位错发射论文_周扬炎

导读:本文包含了位错发射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:裂纹,纳米,效应,材料,晶体,因子,屏蔽。

位错发射论文文献综述

周扬炎^[1]（2017）在《氢对裂纹尖端位错发射机理的研究》一文中研究指出晶体材料在制作,加工和使用过程中经常有氢进入材料中。氢一旦渗入到晶体材料中,当其向外扩散时,产生的内应力是相当大的,在如此大的内应力时工作,对晶体材料的损害也是非常大的。渗入到晶体材料里的氢,会使金属的晶格产生歪曲,金属开始滑移,从而使晶体的机械性能下降,如抗拉强度降低,韧性降低导致材料变脆,这种现象称为“氢脆”。氢脆的本质是氢进入到材料中影响形变与断裂的基本过程,从而导致材料的性能的变化。因此研究氢对裂纹尖端位错发射的影响机制对指导材料性能提高具有重要科研价值和实际意义。本文以晶体材料为研究对象,建立了氢气团与裂纹尖端刃型位错干涉的模型,运用弹性复势函数的方法,研究了 Ⅰ型载荷和Ⅱ型载荷下,氢气团与裂纹裂纹尖端刃型位错的相互作用。得到了氢气团对裂纹裂纹尖端刃型位错发射应力强度因子精确表达式,由此获得数值曲线图研究了温度、氢浓度、裂纹长度以及裂纹尖端曲率半径等因素对裂纹尖端应力场的影响和位错发射的难易程度等规律。主要研究成果如下:1.建立了氢气团与直线裂纹和位错交互作用的力学模型,建立了氢气团与直线裂纹和位错交互作用的力学模型,导出了裂纹尖端刃型位错发射的应力场精确表达式,得到了裂纹尖端刃型位错发射的临界应力强度因子,求出了作用在刃型位错上的位错力。揭示了氢浓度、温度和裂纹长度对裂纹尖端位错发射临界应力强度因子的影响规律。研究发现,高温条件下,位错容易从裂纹尖端发射;然而高氢浓度条件下,位错从裂纹尖端发射变得困难。裂纹长度越长,裂纹尖端刃型位错发射所受的阻力作用越大,裂纹尖端位错发射越困难。2.建立了氢气团与椭圆钝裂纹和位错交互作用的力学模型,导出了椭圆钝裂纹尖端位错发射的应力场精确表达式,得到了裂纹尖端刃型位错发射的应力强度因子,求出了作用在刃型位错上的位错力。揭示了氢浓度、温度和裂纹长度以及裂纹尖端曲率半径对裂纹尖端位错发射临界应力强度因子的影响规律。研究发现,温度越高,位错越容易从裂纹尖端发射;氢浓度越高,位错从裂纹尖端发射变得愈加困难。随着裂纹长度或裂纹尖端曲率半径的增加,位错从裂纹尖端发射越困难。3.建立了氢气团与含表面应力椭圆钝裂纹和位错交互作用的力学模型,导出了含表面应力椭圆钝裂纹尖端位错发射的应力场精确表达式,得到了裂纹尖端刃型位错发射的临界应力强度因子,求出了作用在刃型位错上的位错力。揭示了表面应力、氢浓度、温度和裂纹长度以及裂纹尖端曲率半径对裂纹尖端位错发射临界应力强度因子的影响规律。结果表明,位错容易从裂纹尖端发射,负表面应力能够促进位错发射。增加裂纹长度和裂纹尖端曲率半径将会增加位错发射的阈值。对于一些特殊材料,当考虑负的表面应力时,临界应力强度因子随着曲率半径的增加减小到极小值后又增加。(本文来源于《湖南大学》期刊2017-05-23）

陈建灵,宁岁婷,高新颖,满海,高英俊^[2]（2016）在《晶界向错运动的位错发射研究》一文中研究指出本文主要针对在塑性交形的多晶体和纳米晶体材料中,晶界向错运动伴随着位错对发射现象。通过建立能量方程,分析向错不同步发射位错对的能量条件。结果表明,不同步发射的位错对的移动距离的差值越大越有利于位错的发射,水平应力的施加对向错迁移影响较小。(本文来源于《广西物理》期刊2016年01期）

