导读:本文包含了哑铃畴论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:布洛赫,哑铃,内场,第一类,表面,作用,论文。
哑铃畴论文文献综述
岂云开,顾建军,贾莲芝,孙会元[1]（2011）在《旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性》一文中研究指出实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2011年03期）
王丽娜,郭革新,聂向富[2]（2006）在《面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响》一文中研究指出实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年03期）
吴佺,郭革新,聂向富,王丽娜,翟晓霞[3]（2006）在《直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变》一文中研究指出实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年02期）
王丽娜,吴佺,聂向富,郭革新[4]（2005）在《直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性》一文中研究指出研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2005年04期）
徐建萍[5]（2004）在《温度和面内场对石榴石磁泡膜中第Ⅱ类哑铃畴的影响》一文中研究指出超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体，硬磁畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密度布洛赫线存储器的研制和磁畴壁物理的发展都是非常重要的。温度和面内场都是影响硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的重要因素。实验发现，在面内场或温度作用下，硬磁畴畴壁中VBL的丢失存在临界值，并且临界值的大小与材料参量有关。霍素国等人研究了温度和面内场共同对叁类硬磁畴畴壁中含VBLs较少的普通硬磁泡(OHBs)的影响，发现了一些有价值的规律。那么，对于叁类硬磁畴畴壁中含VBLs较多的第Ⅰ类哑铃畴(ⅠDs)和第Ⅱ类哑铃畴(ⅡDs)情况又会如何呢?这就是本文实验研究的出发点。 本文的工作简述如下： 首先，采用系列脉冲偏场法产生以第Ⅱ类哑铃畴(ⅡDs)为主的硬条畴，在不同温度下观察和测量临界面内场值及临界面内场范围的变化。实验发现，ⅡDs畴壁中VBLs的消失都存在一个与温度有关的临界面内场范围[H_(ip)~((1))(T)，H_(ip)((2))(T)]，在临界面内场范围内，ⅡDs畴壁中VBLs的丢失都是逐步的，并且该临界面内场范围、临界面内场值[H_(ip)~((1))(T)和[H_(ip)~((2))(T)都是随着温度T的升高而逐渐减小的。我们的实验证实：随温度升高，杂散场和面内场H_(ip)的作用使硬磁畴畴壁中VBLs变得不稳定。 在叁类硬磁畴中，ⅡDs畴壁中含有的VBLs最多，其解体机制也较为复杂。因此，对ⅡDs畴壁中VBLs在面内场和温度联合作用下的实验研究有益于进一步深入探讨硬磁畴畴壁中VBLs的解体机制，也可为硬磁畴畴壁的理论研究提供实验依据。 其次，石榴石磁泡膜中硬磁畴的产生方法是研究硬磁畴性质和稳定性的基础。因此，对小泡径样品中硬磁畴的形成条件研究是很必要的。脉冲偏场法和低直流偏场法是形成硬磁畴的两种常用的方法。实验发现，对一些标称成份的小泡径样品，用通常的脉冲偏场法不易得到硬磁畴，改用低直流偏场法就变得容易的多。另外，实验还发现，低偏场系列脉冲作用下，同一标称成份样品的膜厚对硬磁畴数目有一定的影响。这一研究初步探明了小泡径畴壁中VBLs形成的实验条件，同时为VBLs的形成机理的探索提供了更多的实验事实。(本文来源于《河北师范大学》期刊2004-05-25）
刘素平,徐建萍,孙会元,唐贵德,郭革新[6]（2004）在《石榴石磁泡薄膜内第Ⅰ类哑铃畴的行为》一文中研究指出实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性。发现从室温到T_0范围内的任一不同温度T下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H_(ip)(T),H_(ip)(T)],当H_(ip)<H_(ip)(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H_(ip)(T)<H_(ip)<H_(ip)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场H_(ip)的增大,越来越多的VBL丢失;当H_(ip)>H_(ip)(T)时,VBL完全解体。面内场范围[H_(ip)(T),H_(ip)(T)]随温度的升高而减小,其中H_(ip)(T),H_(ip)(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T_0和T_0处减小到零。(本文来源于《第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集》期刊2004-05-01）
崔树稳,张丽娇[7]（2003）在《含Lu磁泡膜中的第一类哑铃畴的自发收缩》一文中研究指出实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现象只能在一定的Hb和一定的Hip范围内发生,而且在自发收缩过程中伴随着垂直布洛赫线(VBL)的丢失。晶向不同,直流偏场和面内场范围也不同。实验还发现ID哑铃畴自发收缩与其在面内场中所处的方向无关,含Lu样品大的阻尼系数使得短的哑铃畴先缩泡,长的后缩泡。这与不含Lu样品中哑铃畴的自发收缩现象有很大的不同,由此认为VBL的稳定性与样品的成分有关。(本文来源于《沧州师范专科学校学报》期刊2003年02期）
