导读:本文包含了激子束缚能论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,空穴,磁场,变分法,保护层,电子,矩形。
激子束缚能论文文献综述
米贤武[1]（2014）在《变分法研究半导体量子线中激子束缚能》一文中研究指出本文运用变分法,推到了柱形量子线中的激子束缚能随量子线半径变化关系,同时计算了量子线中激子的波函数和变分参数。推导中分别采用了无限势阱模型和有限势阱模型进行计算。(本文来源于《科技信息》期刊2014年05期）
李巧芬,屠彦,杨兰兰,张玮[2]（2013）在《MgO激子束缚能—第一性原理GW-BSE研究》一文中研究指出采用第一性原理计算了MgO的电子结构和激子光谱。通过解贝塞尔方程,得到MgO的吸收光谱,同时计算了MgO的激子束缚能。由计算结果知MgO中存在强烈的激子效应,激子束缚能约83 meV。在室温条件下,由于MgO的激子束缚能大于热能,因此激子效应可能对等离子平板显示单元的放电性能产生重要影响。本文还研究了不同布里渊k点密度下的MgO激子光谱,研究结果可帮助理解MgO晶体中激子的物理性质。另外暗激子则被认为是MgO暴露在真空紫外等离子辐射后另一可能的外电子发射源。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2013年10期）
范锋,张红[3]（2012）在《磁场作用下抛物量子阱线中激子的束缚能》一文中研究指出采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算,分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以及电子和空穴之间的平均距离作用.结果表明:外加磁场会增加量子阱线中激子的束缚能,并且磁场对束缚能的作用会受到量子约束势的影响,在量子约束势较弱时磁场的影响较大,量子约束势较强时磁场的影响较小;外加磁场会减小电子和空穴间的平均距离.(本文来源于《吉林化工学院学报》期刊2012年01期）
孙会妙[4]（2010）在《垂直磁场下叁角形量子线中激子束缚能的研究》一文中研究指出本文采用变分微扰法研究了垂直磁场下有限深叁角形量子线中的电子态、空穴态和激子态。利用有效势模型计算了有无外加均匀磁场时激子束缚能之差ΔE b随叁角形量子线尺寸和磁场的变化情况,并与文献[59]的结果和实验值进行了比较分析。得到的主要结论如下:首先,提出了研究垂直磁场下有限深叁角形量子线的变分微扰法。在计算过程中引入了圆柱形量子线,并利用变分法求出圆柱形量子线截面的半径,使得叁角形与圆柱形量子线势垒对电子(空穴)约束势之差相对于圆柱形量子线的哈密顿可以作为微扰项处理。然后,利用微扰法求解了叁角形量子线中电子(空穴)基态能量和波函数以及有无外加均匀磁场时激子束缚能之差。该方法不仅计算简便,而且考虑的修正项阶数越高,计算结果就越接近准确值。其次,研究了垂直磁场下有限深叁角形量子线中的电子态、空穴态和激子态,计算表明:随着磁场的增加,量子线中电子(空穴)的基态能量增大,且增大趋势要比空穴的明显;不同高度(宽度)的叁角形量子线中,电子(空穴)的基态能量随磁场的变化曲线逐渐接近;相同磁场下,电子(空穴)的基态能量随着量子线截面高度(宽度)的增加而缓慢下降;随着磁场的增大,磁场对激子束缚能的影响也增大;量子线截面的高度(宽度)越大,磁场对激子束缚能的影响就越大;在磁场对激子束缚能的影响随磁场增加的过程中,磁场临界点B c随着量子线高度(宽度)的增大向低磁场方向移动。与文献[59]的计算结果相比,本文所得结果更接近实验值。(本文来源于《河北师范大学》期刊2010-04-01）
段秀芝[5]（2008）在《磁场下有限深矩形量子线中激子束缚能的研究》一文中研究指出本文提出一种计算矩形量子线中的电子态及空穴态的微扰法,在此基础上用有效势模型计算了激子的束缚能,给出了激子在有磁场时的束缚能与无磁场时的束缚能的差值随磁场的变化情况。在计算过程中,考虑了由形成量子线两种材料晶格常数不同带来的形变势以及电子和空穴在材料中的质量失配,由于计算的是基态能,所以只考虑了重空穴的影响。所得结果比前人工作与实验吻合得更好。本文计算了截面长度不变,宽度变化的InAs/InP矩形量子线中的电子和空穴的能量随磁场的变化情况,还计算了无磁场时激子的束缚能以及有磁场时激子的束缚能与无磁场时激子束缚能的差值随磁场的变化情况。最后对计算结果进行了分析和讨论,我们得到了以下结论:(1)在量子线尺寸不变的情况下,电子和空穴的能量随着磁场的增加而增加。在相同磁场下,电子和空穴的能量随着量子线尺寸的减小而增大。(2)在截面长度不变而宽度在比临界阱宽小的范围内变化的矩形量子线中,在宽度减小的情况下,激子的束缚能变小,受磁场的影响较大。用本文提出的微扰法计算更高阶的能量可得到更精确的结果。这种方法可用来计算矩形量子线中的其他问题,例如, X ?态、X +态、X 2态等等。我们还可以用这种微扰法来计算截面为叁角形或其他形状的量子线中的问题。(本文来源于《河北师范大学》期刊2008-04-01）