高英俊,卢成健,罗志荣,林葵,黄创高^[3]（2014）在《晶界位错发射与湮没过程的晶体相场模拟》一文中研究指出采用晶体相场模型模拟位向差为7.70°的对称倾侧晶界位错在外加应力作用下的运动形式和演化过程;计算位错分离的激活能,并从能量变化角度分析位错运动过程中发生的分解、湮没和合并机制;分析该对称倾侧晶界在外力作用下晶界湮没过程不同特征阶段的差异。结果表明,晶界的湮没存在不同的特征阶段,主要阶段如下:位错的攀移,位错的分解与滑移,位错湮没;位错的再攀移与位错再分解、再湮没,或者出现了若干短暂的新阶段,如滑移位错与晶界上其他位错发生合并而被晶界吸收,或者滑移位错与另一滑移位错在晶内发生合并形成新位错组,或者滑移位错与另一滑移位错发生湮没消失。晶界上全位错的分解实质是产生了一对新的符号相反的柏氏矢量;分位错在晶界上的湮没或合并实质是分位错与晶界上的全位错形成的一对符号相反的柏氏矢量发生抵消;分位错与分位错在晶粒内部的湮没消失,其实质是2个分位错之间的2对符号完全相反的位错柏氏矢量相互抵消。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2014年08期）

张艳兵,冯慧,方棋洪,刘又文^[4]（2013）在《穿透夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错的发射研究》一文中研究指出研究了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹与裂纹尖端螺型位错的干涉问题.应用复变函数解析延拓技术与奇性主部分析方法,得到了位错位于半圆形夹杂内部时,半无限基体和半圆形夹杂内复势函数的解析解.然后利用保角映射技术得到了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错产生的应力场以及作用在位错上的位错力的解析表达式.主要讨论了螺型位错对裂纹的屏蔽效应以及从楔形裂纹尖端发射位错的临界载荷条件.研究结果表明正的螺型位错可以削弱楔形裂纹尖端的应力强度因子,屏蔽裂纹的扩展,屏蔽效应随位错方位角的增大而减小.位错发射所需的无穷远临界应力随发射角的增加而增大,最可能的位错发射角度为零度,直线裂纹尖端位错的发射比楔形裂纹尖端位错的发射更容易,硬基体抑制位错的发射.(本文来源于《固体力学学报》期刊2013年05期）

曾鑫,方棋洪,刘又文^[5]（2013）在《晶体材料中钝裂纹表面扩散对裂纹尖端位错发射的影响》一文中研究指出基于晶体材料失效的表面扩散变形机制,研究晶体材料中钝裂纹表面扩散条件下位错的发射条件,建立了考虑裂纹表面扩散的钝裂纹尖端位错发射的连续介质模型。利用理论分析与数值计算相结合的方法,获得了应力场的解析解答,分析了钝裂纹表面扩散的应力或位移边界条件,得到了表面扩散条件下位错发射的临界应力强度(本文来源于《中国力学大会——2013论文摘要集》期刊2013-08-19）

余敏,刘又文,方棋洪^[6]（2013）在《纳晶双材料中晶界滑移和迁移协同变形对界面共线裂纹尖端位错发射的影响》一文中研究指出运用复变函数方法和迭加原理,获得了应力场,位错力和裂纹尖端应力强度因子的封闭形式解,并计算出界面裂纹尖端发射第一个刃型位错的Ⅰ型和Ⅱ型临界应力强度因子的解析表达式。讨论了向错强度,位置和方向,以及界面裂纹长度,晶粒尺寸等对裂纹尖端发射位错的临界应力强度因子的影响规律。(本文来源于《中国力学大会——2013论文摘要集》期刊2013-08-19）

冯慧,方棋洪,刘又文^[7]（2013）在《纳米晶体材料中纳米晶粒扭转变形对椭圆钝裂纹尖端位错发射的影响》一文中研究指出运用连续介质力学模型,研究了纳米晶体材料中椭圆钝裂纹尖端附近纳米晶粒扭转变形对尖端位错发射的影响规律,并将由裂纹尖端理想纳米剪切产生的纳米晶粒扭转变形近似等于一个向错四极子。运用弹性复势方法,获得了复势函数和应力场的解析解答,由此导出了椭圆钝裂纹尖端位错所受力以及位错发射临界条件的表达式。(本文来源于《中国力学大会——2013论文摘要集》期刊2013-08-19）

