导读:本文包含了半磁半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,轨道,光谱,晶体,理论,分子,溶液。
半磁半导体论文文献综述
李大雄[1]（2010）在《分子轨道下3d~2（V~（3+））离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体ZnS中的应用》一文中研究指出本文采用强场图像处理叁角对称晶场d~2,d~8电子组态的完全能量哈密顿矩阵元( 45×45),并且考虑了共价效应的影响。采用了分子轨道方法,计算包括了自旋,晶场,旋轨耦合叁种相互作用在内的哈密顿矩阵。并运用MATLAB程序语言对角化完全能量矩阵,对V3+在ZnS晶体中的吸收光谱进行了具体的计算。虽然,对于d~2,d~8电子组态的吸收光谱的理论计算已有不少工作[1,2,3,38,44],但已有的工作大多是基于立方对称下推导的基函数并在此基础上考虑能级计算时,先把无晶场位的哈密顿矩阵对角化,求得谱项能级和谱项波函数,然后把晶场位V cf作为微扰,将各谱项的点群不可约表示进行分解,再计算晶场能级求得的能量哈密顿即利用弱场图像处理[ 3]。采用的模型大多是点电荷偶极子模型[4,5]。此模型将配体离子是作为经典电荷处理。为了对配体离子旋轨耦合作用进行考察,我们在处理旋轨耦合作用时,放弃了点电荷-偶极子模型,采用了另外一套办法。把晶体中的络离子的外层未满壳层电子,化为量子力学体系处理,它们的电子云与中心金属离子的电子云要发生重迭,也就是说,配体的轨道要参与成键。将配体离子作为量子体系处理,即用分子轨道[6,7,,37,51]来计算旋轨偶合作用.在计算能级时,采用强场图像处理。最近,四川师范大学副教授谢林华利用点电荷-偶极子模型研究了离子族局部T d对称结构与晶场参量的关系,并基于半自洽场d轨道和完全对角化方法,从局部结构解释了V3+在ZnS的吸收光谱,采用的模型是赵等人提出的B和C(Racah),Dq以及dζ四个参量进行谱线拟合。而在本文中,应用分子轨道波函数,Racah参量变为A1,A2,A3,B1,B2,B3,B4,C1,C2,C3,CF参量变为Dq1,Dq_2,SO参量变为ζ_1ζ_2。本文通过推导叁角对称下的d~2,d~8电子组态的强场哈密顿矩阵,再将其退化到立方场中计算了V3+在ZnS晶体中的吸收光谱。并且讨论了共价因子的不同给晶场、静电相互作用和自旋-轨道(SO)耦合作用矩阵元带来的影响。这样做有如下意义:其一,证明本文所求出的完全能量哈密顿矩阵公式的正确性。其二,学会了运用该哈密顿矩阵公式来处理具体物质的总体思路和基本方法。其叁,表明了赵敏光等人提出的参量化d轨道用于分子轨道的计算所得的结果,与用自洽场波函数所得的结果很接近[34,45]。(本文来源于《四川师范大学》期刊2010-03-15）
张勇[2]（2009）在《分子轨道下3d~2(V~(3+))离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体GaP中的应用》一文中研究指出光谱和电子顺磁共振谱的研究是研究物质性质的重要方法。它在了解物质内部的微观相互作用、过渡金属离子在晶体中的局部结构(比如:取代、局部对称、键长键角、空位……)等问题上起着非常重要的作用。3d2 (V3+)和3d8 (Ni2+)离子是比较活跃的过渡金属离子,在谱学研究中扮演着重要的角色。研究掺有过渡金属离子3d2 (V3+)和3d8(Ni2+)的晶体的光学性质和顺磁性质可以为光学新材料的开发提供理论依据和实验指导。晶体场理论是处理晶体中过渡金属离子能级和跃迁问题的有效方法,常见的有Slater、Racah两种方法,其中Slater方法物理图像较清晰,计算过程却比较繁杂。Racah建立起来的不可约张量算符方法,它的一个显着优点是计算过程非常简单,但不足的是物理图像不如Slater方法清晰。该方法已经在自由离子(或原子)光谱理论以及晶体场理论中获得大量地运用。在立方晶场中,3d2离子的d轨道要分裂为e-轨道和t2-轨道,这两种电子轨道的共价性有明显的差别。经典的晶体场理论未区分e-轨道和t2-轨道的这种差别,这对离子性较强的络离子是一种较好的近似。但是Ⅱ-Ⅵ族半磁半导体(SMSC:Semimagnetic Semiconductors)的共价性较强,配体的电子云与中心络离子的电子云有重迭,因此必须考虑e、t2轨道共价因子N e、N t的不同。