导读:本文包含了硅微波功率器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化镓,微波功率器件,交调,跨导
硅微波功率器件论文文献综述
陈伟伟,韩良,陈炽,王程,杨章[1]（2019）在《工作点对氮化镓微波功率器件交调特性影响研究》一文中研究指出氮化镓微波功率器件非常适用于卫星通信,而交调特性是通信载荷最重要的指标之一。文章首先结合器件输出特性测试结果,选取不同工作状态下的偏置点对氮化镓微波功率器件进行交调特性测试。测试结果表明,在不同的栅压范围内,器件交调特性呈现不同的变化趋势。其次,通过对器件进行跨导测试,研究交调特性与器件跨导特性的关系,并通过分析在不同偏置条件下器件跨导随射频输入信号的变化规律,对器件在不同工作状态下的交调特性进行解释。最后,通过氮化镓微波功率器件能带结构分析,研究了器件跨导随栅极电压变化的物理机制。文章的研究成果对氮化镓微波功率器件在卫星通信领域的应用具有指导意义。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年04期）
任翔,马帅帅,李静,肖苗苗,程婷婷[2]（2019）在《基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试技术》一文中研究指出电磁兼容对微波功率器件有着及其重要的意义,微波功率器件电磁兼容性能的优劣会对系统工作的稳定性和可靠性产生直接影响。论文从TEM室的设计方法、辐射发射测试方法和抗扰度测试方法等方面介绍了基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试方法,该测试方法具有结构封闭、抗干扰能力强、成本低廉、操作方便等优点,可对微波功率器件的辐射发射及抗干扰度进行表征。(本文来源于《舰船电子工程》期刊2019年08期）
王建树,郑锟,王弘刚,葛行军,袁成卫[3]（2018）在《微波功率测量器件的误差分析》一文中研究指出在微波测量领域,功率计、示波器、检波器和矢量网络分析仪都是常用测量器件,其使用过程中引入的误差对实验结果的准确性有直接的影响。在描述了功率计、示波器、检波器和矢量网络分析仪在微波功率测量领域的使用方法的基础上,分析对比了一些典型型号的测量器件在不同测量条件下引入的测量误差。实验结果表明:检波器测得的功率比示波器测得的功率最大大0.4dB。示波器的不同带宽抑制对功率测量最大相差0.3dB。N9917矢量网络分析仪比AV3672矢量网络分析仪在频率4GHz,衰减器衰减幅值为60dB时测得的功率大1dB。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2018年06期）
陈堂胜[4]（2018）在《高频率GaN微波功率器件与电路》一文中研究指出GaN HEMT在高频、大功率应用领域具有广阔的发展空间,探索新的异质结材料体系、开发新的器件工艺技术,进一步发掘GaN材料的性能优势是器件研制不懈的追求。采用InAl GaN强应力势垒材料结构,发展了50nm GaN器件工艺技术体系,研制的GaN HEMT其f T/fmax超过180/400GHz。采用常规的Al GaN/GaN异质结材料研制的0.1μm GaN HEMT功率MMIC,在90GHz输出功率达到5W。上述结果充分体现出GaN HEMT在高频、大功率方面的性能优势,体现出GaN HEMT在亚毫米波频段应用的发展潜力。论文还报告了在Si衬底上生长的低In含量InAl GaN超薄势垒结构,结合高质量缓冲层材料,研制的50nm栅长Si基GaN HEMT,其f T/fmax达到145/220GHz,器件击穿电压大于30V,综合性能国际领先,为实现Si基GaN HEMT在毫米波频段的应用以及Si基GaN HEMT多功能电路的研制奠定了基础。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
