亚微米器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
半导体器件在空间辐射环境中发生的单粒子翻转效应严重影响航天器的在轨任务。随着我国航天事业的快速发展，越来越多的先进器件用于空间环境，使得单粒子翻转对航天器可靠性影响日益严重。研究适用于先进器件的单粒子翻转率计算方法，并将其用于在轨预计，对准确选用器件，提高我国航天器的可靠性和寿命有着重要的意义。本文首先介绍了空间辐射环境、单粒子翻转机理和器件翻转截面。其次重点论述了超深亚微米器件的电荷共享和多位翻转效应，提出了基于积分、基于截面数据FOM和基于器件参数FOM的单粒子翻转率计算方法，并利用matlab对叁种方法进行编程。然后选取了四个关键技术节点先进CMOS体硅静态存储器相关数据，计算了各自单粒子翻转率，同时计算了130nm器件的多位翻转率。随后以普适性的基于积分的方法为标准，验证并讨论了两种FOM方法在超深亚微米尺度的适用性，此外，对器件单粒子翻转率随特征工艺尺寸的变化趋势和130nm器件的多位翻转率进行了分析。最后，设计了将叁种单粒子翻转率计算方法用于在轨预计的应用方案。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
深亚微米器件论文参考文献
[1].程彩莉.深亚微米器件辐射机理及仿真技术研究[D].杭州电子科技大学.2017
[2].邵隆.超深亚微米器件单粒子翻转率计算方法研究[D].西安电子科技大学.2013
[3].刘菁.超深亚微米器件单粒子辐射新效应的物理机理研究[D].西安电子科技大学.2013
[4].胡志远,刘张李,邵华,张正选,宁冰旭.深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响[J].物理学报.2012
[5].何宝平,丁李利,姚志斌,肖志刚,黄绍燕.超深亚微米器件总剂量辐射效应叁维数值模拟[J].物理学报.2011
[6].李海霞,毛凌锋,查根龙.深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响[J].微电子学.2011
[7].王思浩.超深亚微米器件的辐照特性研究与建模[D].长春理工大学.2010
[8].许松.关于深亚微米器件GOI及NBTI可靠性问题的研究[D].复旦大学.2008
[9].侯志刚,许新新,张宪敏,于英霞,李惠军.超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究[J].电子质量.2005
[10].童建农,邹雪城,沈绪榜.深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型[J].计算机与数字工程.2004
论文知识图