宋豪鹏,高存法^[8]（2011）在《压电双材料界面钝裂纹附近螺型位错的屏蔽效应与发射条件》一文中研究指出研究了压电双材料界面钝裂纹附近螺型位错的屏蔽效应与发射条件.应用保角变换技术,得到了复势函数与应力场的封闭形式解,讨论了位错方位、双材料电弹常数及裂纹钝化程度对位错屏蔽效应和发射条件的影响.结果表明,Burgers矢量为正的螺型位错可以降低界面钝裂纹尖端的应力强度因子(屏蔽效应),屏蔽效应随位错方位角及位错与裂纹尖端距离的增大而减弱,压电双材料中螺型位错对裂纹的屏蔽效应强于相应弹性双材料中螺型位错对裂纹的屏蔽效应;位错发射所需的临界无穷远加载或电位移随位错方位角及裂纹钝化程度的增加而增大;最可能的位错发射角度为零度即位错最可能沿裂纹前方发射.论文解答的特殊情况与已有文献一致.(本文来源于《固体力学学报》期刊2011年06期）

徐荣鹏,曾祥国,陈华燕,范镜泓^[9]（2011）在《裂纹尖端位错发射与运动的分子动力学模拟》一文中研究指出带缺陷的高强度X80管线钢基体相α-Fe裂纹顶端的变形机理对于揭示该材料的失效机理是非常重要的.采用嵌入原子方法(EAM)描述原子间作用势,由大型分子动力学并行软件LAMMPS(Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator),建立足够大的模型以避免边界对位错发射与运动的影响,对中心裂纹板施加远场应力载荷,获得了裂尖发射位错的临界应力强度因子.模拟结果显示,在远场应力作用下,裂纹尖端出现了间歇性发射出位错的现象,即,首先在裂尖沿[111]晶向发射出首个位错并运动约至38个晶格间距后,再由裂尖发射出后继的位错,随着位错的不断发射,裂纹尖端出现明显的钝化现象,并伴随着裂尖不断往前推进.该过程清楚的揭示了的裂纹韧性扩展机理.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2011年03期）

罗俊^[10]（2009）在《反平面载荷作用下纳米钝裂纹端部应力场及螺位错发射》一文中研究指出用Gurtin-Murdoch模型来描述纳米椭圆孔洞的表面效应,运用复变函数方法得到了纳米椭圆孔洞在反平面载荷作用下的应力场分布的半解析解,通过增大纳米椭圆(本文来源于《中国力学学会学术大会'2009论文摘要集》期刊2009-08-24）

位错发射论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

本文主要针对在塑性交形的多晶体和纳米晶体材料中,晶界向错运动伴随着位错对发射现象。通过建立能量方程,分析向错不同步发射位错对的能量条件。结果表明,不同步发射的位错对的移动距离的差值越大越有利于位错的发射,水平应力的施加对向错迁移影响较小。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

位错发射论文参考文献

[1].周扬炎.氢对裂纹尖端位错发射机理的研究[D].湖南大学.2017

[2].陈建灵,宁岁婷,高新颖,满海,高英俊.晶界向错运动的位错发射研究[J].广西物理.2016

[3].高英俊,卢成健,罗志荣,林葵,黄创高.晶界位错发射与湮没过程的晶体相场模拟[J].中国有色金属学报.2014

[4].张艳兵,冯慧,方棋洪,刘又文.穿透夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错的发射研究[J].固体力学学报.2013

[5].曾鑫,方棋洪,刘又文.晶体材料中钝裂纹表面扩散对裂纹尖端位错发射的影响[C].中国力学大会——2013论文摘要集.2013

[6].余敏,刘又文,方棋洪.纳晶双材料中晶界滑移和迁移协同变形对界面共线裂纹尖端位错发射的影响[C].中国力学大会——2013论文摘要集.2013

[7].冯慧,方棋洪,刘又文.纳米晶体材料中纳米晶粒扭转变形对椭圆钝裂纹尖端位错发射的影响[C].中国力学大会——2013论文摘要集.2013

[8].宋豪鹏,高存法.压电双材料界面钝裂纹附近螺型位错的屏蔽效应与发射条件[J].固体力学学报.2011

[9].徐荣鹏,曾祥国,陈华燕,范镜泓.裂纹尖端位错发射与运动的分子动力学模拟[J].四川大学学报(自然科学版).2011

[10].罗俊.反平面载荷作用下纳米钝裂纹端部应力场及螺位错发射[C].中国力学学会学术大会'2009论文摘要集.2009

论文知识图

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