本文在分析了前人工作的基础上,采用强场图像,详尽地讨论了共价因子的不同给3d2离子内部库仑静电相互作用(Racah)和自旋-轨道(SO)耦合作用,以及外部晶体场作用(CF)矩阵元带来的影响,推导了立方晶场中3d2离子在库仑静电场、晶体场和自旋-轨道耦合等相互作用下的哈密顿矩阵公式。传统的晶体场理论处理过渡金属离子的方法中,一般采用B和C(Racah),Dq(CF)以及ζd0(SO)四个参量进行谱线拟合。而在本文中,应用分子轨道波函数,Racah参量变为a,b,c,d,e,f,g,h,i,j,CF参量变为Dq1,Dq2,SO参量变为ζd1,ζd2。用本文推导的全部哈密顿矩阵公式计算了V3+在GaP的Td对称的晶体中的吸收光谱。结果与实验观测值符合甚好。并得到如下结论:(1)由于e轨道和t2轨道的差别,在GaP:V3+晶体中Racah参量A的贡献不能忽略的;(2)因晶场包含对分子轨道的积分,共价因子N e, N t不仅对静电相互作用和自旋-轨道耦合作用有影响,对晶场参量也势必产生影响,共价因子N e, N t的微小改变,对计算GaP:V3+的吸收光谱的影响很大。(本文来源于《四川师范大学》期刊2009-03-10）
马晓红[3]（2008）在《分子轨道下3d~3离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体ZnS中的应用》一文中研究指出3d~3(Cr3+,V~(2+))和3d7(Co~(2+),Ni3+)离子是比较活跃的过渡金属离子,在谱学研究中扮演着重要的角色。3d~3和3d~7离子掺入不同的物质中常表现异常的特性,在材料的物理和化学性质的研究中起着重要的作用,许多重要的工业技术和生物工程材料的物理和化学性质由这些离子的性质决定,因此一直是理论和实验物理研究的重点。随着实验技术的发展,实验所测得的数据日益准确,为了解释这些实验数据,人们更加求助于日益发展的计算机技术,科学家们更多地采用完全对角化哈密顿矩阵的方法,并将它视为准确的计算。在立方晶场中,3d~3离子的d轨道要分裂为e轨道和t_2轨道,这两种电子轨道的共价性有明显的差别。经典的晶体场理论未区分e轨道和t_2轨道的这种差别,这对离子性较强的络离子是一种较好的近似。但是Ⅱ-Ⅵ族半磁半导体(SMSC:Semimagnetic Semiconductors)的共价性较强,配体的电子云与中心钒离子的电子云有重迭,因此必须考虑e、t2轨道共价因子N E、N T2的不同。本文在分析了前人工作的基础上,采用强场图像,详尽地讨论了共价因子的不同给3d~3离子内部库仑静电相互作用(Racah)和自旋-轨道(SO)耦合作用,以及外部晶体场作用(CF)矩阵元带来的影响,推导了立方晶场中3d~3离子在库仑静电场、晶体场和自旋-轨道耦合等相互作用下的哈密顿矩阵公式。传统的晶体场理论处理过渡金属离子的方法中,一般采用B和C(Racah),Dq(CF)以及ζd(SO)四个参量进行谱线拟合。而在本文中,应用分子轨道波函数,Racah参量变为A_1,A_2,A_3,B_1,B_2,B_3,B_4,C_1,C_2,C_+3,CF参量变为Dq_1,Dq_2,SO参量变为ζ_1,ζ_2。用本文推导的哈密顿矩阵公式计算了V~(2+)在ZnS的Td对称的晶体中的吸收光谱。结果与实验观测值符合甚好。并得到如下结论:(1)由于e轨道和t_2轨道的差别,在ZnS:V~(2+)晶体中Racah参量A的贡献不能忽略的;(2)因晶场包含对分子轨道的积分,共价因子N_E,N_(T_2)不仅对静电相互作用和自旋-轨道耦合作用有影响,对晶场参量也势必产生影响,共价因子N_E,N_(T_2)的微小改变,对计算ZnS:V~(2+)的吸收光谱的影响很大。(本文来源于《四川师范大学》期刊2008-04-08）
周一阳[4]（2005）在《Fe~(2+)离子在III-V半磁半导体近红外光谱中的动态Jahn-Teller效应》一文中研究指出介绍了3d4/3d6离子在立方晶体场中动态Jahn-Teller矩阵的推导,分析了动态Jahn-Teller效应对Fe2+在III-V半磁半导体InP和GaP中光谱的影响,计算结果与实验符合,表明在Fe2+半磁半导体中,比经典晶体场理论分析多出的许多分裂谱线是Fe2+离子与半导体晶格间的动态Jahn-Teller效应引起,还预测了其他Jahn-Teller效应分裂谱.(本文来源于《四川师范大学学报(自然科学版)》期刊2005年04期）
刘芳芳,杨瑞霞,刘立浩,申华军[5]（2002）在《半磁半导体材料GaMnAs》一文中研究指出利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析.(本文来源于《河北工业大学学报》期刊2002年06期）