申俊杰[8]（2002）在《石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性》一文中研究指出本文实验研究了石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性，具体测量了ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处畴长随温度的变化关系，发现ⅠD在条泡转变标准场H_(sb)’和硬泡标准场H_O’处其畴长随温度的升高而增大，通过与不含VBL的软磁泡泡径随温度的变化的实验比较，我们认为：畴壁中含有大量VBL的ⅠD之所以会出现上述现象，完全是由于畴壁中的VBL引起的。并通过J.C.Slonczewski所给出的VBL的平衡间距公式分析得出ⅠD畴壁中VBL间的平衡间距(S_(eq))随温度的升高而增大，这与以前人们所得到的OHB畴壁中VBL间平衡间距(S_(eq))随温度的升高而减小的结论不一致，并对此进行了分析。 在此基础上，我们又进一步观察了ⅠD在不丢失VBL的前提下，其随温度变化的行为。发现高温下产生的部分ⅠD会随着温度的降低逐步向OHB转化，在室温下产生的ⅠD会随着温度的升高向ⅡD转化，而且上述转化过程完全可逆。由于其转化过程中VBL没有丢失，也就是说，其畴壁结构没有发生变化，所以我们再次证明了叁类硬磁畴的畴壁结构是一致的，在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为，完全是由于VBL的数目引起的。而且证明了在同一温度下，普通硬磁泡(OHB)、第一类哑铃畴(ⅠD)和第二类哑铃畴(ⅡD)中的VBL数目依次增多。 此外，硬磁畴畴壁中VBL的分布问题至今仍然没有得到很好 的解决，也就是说VBL究竟是充满整个拉长的畴壁还是部分地占 据呢？这个问题仍然困扰人们。为此我们在上述实验基础上，设 计了压缩状态下第一类哑铃畴 ID的阈值温度 T。’和临界温度 T。 随直流偏场（H＊的关系实验。具体测量了 ID的阈值温度 T。’和 临界温度T。随直流偏场（民）的变化关系，实验中发现：当低直 流偏场0硼卅。时，T。‘和T。不随直流偏场的变化而变化；当直流 偏场人北。时，T。’和T。随直流偏场的增加而减小。由于直流偏场 对VBL起着径向压缩作用，而温度会使VBL间的平衡间距变大， 所以从T。’在很宽的直流偏场范围内保持不变这个实验事实出发， 我们认为VBL并没有受到直流偏场的压缩，也就是说，当直流偏 场小于条泡转变场时，ID畴壁中的 VBL是部分分布而不是占据 整个畴壁。 综合上述实验我们得到如下结论： 一、ID畴壁中 VBL问的平衡问距侣＊随温度的升高而增大。 二、当直流偏场小于条泡转变场时，ID畴壁中的 VBL是部 分分布而不是占据整个畴壁。(本文来源于《河北师范大学》期刊2002-04-01）
孙会元,韩志勇,乔伟番,胡海宁,聂向富[9]（2000）在《温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响》一文中研究指出详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊2000年02期）
孙会元,咸立芬,胡海宁,聂向富[10]（1998）在《直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭》一文中研究指出实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数。此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊1998年04期）
哑铃畴论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
哑铃畴论文参考文献
[1].岂云开,顾建军,贾莲芝,孙会元.旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性[J].河南师范大学学报(自然科学版).2011
[2].王丽娜,郭革新,聂向富.面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响[J].河北师范大学学报.2006
[3].吴佺,郭革新,聂向富,王丽娜,翟晓霞.直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变[J].河北师范大学学报.2006
[4].王丽娜,吴佺,聂向富,郭革新.直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性[J].河北师范大学学报.2005
[5].徐建萍.温度和面内场对石榴石磁泡膜中第Ⅱ类哑铃畴的影响[D].河北师范大学.2004
[6].刘素平,徐建萍,孙会元,唐贵德,郭革新.石榴石磁泡薄膜内第Ⅰ类哑铃畴的行为[C].第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集.2004
[7].崔树稳,张丽娇.含Lu磁泡膜中的第一类哑铃畴的自发收缩[J].沧州师范专科学校学报.2003
[8].申俊杰.石榴石磁泡薄膜中第一类哑铃畴的温度特性[D].河北师范大学.2002
[9].孙会元,韩志勇,乔伟番,胡海宁,聂向富.温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响[J].河北科技大学学报.2000
[10].孙会元,咸立芬,胡海宁,聂向富.直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭[J].河北科技大学学报.1998
论文知识图
