导读:本文包含了动态电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电阻,动态,电流,效应,氮化,载荷,系统。
动态电阻论文文献综述
陈功,程壮,段涛[1]（2019）在《基于断路器弧触头全寿命周期的动态电阻测量试验》一文中研究指出高压SF6断路器触头状态是影响灭弧室电寿命最重要的因素。为研究动态电阻测量在SF6断路器电寿命诊断中的应用,对两台额定电压分别为40.5 kV与126 kV的试品SF6断路器进行了电烧蚀试验,并得到不同直流测试电流和触头烧蚀状态下的动态电阻曲线。试验结果表明:主触头电阻与弧触头电阻正常值范围分别为50～150μΩ与200～400μΩ,弧触头接触行程随烧蚀试验次数线性减小。基于以上结果,研究了直流测试电流对动态电阻的影响,表明1 000 A及以上的测试电流可以得到较为精确的动态电阻曲线;分析弧触头接触行程对灭弧室性能的影响,提出弧触头接触行程是影响灭弧室电寿命最重要的因素,并基于触头接触电阻与接触行程参数得出断路器电寿命诊断方法。(本文来源于《水利水电快报》期刊2019年12期）
陈忠华,王一帆,杨彩红,时光,回立川[2]（2019）在《波动载荷下弓网动态接触电阻特性研究》一文中研究指出在实际的列车运行过程中压力载荷是以正弦形式波动变化,波动载荷对弓网系统中的接触电阻特性有重要影响。文中利用销盘式高速载流摩擦磨损实验机模拟弓网系统中的压力波动状态,研究了波动载荷、滑动速度和接触电流对动态接触电阻特性的影响,结合表面形貌对其变化规律产生的原因进行了分析。结果表明:载流滑动接触且压力波动频率一定时,动态接触电阻随压力波动幅度的增大先减小后增大;压力波动幅度一定时,动态接触电阻随压力波动频率的增大而缓慢增大;波动载荷条件下,动态接触电阻随滑动速度的增大而逐渐增大,随接触电流的增大而逐渐减小。高温电弧和接触温升是导致动态接触电阻变化的主要原因。(本文来源于《高压电器》期刊2019年10期）
赵冠琨,贾科,王聪博,宣振文,毕天姝[3]（2019）在《基于直流断路器转移支路动态电阻特性的柔性直流输电系统保护动作分析与改进》一文中研究指出当直流断路器通过其各支路间的换流清除故障电流时,会导致系统的故障暂态电气量发生变化。现有直流保护在进行原理设计时大多未考虑直流断路器动作特性的影响,因而有可能不正确动作。因此对于柔性直流输电系统,分析了直流短路故障过程中直流断路器的动作特性,给出了考虑直流断路器各换流支路故障电流熄灭特性的短路电流解析表达式,验证了现有的电流微分保护、低压过流保护以及差动保护的动作适应性,进而提出一种基于电流积分值的保护算法,解决了电流微分保护会出现误动的问题并且具有较强的抗过渡电阻和噪声的能力。最后利用PSCAD/EMTDC电磁暂态仿真软件搭建±320 kV双端柔性直流输电系统模型,仿真结果验证了理论分析的正确性和保护算法的适用性。(本文来源于《电力自动化设备》期刊2019年09期）
钱立新,春铁军,龙红明,李宁,王毅璠[4]（2019）在《一种基于动态电阻测量的铁矿粉同化性检测新方法》一文中研究指出在分析测量铁矿粉最低同化温度方法优缺点的基础上,基于测量同化反应前后接触面物质导电性变化,提出判断同化反应时机的方法(电阻法)。以不同类型铁矿粉为原料,对比研究传统观察法和电阻法对铁矿粉最低同化温度检测结果的影响,分析同化反应试样在不同温度时反应界面微观结构及矿相组成。研究结果表明:2种方法测量的铁矿粉最低同化温度结果存在差异,但变化规律相同。未同化试样中,铁矿粉与CaO接触面处有明显分界线,部分细小黏附颗粒铁矿粉与CaO发生固相反应生成铁酸钙。在恰好同化试样中,接触面的分界线变成锯齿状,铁矿粉与CaO反应形成厚度为0.2～0.4 mm铁酸钙层。在过同化试样中,CaO全面扩散进入铁矿粉中,铁矿粉逐渐熔合形成整体。(本文来源于《中南大学学报(自然科学版)》期刊2019年08期）
