硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响

硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ叶绿素荧光特性的影响

论文摘要

为明确硅对镉胁迫下烟草叶片光系统Ⅱ(PSⅡ)叶绿素荧光特性的影响,以云烟87为材料,通过室内水培试验分析烟草PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。结果表明,镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线(OJIP)发生变化,最小荧光值(Fo)和最大荧光值(Fm)显著降低。镉胁迫下最大光化学效率(Fv/Fm)、放氧复合体(OEC)、受体库容量(Sm)、电子传递量子产额(φEo)、单位面积反应中心数量(RC/CSo)和性能指数(PIabs)降低,K相相对可变荧光(Vk)、J相相对可变荧光(VJ)和QA还原速率(Mo)显著增加,说明镉胁迫导致烟草叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PSⅡ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递。加硅处理的荧光动力学曲线基本与对照重合,OEC、Sm、φEo、RC/CSo、PIabs显著增加,Vk、VJ、Mo显著降低。因此,加硅处理能够稳定PSⅡ的结构和功能,缓解镉胁迫对烟草叶片光合机构的伤害,有利于光合电子的传递。

论文目录

  • 1 材料与方法
  •   1.1 试验设计
  •   1.2 测定方法
  •   1.3 数据处理
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 硅对镉胁迫下烟草叶片叶绿素荧光诱导动力学曲线的影响
  •   2.2 硅对镉胁迫下烟草叶片可变荧光和光化学效率的影响
  •   2.3 硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ供体侧的影响
  •   2.4 硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ受体侧的影响
  •   2.5 硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ反应中心的影响
  •     2.5.1 烟草叶片PSⅡ反应中心数量
  •     2.5.2 烟草叶片单位PSⅡ反应中心能量流参数
  •   2.6 硅对镉胁迫下烟草叶片PSⅡ性能指数的影响
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 罗丽娟,唐莉娜,陈星峰,李延

    关键词: 烟草,镉胁迫,叶绿素荧光

    来源: 烟草科技 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,农业科技

    专业: 环境科学与资源利用,植物保护,农作物

    单位: 福建农林大学资源与环境学院,福建省土壤环境健康与调控重点实验室,福建省烟草公司烟草科学研究所

    基金: 中国烟草总公司福建省公司科研项目“硅对烤烟产量品质的影响及其施用技术研究”(闽烟合同[2013]63号)

    分类号: S572;X503.231

    DOI: 10.16135/j.issn1002-0861.2018.0490

    页码: 1-8

    总页数: 8

    文件大小: 1592K

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