导读:本文包含了真空灭弧室论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:真空,磁场,触头,熔焊,性能,结构,倒角。
真空灭弧室论文文献综述
雷博森,程凯,孔春才,杨志懋[1]（2019）在《真空灭弧室触头磁场结构研究进展》一文中研究指出利用磁场控制电弧运动是目前真空断路器熄灭电弧主要技术手段。本文对真空断路器灭弧室触头结构研究进行综述,包括了触头的特点及其磁场分布,主要包括横磁触头结构与纵磁触头结构,并在此基础上形成的横-纵磁触头结构。此外,对各触头间优缺点做了简单评述,最后提出了目前制约真空断路器电压等级提高的触头磁场问题。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年05期）
马慧,刘志远,耿英叁,王建华,闫静[2]（2019）在《高电压等级真空灭弧室绝缘设计研究》一文中研究指出随着电压等级的进一步提升,真空灭弧室的绝缘水平逐渐成为制约真空断路器发展的瓶颈。本文概述了高电压等级真空灭弧室绝缘设计研究的发展现状,介绍了具有多重悬浮电位屏蔽罩的新型126kV真空灭弧室结构特性,最后分析了高电压等级真空灭弧室绝缘结构设计中应用的设计方法。文中以球-板真空间隙绝缘特性研究为例,采用最大击穿场强法评估和预测,获得了其击穿电压值的预测曲线,通过试验验证了最大击穿电场强度评估方法的准确性。相关研究不仅可以指导高电压等级真空灭弧室的绝缘设计,也可以为真空间隙的绝缘耐压特性评估提供理论依据。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年05期）
刘凯,王小军,张石松,李鹏,师晓云[3]（2019）在《真空灭弧室用CuCr触头材料制备方法及其应用》一文中研究指出CuCr材料由于具有良好的开断、耐压及抗熔焊性能而广泛应用于中高压真空断路器触头材料中,而制备方法不同的CuCr触头材料表现出不同的性能特点。本文讨论了混粉烧结、真空熔渗、真空熔铸、电弧熔炼四种工艺CuCr触头材料制备方法及不同方法制备的触头材料性能之间的差异化对真空断路器在耐压、开断能力、抗熔焊性等性能的影响,供在真空灭弧室设计中CuCr触头的选择提供参考。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年05期）
王帅,孟丽[4]（2019）在《铜及其合金材料在真空灭弧室中的应用》一文中研究指出该文说明了铜及铜合金材料在真空灭弧室生产过程中的技术要求。着重说明了真空开关管中的核心原件导电杆、屏蔽罩、焊料等铜及其合金材料的重要性。无氧铜、银铜焊料、铜锰镍焊料、银铜钯焊料在整个真空灭弧室管结构中起着重要的密封作用,其质量优劣决定了真空灭弧室的真空水平、绝缘水平等重要性能。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年15期）
孟丽,王帅[5]（2019）在《固封极柱用真空灭弧室》一文中研究指出固封极柱式真空断路器以其绝缘性能好、可靠性高、机械寿命长以及体积小等有点成为当代真空断路器的更新换代产品,因此对真空灭弧室的各项指标提出了更高的要求。该文从短路开断能力、绝缘水平、接触电阻和机械寿命等方面阐述了固封极柱用真空灭弧室的设计特点和生产工艺。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年13期）
陈鹤冲,陈轩恕,杜玮,刘波[6]（2019）在《40.5 kV真空灭弧室内部电场强度分布的仿真分析》一文中研究指出40.5kV/2.5kA/63kA真空灭弧室作为363kV/5kA/63kA快速断路器串联模块的子单元,研究其内部电场强度分布以确保其绝缘性能,对于整套快速断路器装置的安全可靠运行尤为重要。根据实际参数搭建了40.5kV真空灭弧室的基本模型,利用Ansoft有限元计算仿真软件搭建了40.5kV真空灭弧室的仿真模型,进行了电场强度分布的仿真计算,得到了灭弧室中的动触头台阶倒角区域、动触头倒角区域、静触头台阶倒角区域、静触头倒角区域的电场强度最大,最有可能发生击穿的结论。提出了通过改变台阶倒角和触头倒角以改善电场分布进行优化设计的建议,并利用Ansoft仿真软件进行改变台阶倒角值和触头倒角值后的仿真计算,得到了触头台阶处倒角取值2mm、动静触头倒角2mm或3mm的设计较优,只设置1个触头片时触头倒角取值3mm设计较优。(本文来源于《宁夏电力》期刊2019年03期）
葛国伟,张鹏浩,程显,杨培远,王华清[7]（2019）在《真空灭弧室零区剩磁补偿装置及效果》一文中研究指出为研究纵磁真空灭弧室零区剩磁对电弧发展、弧后介质恢复强度的影响,建立10kV杯状纵磁触头真空灭弧室的暂态磁场模型,分析不同开距时零区剩余磁场分布和相位滞后情况,得到涡流对零区剩余磁场的影响规律。在此基础上,设计纵磁触头真空灭弧室零区剩磁补偿装置,该装置可实现脉宽0.5ms、磁场强度范围-50m T～50m T的自动补偿。搭建纵磁触头真空灭弧室零区剩磁补偿试验研究平台,通过高速CMOS相机拍摄电弧发展演变过程,采用弧后电流测量装置获得弧后特性参数,研究不同补偿磁场条件下的电弧发展过程、弧后电流和开断能力的影响规律。研究表明:电流为10kA时,杯状纵磁真空灭弧室零区剩磁为11.91～22.93mT,相位滞后为0.46～0.92ms,通过实验验证了零区剩磁补偿后开断能力提高了7.8%,所作研究为纵磁真空灭弧室触头优化和零区剩磁补偿提供了参考依据。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年11期）