雷建明[5]（2019）在《AlGaN/GaN HEMT功率器件的高频动态导通电阻和损耗模型研究》一文中研究指出Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因具禁带宽度宽、电子饱和速率高、临界击穿电场高、介电常数低等优点,使其在高电子迁移率晶体管(HEMT)等器件方面得到深入开发。极化效应和导带不连续性产生了天然的面密度达1013量级的高浓度二维电子气(2DEG),使得AlGaN/GaN HEMT器件的导通电阻非常低。另外,其输入电容(Ciss)、反馈电容(Crss)和输出电容(Coss)通常仅在数pF至数十pF之间,因而在高频性能方面表现卓越。但是,晶格失配所产生的高密度的晶体缺陷致使AlGaN/GaN HEMT器件存在一系列的可靠性问题,诸如动态导通电阻升高、电流崩塌以及开关延迟等。再加上AlGaN/GaNHEMT器件的高电压、大电流、高频等工作条件,这些可靠性问题就越发变得突出。因此,需要行之有效的测试表征方案以及理论模型来准确掌握其在电路应用中的性能表现并为后端电路设计提供理论指导依据。那么,精确提取AlGaN/GaN HEMT器件的动态导通电阻以及对其开关损耗进行建模就非常重要。本论文基于AlGaN/GaN HEMT电力电子器件在开关电源领域的应用,从理论、仿真和实验叁个方面系统地研究了其动态导通电阻和损耗模型,主要研究内容和研究成果如下:1.提出了基于双二极管隔离技术的AlGaN/GaN HEMT器件动态导通电阻提取电路,通过研究该新型电路中各个器件的寄生电容对提取电路的频率响应的影响,提出了解决限制提取电路带宽的方法。另外,通过对隔离二极管前向压降的实时测量,以及采用低电流、高动态性能恒流二极管对额外自热效应的消除,提升了导通电阻的提取精度。最终,所设计的电路实现了高频(达1 MHz以上)和高电压(达600 V)下的动态导通电阻的提取,提取精度达到97.8%。通过系统地研究AlGaN/GaN HEMT器件的动态Rdson与关态漏源电压(Vds_off)、工作频率(fs)和工作占空比(duty)之间的关系,发现AlGaN/GaN HEMT器件的动态Rdson是直流Rdson的数倍,同时也验证了俘获效应与电场和开关时间相关。2.提出了 AlGaN/GaN HEMT器件在高频开关应用时的高频非线性分段动态损耗模型。整个开关时序被细分为12个小的时间间隔,每个时间间隔的漏极电压(Vds),漏极电流(Idrain)、栅极电压(Vdrive)和时间都被精确建模,最后得到完整的动态损耗计算模型。与传统模型不同的是,这个模型考虑了动态导通电阻增加的问题、漏极电流对开关时间的影响以及漏极电流与实际沟道电流的差异。实验表明采用该模型的计算结果与实际测试结果高度一致。最后,基于动态损耗的分析,提出了一个更适合AlGaN/GaN HEMT器件在高频开关应用中的工作模式-准谐振模式(QRM)。该模式具有较低的漏极电压和较高的峰值电流,因此可以获得较低的损耗,同时可以突破高频的限制。3.通过对动态导通电阻的提取以及对其随漏极电压变化的分析,首次将AlGaN/GaN HEMT器件的动态导通电阻与器件性能退化的平均激活能关联起来,并建立模型成功提取出器件的平均激活能。平均激活能的提取结果揭示了动态导通电阻随漏极电压的关系曲线在200V附近存在拐点的原因,并分析得到了不同电压下占主导影响的缺陷位置。4.首次建立实验的方法揭示了 AlGaN/GaN HEMT电力电子器件的漏源寄生电容(Cds)对沟道电流的影响规律,并发现器件漏极电流和沟道电流存在差异。进一步验证了器件的漏源寄生电容对动态导通电阻的作用以及源极电感对器件损耗的影响。实验结果表明动态导通电阻与俘获效应存在关联性,并依此修正了动态开关损耗模型。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-25）
杨晓峰,薛皓,郑琼林[6]（2019）在《基于双向可变电阻模块的杂散电流与轨道电位动态模拟系统》一文中研究指出现代城市轨道交通中,杂散电流与轨道电位带来的安全问题日益凸显,上述问题的防治措施在现场验证协调难度大,因此杂散电流与轨道电位模拟系统受到广泛关注。现有模拟系统缺乏对列车运行工况和牵引变电站接地方式的考虑,应用范围受限。为此,提出一种双向可变电阻模块,用以模拟列车的不同运行工况;在此基础上,结合牵引变电站接地方式,进一步提出了叁种动态模拟系统,详细研究了其应用场合、演化规律、参数选择和控制策略。仿真和实验结果表明叁种模拟系统不仅可用于研究杂散电流与轨道电位的动态分布规律,还可对相应的防治措施开展实验评估,因此具有良好的应用前景。(本文来源于《电工技术学报》期刊2019年13期）
