GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究

论文摘要

利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其薄膜表面具有原子级平整度.利用原子力显微镜对InAs薄膜进行表征,结果显示较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度比较高Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度降低了约2.5倍.通过对不同Sb组分的三元合金InAsSb缓冲层上外延的InAs薄膜进行X射线衍射测试及对应的模拟,结果表明在较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的衍射峰半高峰宽较小,说明低Sb组分的InAsSb作为缓冲层可以降低InAs薄膜的内应力,提高InAs薄膜的结晶质量.利用光致发光光谱对高结晶质量的InAs薄膜进行发光特性研究,10 K下InAs的发光峰位约为0.418 eV,为自由激子发光.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张健,唐吉龙,亢玉彬,方铉,房丹,王登魁,林逢源,魏志鹏

关键词: 薄膜,缓冲层,晶格失配,晶体质量,发光特性,分子束外延技术,射线衍射

来源: 光子学报 2019年10期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑

专业: 物理学,工业通用技术及设备

单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金(Nos.61704011,61674021,11674038),高功率半导体激光器国家重点实验室基金,吉林省科技发展项目(Nos.20160519007JH,20160520117JH,20160101255JC,20170520118JH)~~

分类号: O484

页码: 68-74

总页数: 7

文件大小: 2700K

下载量: 137

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