BAS粘接碳化硅材料的性能

BAS粘接碳化硅材料的性能

论文摘要

采用原位生成钡长石为烧结助剂,研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺,制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳化硅陶瓷的致密化、组织结构及力学性能的影响。结果表明:在1800℃温度下原位生成了BAS相,运用无压液相烧结法制备出了密度达到3.2 g/cm3的BAS/SiC复相陶瓷;陶瓷中BAS以六方结构析出、SiC颗粒均匀分布;烧结温度不宜超过1800℃,温度过高将促使碳化硅颗粒长大,损伤陶瓷材料抗弯强度和断裂韧度;当复相BAS/SiC陶瓷中BAS质量分数为30%时,弯曲强度达到413 MPa,模量达到210 GPa,断裂韧度达到5.03 MPa·m1/2。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 杨小波,孙志强,张冰清,苗镇江,王华栋,吕毅

关键词: 钡长石,碳化硅,无压烧结,力学性能

来源: 航空材料学报 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 航天特种材料及工艺技术研究所

分类号: TQ174.1

页码: 75-80

总页数: 6

文件大小: 12639K

下载量: 51

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