朱培敏[7]（2019）在《GaN基HEMT的kink现象和动态电阻特性研究》一文中研究指出由于氮化镓(GaN)具有宽禁带宽度、大击穿电场、高电子迁移率、强抗辐照能力等优异的材料性能,非常适合制备在极端条件下工作的高频、高压、高功率电力电子器件,如AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT),在新能源汽车、5G通讯、激光雷达等行业具有重要的应用前景。然而,GaN基HEMT器件却面临严重的电学可靠性问题,如:高温退化效应、栅漏延迟效应、kink效应、动态电阻增大效应等,不利于其大规模商业化应用。在此背景下,深入分析相关的几个关键可靠性问题,揭示问题背后具体的物理机制,具有非常重要的社会应用价值。本文首先回顾了GaN基HEMT的研究现状,指出了存在的电学可靠性问题,然后介绍了GaN材料的基本性质,详细描述了器件的结构与工作原理,最后总结了表征器件性能的重要参数。本论文的主要研究内容如下:1、AlGaN/GaN HEMT的变温电学特性研究。研究表明,随温度的升高,器件退化的主导因素并非二维电子气随温度减少,而是方块电阻随温度的增加。而方块电阻由器件的2DEG浓度与迁移率决定,因此对器件的2DEG的迁移率进行实验提取与理论计算,通过数据拟合发现极性光学声子散射限制的迁移率随温度升高而呈指数下降,是高温下方块电阻增大与器件退化的主要原因。2、AlGaN/GaN HEMT的kink效应研究。通过漏极应力偏置实验,观察到在不同漏极偏置下,两次扫描kink程度表现出显着差异;通过栅极应力偏置实验,观察到开态下,kink程度缓解,半开态下,kink程度增加,闭态下,kink程度不变现象。反向栅极电流导致的kink效应并不显着。结合半导体物理理论提出物理模型:kink效应由GaN缓冲层内类施主型深能级缺陷态对电子的捕获和热电子辅助被捕获电子去捕获行为所导致。3、晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN HEMT动态电阻特性研究。搭建了硬转换模型与软转换模型测试系统,研究了晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN HEMT器件在不同转换模型下的动态电阻特性。结果表明,在硬转换模型下动态电阻的增大源于表面态捕获电子导致的虚栅效应,在关态下随漏极偏置应力的增加,动态电阻表现出先降低再略有升高的行为,是源于缓冲层中电子的去捕获与捕获效应;在软转换模型下,验证了势垒层中缺陷态为类施主型,且稳定时间有助于动态电阻恢复。(本文来源于《江南大学》期刊2019-05-01）
李瑞[8]（2019）在《增强型GaN功率器件的动态电阻测试及分析》一文中研究指出半导体器件是电力电子行业发展的重要推动力。作为第叁代半导体器件的重要代表,氮化镓(GaN)功率器件凭借优异的材料性能,在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域(如数据中心、新能源汽车、分布式发电、各类消费电子等)具有十分广阔的应用前景和市场机遇。然而,受器件表面陷阱及缓冲层陷阱的影响,目前主流的GaN器件仍然面临着高压开关过程中的动态电阻退化问题,这为基于GaN器件的变换器设计和损耗估算带来了不确定性。因此,对GaN器件在高频开关应用中的动态电阻性能表征成为了近年来学术界和产业界广泛关注和研究的热点。目前,GaN功率器件动态电阻测试的研究工作主要集中在测试电路设计和不同电路工作条件(如工作电压、电流、温度、频率等)下的量化表征,其测试方法大多可以实现高频快速测试,符合GaN器件的实际应用。然而,这些工作也存在一定的局限性:(1)零电压软开关技术在基于GaN器件的高频功率变换中应用广泛,然而目前应用较广的测试电路只能工作在硬开关模式;(2)目前最先进的商用增强型(E-mode)GaN功率器件主要有两种结构,不同结构在不同工作条件下对动态电阻特性的影响仍需深入研究。针对上述不足,本文提出了一种集软、硬开关于一体的多功能测试电路。在此基础上,采用所提出的双脉冲和多脉冲的测试方法,定量表征了两种不同结构的商用GaN器件的动态性能。研究发现,在电压应力高至400V,开关频率高至1 MHz的测试条件下,不同结构的GaN器件在软、硬开通条件下表现出截然不同的动态电阻特性,因此在变换器设计和损耗分析时应给予充分关注。为了进一步解释和验证实验结果,本文相继分析了软、硬开通条件对GaN器件动态电阻产生影响的内部机制,并借助Silvaco仿真工具,搭建了GaN器件物理仿真模型,进一步揭示了目前基于空穴注入的动态电阻抑制方法在软开关工作条件下的局限性,为GaN功率器件在电力电子实际应用中的选型评估提供了重要参考信息。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-03-01）