施思齐,雷敏生[6]（2000）在《双共价因子在半磁半导体HgS∶Co~(2+)光谱中的应用》一文中研究指出本文采用一种适用于共价晶体的含双共价因子 (Nt≠ Ne)的能量矩阵计算方法 ,研究了 Co2 +离子在 Hg S中的光学吸收谱 ,并对结果进行了讨论 .研究结果表明 ,对于共价性强的晶体 ,Racah参量 A对能级跃迁的贡献不能忽略(本文来源于《光子学报》期刊2000年12期）
莫要武,吴汶海[7]（1997）在《Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究》一文中研究指出测量了Ｔｅ溶液生长半磁半导体（ＳＭＳＣ）Ｃｄ１－ＭｎＴｅ的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光（ＰＬ）．测定结果表明，Ｔｅ溶液生长Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶，根据正四面体配位晶场中Ｍｎ２＋３ｄ（４Ｔ１）能级出现在Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ禁带中的观点，分析了在０．８５～１．５μｍ范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。(本文来源于《应用科学学报》期刊1997年01期）
李福珍[8]（1996）在《自旋叁重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响》一文中研究指出本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在叁角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋叁重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响(本文来源于《四川师范大学学报(自然科学版)》期刊1996年05期）
莫要武,吴汶海[9]（1996）在《Te溶液生长半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe时界面稳定性的讨论》一文中研究指出用Ｍｕｌｌｉｎｓ和Ｓｅｋｅｒｋａ的线性动力学理论定性探讨了Ｔｅ溶液生长半磁半导体Ｃｄ_（１Ｍｎ_ｘＴｅ时固－液界面的稳定性．并在自行设计的旋转式液相外延装置中，用ＣｄＴｅ作籽晶，利用失稳小平面的长厚，富Ｔｅ溶液生长了ＣｄＭｎＴｅ晶膜，其面积为０．５ｃｍ￣２，厚度～０．４ｍｍ．分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因，最后探讨了获得稳定液相外延的条件．(本文来源于《应用科学学报》期刊1996年01期）
王敬伯[10]（1995）在《半磁半导体Zn_（1－x）Mn_xS中的能量传递》一文中研究指出本文测量了Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ在不同Ｍｎ浓度（０．００１＜ｘ＜０．５）下的发射谱和衰减曲线，并且用Ｙｏｋｏｔａ和Ｔａｎｉｍｏｔｏ模型进行了分析在对４Ｔ１衰减曲线进行拟合时发现衰减曲线是两种不同弛豫过程之和：（１）孤立的Ｍｎ２－离子的４Ｔ１衰减，它确定衰减曲线的尾部，有较长的衰减寿命；（２）Ｍｎ２－离子聚集体（例如Ｍｎ２－离子对）的４Ｔ１衰减，这种衰减比单个Ｍｎ２－离子的衰减更快．我们深入分析了在ｘ＝０．０６２，Ｔ＝８０Ｋ时的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ的发射谱及其衰减曲线，得到两个衰减寿命：τ１＝７０μｓ，τ２＞１０００μｓ，这表明在高Ｍｎ浓度时存在着两个弛豫过程：一个是较快的，另一个则是较慢的，根据Ｇｏｅｄｅ等人的实验结果可以断定较慢的过程来自孤立的Ｍｎ２－离子，那么便可以判知较快的过程是来源于Ｍｎ２－离子对．正是高Ｍｎ浓度下的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳ中存在着Ｍｎ２＋－Ｍｎ２＋离子对，在其间有能量迁移以及它和能量受主之间的能量传递造成了该体系中的ＩＲ发射．(本文来源于《发光学报》期刊1995年01期）
半磁半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
