基于碳纳米管背电极的晶体硅太阳能电池

基于碳纳米管背电极的晶体硅太阳能电池

论文摘要

碳纳米管(CNTs)具有优异的电学与光电性能,可用作太阳能电池的空穴传输材料。本文将CNTs薄膜置于晶体硅(c-Si)太阳能电池的背面,以取代铝背电极,构成c-Si/CNTs太阳能电池。c-Si/CNTs太阳能电池的短路电流密度可达35.5 mA·cm-2,比刷涂铝背极c-Si电池的高8%。表明CNTs具有很强的空穴收集和输运能力,可用作c-Si太阳能电池的背电极。用稀氢氟酸(HF)处理c-Si/CNTs界面,放置100 h后,电池的填充因子由44.5%提高到62.6%,转换效率由7.1%提高到10.9%。

论文目录

  • 1 前言
  • 2 实验
  •   2.1 CNTs的制备和c-Si太阳能电池的预处理
  •   2.2 c-Si/CNTs太阳能电池的制作、测试及表征
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 CNTs薄膜的表征
  •   3.2 c-Si/CNTs太阳能电池结构与性能
  •   3.3 改善c-Si/CNTs界面对电池性能的影响
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 张泽麟,赵珂,崔贤,姚有为,韦进全

    关键词: 太阳能电池,碳纳米管,异质结,晶体硅

    来源: 新型炭材料 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,电力工业

    单位: 清华大学材料学院教育部先进成型制造重点实验室新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,清华大学深圳研究生院先进材料研究所

    基金: 深圳珈伟光照明股份有限公司横向课题(20142001042)~~

    分类号: TM914.4;TB383.1

    DOI: 10.19869/j.ncm.1007-8827.2019.03.006

    页码: 302-306

    总页数: 5

    文件大小: 2027K

    下载量: 339

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