陈堂胜[5]（2018）在《高频率GaN微波功率器件与电路》一文中研究指出GaN HEMT在高频、大功率应用领域具有广阔的发展空间,探索新的异质结材料体系、开发新的器件工艺技术,进一步发掘GaN材料的性能优势是器件研制不懈的追求。采用InAlGaN强应力势垒材料结构,发展了50nm GaN器件工艺技术体系,研制的GaN HEMT其fT/fmax超过180/400GHz。采用常规的AlGaN/GaN异质结材料研制的0.1μm GaN HEMT功率MMIC,在90GHz输出功率达到5W。上述结果充分体现出GaN HEMT在高频、大功率方面的性能优势,体现出GaN HEMT在亚毫米波频段应用的发展潜力。论文还报告了在Si衬底上生长的低In含量InAlGaN超薄势垒结构,结合高质量缓冲层材料,研制的50nm栅长Si基GaN HEMT,其fT/fmax达到145/220GHz,器件击穿电压大于30V,综合性能国际领先,为实现Si基GaN HEMT在毫米波频段的应用以及Si基GaN HEMT多功能电路的研制奠定了基础。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(下册)》期刊2018-05-06）
张天福,柳华光,黄杰[6]（2018）在《GaN微波功率器件热阻测试结果影响因素分析》一文中研究指出以3种GaN微波功率芯片为研究对象,通过对热阻数据进行分析,确认了芯片的面积、固定方式和基板材料都是影响其热阻值大小的因素。通过对数据进行分析可知增大芯片的面积、提高载体与基座的热传导效率、采用无氧铜载体材料,都可以在一定程度上减小测试热阻。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2018年02期）
付明洋[7]（2018）在《微波功率器件两种热压焊接头抗时效性能研究》一文中研究指出随着微波功率器件逐渐向高效率,高击穿场强和低功耗方向发展,对于封装中起着热学、电学和力学连接作用的焊接接头也提出了更高的要求。Au80Sn20钎料熔点为280℃,同时兼具优良的抗腐蚀及良好的热传导性能,广泛应用于微波功率器件。但由于Au80Sn20高温钎料焊接温度较高,会对封装中其它材料产生影响,同时材料成本较高,影响了该钎料在电子工业中的应用。因此,为了降低成本,同时保证互联微焊点的可靠性能。本文分别以Au80Sn20钎料和实验室自主研发的Sn-0.7Ag-0.5Cu-3.5Bi-0.05Ni(以下简称SAC0705-Bi-Ni,熔点为225℃)钎料为研究对象,借助高温时效加速焊点老化的方法,研究两种热压焊接接头界面组织演变及力学性能,对比分析两种热压焊接头的抗时效行为。分析热压焊工艺参数对微焊点(Chip/Au/Au80Sn20/Au/Ni/Cu)界面演变行为的影响。揭示高温停留时间及热压焊峰值温度对芯片侧镀Au层的消耗、界面化合物(IMC)的生长规律。获得六种热压焊工艺参数下芯片侧镀Au层消耗速率及界面IMC层生长速率常数。结果表明:热压焊峰值温度、热压高温停留时间对焊点高温时效过程中镀Au层的消耗、界面IMC的生长速率有显着影响。热压焊峰值温度一定时,随着高温停留时间的不断增加,镀Au层消耗速率变化速度和界面IMC层生长速率变化速度均逐渐增加。在高温停留时间90 s时,相比于热压焊峰值温度300℃的焊点,320℃时镀Au层消耗速率变化速度降低了24.50%,界面IMC层生长速率的变化速度提高了56.09%。芯片侧界面化合物为(Au,Ni)_5Sn,且随时效时间的延长,体钎料内部共晶组织(Au5Sn+Au Sn)逐渐粗大,热沉侧界面IMC层下方出现一层(Ni,Au)3Sn2。随着(Ni,Au)3Sn2相析出,会不断消耗体钎料内部的Au Sn相,使体钎料内部共晶组织粗大,致使体钎料内部形成大量弥散的(Au,Ni)_5Sn相。分析热压焊工艺参数对微焊点(Chip/Ni/Au/SAC0705-Bi-Ni/Ni/Cu)性能的影响。揭示在该钎焊工艺(热压焊峰值温度260℃,高温停留时间60 s)下微焊点的界面演变规律。结果表明:随时效时间增加,两侧界面IMC层均不断增厚,但增加的速率有所差异。界面IMC层的厚度与时效时间平方根呈现线性关系,说明IMC层厚度的增加受元素扩散控制。SAC0705-Bi-Ni与Ni基板的界面IMC为(Ni,Au,Cu)3Sn_4,SAC0705-Bi-Ni与芯片侧镀层的界面IMC为(Ni,Cu)3Sn_4;其中(Au,Ni)Sn_4以短棒状形式弥散在体钎料内部。随时效时间的增加,(Au,Ni)Sn_4逐步向两侧界面处移动,附着在已生成的界面IMC层上方。对两种热压焊接接头抗时效性能对比分析,发现在相同时效温度下,Au80Sn20、SAC0705-Bi-Ni热压焊接头芯片侧的界面IMC层生长速率分别为3.29×10-7μm2·s-1,1.48×10-5μm2·s-1。SAC0705-Bi-Ni热压焊接头的剪切强度较Au80Sn20热压焊接头低9.71%。这是因为SAC0705-Bi-Ni体钎料内部的主要成分为弥散的短棒状(Au,Ni)Sn_4及Bi颗粒,而Au80Sn20体钎料内部为均匀的共晶组织(Au5Sn+Au Sn),使得钎料合金的强度得到提升。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2018-03-01）