张俊峰,高亮,李春辉,屈子程,康保林[9]（2019）在《基于转子串联动态电阻的自适应双馈风电机组低电压穿越方案》一文中研究指出针对基于转子串联电阻实现双馈风电机组低电压穿越的保护方式,在阻值选择时转子电流的限制效果与故障期间功率可控性之间存在矛盾的问题,通过对转子串电阻保护的理论分析,提出一种结合故障期间自适应选择转子串联电阻阻值和切换转子变换器控制模式的低电压穿越方案,能够实现根据电压跌落深度选择串联阻值且于不同故障区间内自适应切换阻值的串联动态电阻,使整个故障过程中风机处于受控状态,故障穿越更平稳,具有更好的暂态特性。PSCAD仿真结果表明,该方案具有较好的性能。(本文来源于《水电能源科学》期刊2019年02期）
崔建,陈丽安,游一民,张朝科,梁锦旋[10]（2019）在《动态电阻测量法在空气负荷开关机械性能中的应用研究》一文中研究指出文中介绍了动态电阻测量法在空气负荷开关机械性能评测中的应用研究。首先介绍了动态电阻测量法的发展历程及其在SF6断路器机械性能及电性能评估中的应用,然后介绍了动态电阻测量法的测量回路设计及开断试验流程,最后介绍了动态电阻3个阶段开断试验前后的试验数据及其分析,并成功诊断出了两类典型的负荷开关机械性能劣化情况。分析结果表明:当主触头表面磨损加剧时,其静接触电阻会上升;当弧触头存在虚接触时,其弧接触时间会明显区别于正常情况。(本文来源于《高压电器》期刊2019年02期）
动态电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在实际的列车运行过程中压力载荷是以正弦形式波动变化,波动载荷对弓网系统中的接触电阻特性有重要影响。文中利用销盘式高速载流摩擦磨损实验机模拟弓网系统中的压力波动状态,研究了波动载荷、滑动速度和接触电流对动态接触电阻特性的影响,结合表面形貌对其变化规律产生的原因进行了分析。结果表明:载流滑动接触且压力波动频率一定时,动态接触电阻随压力波动幅度的增大先减小后增大;压力波动幅度一定时,动态接触电阻随压力波动频率的增大而缓慢增大;波动载荷条件下,动态接触电阻随滑动速度的增大而逐渐增大,随接触电流的增大而逐渐减小。高温电弧和接触温升是导致动态接触电阻变化的主要原因。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
动态电阻论文参考文献
[1].陈功,程壮,段涛.基于断路器弧触头全寿命周期的动态电阻测量试验[J].水利水电快报.2019
[2].陈忠华,王一帆,杨彩红,时光,回立川.波动载荷下弓网动态接触电阻特性研究[J].高压电器.2019
[3].赵冠琨,贾科,王聪博,宣振文,毕天姝.基于直流断路器转移支路动态电阻特性的柔性直流输电系统保护动作分析与改进[J].电力自动化设备.2019
[4].钱立新,春铁军,龙红明,李宁,王毅璠.一种基于动态电阻测量的铁矿粉同化性检测新方法[J].中南大学学报(自然科学版).2019
[5].雷建明.AlGaN/GaNHEMT功率器件的高频动态导通电阻和损耗模型研究[D].南京大学.2019
[6].杨晓峰,薛皓,郑琼林.基于双向可变电阻模块的杂散电流与轨道电位动态模拟系统[J].电工技术学报.2019
[7].朱培敏.GaN基HEMT的kink现象和动态电阻特性研究[D].江南大学.2019
[8].李瑞.增强型GaN功率器件的动态电阻测试及分析[D].浙江大学.2019
[9].张俊峰,高亮,李春辉,屈子程,康保林.基于转子串联动态电阻的自适应双馈风电机组低电压穿越方案[J].水电能源科学.2019
[10].崔建,陈丽安,游一民,张朝科,梁锦旋.动态电阻测量法在空气负荷开关机械性能中的应用研究[J].高压电器.2019
论文知识图