周秀文,彭秀艳[6]（2007）在《球形GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子点中激子束缚能的变分法计算》一文中研究指出用无限深势阱和有限深势阱2种模型,计算了激子束缚能与球形量子点半径的关系.计算结果表明:对于无限深势阱模型,量子点中激子束缚能随着量子点的半径增加而减小;对于有限深势阱模型,当量子点半径较小时,束缚能随着量子点的半径增加而增加;当量子点半径增加到一定值时,它的束缚能达到最大值,继续增加量子点半径,束缚能反而减少.这些计算结果对深入理解半导体量子点中激子的物理本质具有一定学术意义.(本文来源于《吉首大学学报(自然科学版)》期刊2007年05期）
熊稳,赵铧[7]（2007）在《ZnO薄膜的激子能量和束缚能的计算》一文中研究指出采用有效质量近似,将耦合在一起的6×6价带本征方程分开来考虑,取激子试探波函数为z方向和x-y平面分离的形式,用变分法计算了ZnO薄膜重空穴带激子基态能、第一激发态能、束缚能和激子的半径随薄膜厚度的变化关系,并讨论了电子波函数的量子隧穿效应对厚度d<2.0nm薄膜的能量修正.(本文来源于《物理学报》期刊2007年02期）
张红,刘磊,刘建军[8]（2007）在《对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱中激子的束缚能》一文中研究指出在有效质量近似下采用简单的尝试波函数变分地计算了对称GaAs/Al0·3Ga0·7As双量子阱中激子体系束缚能,研究了体系束缚能随阱宽和垒宽的变化情况.发现双量子阱中激子体系束缚能随阱宽变化同单量子阱情况类似,但束缚能的峰值出现在阱宽为10左右,峰值位置小于单阱的情况;束缚能随垒宽的增加有一极小值,这与波函数向垒中的渗透有关.(本文来源于《物理学报》期刊2007年01期）
马文娟[9]（2003）在《束缚激子束缚能——叁种不同模型及结果的比较》一文中研究指出束缚激子束缚能——叁种不同模型及结果的比较@马文娟$沧州师专物理系!河北沧州061001(本文来源于《沧州师范专科学校学报》期刊2003年02期）
张迎涛[10]（2002）在《外加磁场下方形量子阱线中激子的束缚能》一文中研究指出由于半导体量子阱线中激子的特性在光学器件中有着重要的应用，所以这一方面的研究一直方兴未艾。无论从实验上还是理论上，人们对于外加磁场的量子阱中激子的能级行为进行了广泛的研究。 九十年代中期，人们就开始了关于在外加磁场时量子线中激子特性的研究，Gang Li,Spiros V.Branis和K.K.Bajaj利用变分法，对于圆柱形的量子线中激子的基态束缚能进行了计算，发现对于一个给定的磁场值，激子的基态束缚能比不加磁场时变大。A.Balandin和S.Bandyopadhyay也是利用变分法，采用二能带模型计算了在外加磁场时的量子线中激子的基态束缚能。 本文采用变分法，在外加磁场条件下分别计算了激子在无限深和有限深方形量子线中的基态束缚能。在计算的过程中进一步考虑了阱，垒中粒子有效质量不匹配的影响，最后我们计算并讨论了外加磁场情况下的维里定理。通过计算得出在加磁场的情况下激子的束缚能随线宽的变化坝律，同时我们发现在考虑了粒子的有效质量不匹配时激子的束缚能相对不考虑质量不匹配的情况增大。此外我们证明在加磁场后维里定理值变小。(本文来源于《河北师范大学》期刊2002-04-01）
激子束缚能论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用第一性原理计算了MgO的电子结构和激子光谱。通过解贝塞尔方程,得到MgO的吸收光谱,同时计算了MgO的激子束缚能。由计算结果知MgO中存在强烈的激子效应,激子束缚能约83 meV。在室温条件下,由于MgO的激子束缚能大于热能,因此激子效应可能对等离子平板显示单元的放电性能产生重要影响。本文还研究了不同布里渊k点密度下的MgO激子光谱,研究结果可帮助理解MgO晶体中激子的物理性质。另外暗激子则被认为是MgO暴露在真空紫外等离子辐射后另一可能的外电子发射源。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激子束缚能论文参考文献
[1].米贤武.变分法研究半导体量子线中激子束缚能[J].科技信息.2014
[2].李巧芬,屠彦,杨兰兰,张玮.MgO激子束缚能—第一性原理GW-BSE研究[J].真空科学与技术学报.2013
[3].范锋,张红.磁场作用下抛物量子阱线中激子的束缚能[J].吉林化工学院学报.2012
[4].孙会妙.垂直磁场下叁角形量子线中激子束缚能的研究[D].河北师范大学.2010
[5].段秀芝.磁场下有限深矩形量子线中激子束缚能的研究[D].河北师范大学.2008
[6].周秀文,彭秀艳.球形GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子点中激子束缚能的变分法计算[J].吉首大学学报(自然科学版).2007
[7].熊稳,赵铧.ZnO薄膜的激子能量和束缚能的计算[J].物理学报.2007
[8].张红,刘磊,刘建军.对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱中激子的束缚能[J].物理学报.2007
[9].马文娟.束缚激子束缚能——叁种不同模型及结果的比较[J].沧州师范专科学校学报.2003
[10].张迎涛.外加磁场下方形量子阱线中激子的束缚能[D].河北师范大学.2002
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