光谱和电子顺磁共振谱的研究是研究物质性质的重要方法。它在了解物质内部的微观相互作用、过渡金属离子在晶体中的局部结构(比如:取代、局部对称、键长键角、空位……)等问题上起着非常重要的作用。3d2 (V3+)和3d8 (Ni2+)离子是比较活跃的过渡金属离子,在谱学研究中扮演着重要的角色。研究掺有过渡金属离子3d2 (V3+)和3d8(Ni2+)的晶体的光学性质和顺磁性质可以为光学新材料的开发提供理论依据和实验指导。晶体场理论是处理晶体中过渡金属离子能级和跃迁问题的有效方法,常见的有Slater、Racah两种方法,其中Slater方法物理图像较清晰,计算过程却比较繁杂。Racah建立起来的不可约张量算符方法,它的一个显着优点是计算过程非常简单,但不足的是物理图像不如Slater方法清晰。该方法已经在自由离子(或原子)光谱理论以及晶体场理论中获得大量地运用。在立方晶场中,3d2离子的d轨道要分裂为e-轨道和t2-轨道,这两种电子轨道的共价性有明显的差别。经典的晶体场理论未区分e-轨道和t2-轨道的这种差别,这对离子性较强的络离子是一种较好的近似。但是Ⅱ-Ⅵ族半磁半导体(SMSC:Semimagnetic Semiconductors)的共价性较强,配体的电子云与中心络离子的电子云有重迭,因此必须考虑e、t2轨道共价因子N e、N t的不同。本文在分析了前人工作的基础上,采用强场图像,详尽地讨论了共价因子的不同给3d2离子内部库仑静电相互作用(Racah)和自旋-轨道(SO)耦合作用,以及外部晶体场作用(CF)矩阵元带来的影响,推导了立方晶场中3d2离子在库仑静电场、晶体场和自旋-轨道耦合等相互作用下的哈密顿矩阵公式。传统的晶体场理论处理过渡金属离子的方法中,一般采用B和C(Racah),Dq(CF)以及ζd0(SO)四个参量进行谱线拟合。而在本文中,应用分子轨道波函数,Racah参量变为a,b,c,d,e,f,g,h,i,j,CF参量变为Dq1,Dq2,SO参量变为ζd1,ζd2。用本文推导的全部哈密顿矩阵公式计算了V3+在GaP的Td对称的晶体中的吸收光谱。结果与实验观测值符合甚好。并得到如下结论:(1)由于e轨道和t2轨道的差别,在GaP:V3+晶体中Racah参量A的贡献不能忽略的;(2)因晶场包含对分子轨道的积分,共价因子N e, N t不仅对静电相互作用和自旋-轨道耦合作用有影响,对晶场参量也势必产生影响,共价因子N e, N t的微小改变,对计算GaP:V3+的吸收光谱的影响很大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半磁半导体论文参考文献
[1].李大雄.分子轨道下3d~2（V~（3+））离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体ZnS中的应用[D].四川师范大学.2010
[2].张勇.分子轨道下3d~2(V~(3+))离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体GaP中的应用[D].四川师范大学.2009
[3].马晓红.分子轨道下3d~3离子哈密顿矩阵公式及在半磁半导体ZnS中的应用[D].四川师范大学.2008
[4].周一阳.Fe~(2+)离子在III-V半磁半导体近红外光谱中的动态Jahn-Teller效应[J].四川师范大学学报(自然科学版).2005
[5].刘芳芳,杨瑞霞,刘立浩,申华军.半磁半导体材料GaMnAs[J].河北工业大学学报.2002
[6].施思齐,雷敏生.双共价因子在半磁半导体HgS∶Co~(2+)光谱中的应用[J].光子学报.2000
[7].莫要武,吴汶海.Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究[J].应用科学学报.1997
[8].李福珍.自旋叁重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响[J].四川师范大学学报(自然科学版).1996
[9].莫要武,吴汶海.Te溶液生长半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe时界面稳定性的讨论[J].应用科学学报.1996
[10].王敬伯.半磁半导体Zn_（1－x）Mn_xS中的能量传递[J].发光学报.1995
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