廖复疆[8]（2018）在《超小型器件和微波功率模块的发展——真空电子和微波光子技术的融合》一文中研究指出信息系统的发展要求真空电子器件(包括行波管)的发展遵循微型化/集成化/组件化发展趋势。本文重点讨论了真空电子器件(包括行波管)的叁步走发展战略,即现有器件的微型化/集成化/组件化、纳米真空叁极管放大器和集成化、真空电子器件和微波光子学融合发展的新型器件与应用。(本文来源于《真空电子技术》期刊2018年01期）
郝保良,魏义学,陈永利,李冬凤,瞿波[9]（2018）在《微波功率行波管器件的发展和应用》一文中研究指出本文介绍了微波功率行波管的典型应用、可靠性增长及主要工作原理,分析了毫米波和THz行波管、高峰值功率行波管、宽带行波管、微波功率模块、多频段一体化行波管、空间行波管及卫星通信行波管的主要现状。从国内外最新的研究计划出发,归纳了更高频率、更高效率、更大功率、宽频带和小型化、模块化、低成本方向及冷阴极应用的技术发展趋势,介绍了宽带雷达、通信和电子战等应用需求。(本文来源于《真空电子技术》期刊2018年01期）
柳华光,张魁,黄杰[10]（2017）在《固态微波功率器件应用验证技术研究》一文中研究指出电子元器件应用验证是一种新的工程应用质量保证体系。它以元器件的工程应用为目的,通过多级验证的方式,来评估元器件的可靠性、成熟度以及工程可用度。该文结合我中心已进行的应用验证工作经验,给出了器件级应用验证的叁个组成部分及每个部分包含的评价要素。对某款Ga N功率器件进行了器件级应用验证,给出了具体评价要素及验证项目,列出了需补充进行的电参数测试项目,描述了主要试验项目的试验方法,最后给出了器件验证结论。(本文来源于《电子质量》期刊2017年11期）
硅微波功率器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
电磁兼容对微波功率器件有着及其重要的意义,微波功率器件电磁兼容性能的优劣会对系统工作的稳定性和可靠性产生直接影响。论文从TEM室的设计方法、辐射发射测试方法和抗扰度测试方法等方面介绍了基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试方法,该测试方法具有结构封闭、抗干扰能力强、成本低廉、操作方便等优点,可对微波功率器件的辐射发射及抗干扰度进行表征。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅微波功率器件论文参考文献
[1].陈伟伟,韩良,陈炽,王程,杨章.工作点对氮化镓微波功率器件交调特性影响研究[J].空间电子技术.2019
[2].任翔,马帅帅,李静,肖苗苗,程婷婷.基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试技术[J].舰船电子工程.2019
[3].王建树,郑锟,王弘刚,葛行军,袁成卫.微波功率测量器件的误差分析[J].强激光与粒子束.2018
[4].陈堂胜.高频率GaN微波功率器件与电路[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[5].陈堂胜.高频率GaN微波功率器件与电路[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(下册).2018
[6].张天福,柳华光,黄杰.GaN微波功率器件热阻测试结果影响因素分析[J].电子产品可靠性与环境试验.2018
[7].付明洋.微波功率器件两种热压焊接头抗时效性能研究[D].哈尔滨理工大学.2018
[8].廖复疆.超小型器件和微波功率模块的发展——真空电子和微波光子技术的融合[J].真空电子技术.2018
[9].郝保良,魏义学,陈永利,李冬凤,瞿波.微波功率行波管器件的发展和应用[J].真空电子技术.2018
[10].柳华光,张魁,黄杰.固态微波功率器件应用验证技术研究[J].电子质量.2017