陈廷栋[8]（2019）在《基于人工过零开断的杯状纵磁真空灭弧室触头结构优化》一文中研究指出随着高压直流输电系统的快速发展和新能源与信息科学技术的普遍应用,高压直流输电系统的工程应用日益成熟。研发高电压电流等级真空断路器的重要方法之一是改进真空电弧控制技术及合理、有效地优化灭弧室触头结构。灭弧室触头结构的优化对真空断路器提高电流开断能力有密切的相关性。但现有的交流灭弧单元不适用于直流开断,将当前为交流开断工况所设计的灭弧室触头结构直接应用于直流开断工况,可能会影响开断可靠性,达不到开断要求。本文主要针对基于人工过零开断的杯状纵磁真空灭弧室触头的设计优化规律进行研究。论文分析了真空电弧在纵向磁场作用下的运动规律,搭建了真空灭弧室的物理模型,并基于成熟的传统交流灭弧单元确立了基于人工过零的杯状纵磁真空灭弧室触头的基准参数及优化范围,结合后续实验开展确定了仿真环境工况。对采用人工过零开断方式的真空灭弧室触头弧隙纵向磁场分布强度在燃弧阶段和弧后阶段进行了数值计算分析,得到了部分参数对弧隙纵向磁场强度分布的作用规律,同时计算得到在叁电极“引弧”方式下,各关注参数对电弧弧柱初始扩散速度的影响。对制造加工的触头进行开断触发实验,将实验结果与仿真结果进行对比分析。归纳并提出了杯状纵磁型真空灭弧室触头设计的优化规律,为工程实践提供了重要依据。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-05-24）
何媛媛[9]（2019）在《真空灭弧室CuCr触头材料的性能优化》一文中研究指出触头材料合金化的方法来改善CuCr触头材料在制备过程中产生的一些缺陷,细化晶粒,提高抗电弧烧蚀能力、开断能力及电寿命。本文通过对CuCr触头材料开断性能分析和重燃率的探讨,不断改进材料试验,总结影响真空开关管短路开断性能的几种因素,从而选用最佳的材料方案,提高产品性能。(本文来源于《科学技术创新》期刊2019年13期）
费翔,朱志豪,袁端磊,王海燕,马明乐[10]（2019）在《发电机出口真空灭弧室触头磁场分布优化与试验》一文中研究指出针对发电机出口断路器特殊的工作条件,从真空灭弧出发,选择市场上成熟的杯状和线圈式纵磁触头作为研究对象,首先分析了典型杯状和线圈触头间隙磁场分布情况,对比了2种结构磁场分布的差异。然后对2种触头的关键结构分别进行优化,利用仿真分析的方法对比了改进前后触头间隙磁场分布的改善情况。最后基于改进结构的2种纵磁触头在可拆卸真空腔体内进行不同短路电流下的燃弧试验。从试验结果看,杯状触头电弧能更好地在触头表面维持扩散态,而线圈触头存在磁场集聚,电弧"偏烧"的情况,预测在更大短路电流下杯状触头的熄弧性能和抗烧蚀能力会优于线圈触头。该文开展的触头间隙磁场和电弧试验研究为发电机出口真空灭弧室的进一步试验研究提供了重要参考依据。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年11期）
真空灭弧室论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着电压等级的进一步提升,真空灭弧室的绝缘水平逐渐成为制约真空断路器发展的瓶颈。本文概述了高电压等级真空灭弧室绝缘设计研究的发展现状,介绍了具有多重悬浮电位屏蔽罩的新型126kV真空灭弧室结构特性,最后分析了高电压等级真空灭弧室绝缘结构设计中应用的设计方法。文中以球-板真空间隙绝缘特性研究为例,采用最大击穿场强法评估和预测,获得了其击穿电压值的预测曲线,通过试验验证了最大击穿电场强度评估方法的准确性。相关研究不仅可以指导高电压等级真空灭弧室的绝缘设计,也可以为真空间隙的绝缘耐压特性评估提供理论依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
真空灭弧室论文参考文献
[1].雷博森,程凯,孔春才,杨志懋.真空灭弧室触头磁场结构研究进展[J].真空电子技术.2019
[2].马慧,刘志远,耿英叁,王建华,闫静.高电压等级真空灭弧室绝缘设计研究[J].真空电子技术.2019
[3].刘凯,王小军,张石松,李鹏,师晓云.真空灭弧室用CuCr触头材料制备方法及其应用[J].真空电子技术.2019
[4].王帅,孟丽.铜及其合金材料在真空灭弧室中的应用[J].中国新技术新产品.2019
[5].孟丽,王帅.固封极柱用真空灭弧室[J].中国新技术新产品.2019
[6].陈鹤冲,陈轩恕,杜玮,刘波.40.5kV真空灭弧室内部电场强度分布的仿真分析[J].宁夏电力.2019
[7].葛国伟,张鹏浩,程显,杨培远,王华清.真空灭弧室零区剩磁补偿装置及效果[J].中国电机工程学报.2019
[8].陈廷栋.基于人工过零开断的杯状纵磁真空灭弧室触头结构优化[D].华中科技大学.2019
[9].何媛媛.真空灭弧室CuCr触头材料的性能优化[J].科学技术创新.2019
[10].费翔,朱志豪,袁端磊,王海燕,马明乐.发电机出口真空灭弧室触头磁场分布优化与试验[J].高电压技术.2019
论文知识图
