导读:本文包含了绝缘栅晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,过电压,模块,模型,焊料,耐压,表征。
绝缘栅晶体管论文文献综述
范晓波[1]（2019）在《绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法》一文中研究指出IGBT即绝缘栅双极型晶体管业已得到广泛的应用,高压大电流是其未来的发展方向,近年来已经应用在高压直流输电领域。随着功率容量的不断提升,对器件的设计制造提出了更高的要求。为了缩短设计周期,提高成品率,降低制造成本,应采用计算机进行仿真,可极大地提高工作效率。论文结合流片的情况应用ISE软件进行了仿真研究,结果表明,采用软件仿真的方法能够有效地指导器件的生产制造。(本文来源于《中小企业管理与科技(中旬刊)》期刊2019年10期）
韩代云,李源彬[2]（2019）在《绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究》一文中研究指出将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
范晓波[3]（2019）在《绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的功率半导体器件,高电压大电流是未来的发展趋势,研究人员一直都将器件的表面耐压作为研究的重点。本文采用ISE仿真软件对器件终端结构进行研究,分析了多环系统的表面电场、表面电势以及击穿特性。结果表明,高压IGBT终端必须采用多环系统,而且随着电压的进一步提高,环数也必须增加,以满足耐压的需要。(本文来源于《中国设备工程》期刊2019年18期）
孙鹏菊,王海波,龚灿,杜雄,罗全明[4]（2019）在《短路电流作为绝缘栅双极型晶体管模块键合线老化特征量的机理研究》一文中研究指出绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是功率变流器中故障率最高的元器件,键合线老化脱落是其中最常见的一种失效形式。文中研究短路电流作为IGBT模块键合线老化特征量的机理。首先简述IGBT模块键合线老化对应的内部寄生参数与短路电流的定性关系,建立包含键合线和铝金属基板的发射极等效电阻网络模型。依据键合线分布情况,分析键合线老化对电阻网络的影响,进而分析对短路电流的影响关系,最后对不同键合线老化状态下的IGBT模块的短路电流进行实验测量和分析。分析结果表明,等效电阻网络模型能很好地反映键合线分布情况与老化特征量之间的对应关系,实验结果与理论分析基本一致,验证了短路电流作为IGBT模块键合线老化特征量机理研究的正确性。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年16期）
梁光发,周晓亮,蒙春婵[5]（2019）在《绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例》一文中研究指出科龙6KVA不间断电源是一款双逆变在线式UPS电源,该设备在广播电视发射机房中为信号源柜以及网络柜提供一种稳压、稳频以及不受电网干扰的电源,即使市电不正常甚至掉电以后,该UPS设备仍能给信号源柜以及网络柜上的负载继续提供一段时间的供电。本文主要介绍了科龙6KVA不间断电源逆变器中绝缘栅双极晶体管IGBT击穿的故障分析以及检修处理过程。(本文来源于《视听》期刊2019年05期）
陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰[6]（2019）在《1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.(本文来源于《电子学报》期刊2019年02期）
孙海峰,杨舒曼[7]（2018）在《焊料层空洞对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块温度分布的影响》一文中研究指出作为新能源发电、电动汽车和智能电网的重要单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用,其安全可靠性也受到更多的关注。当前功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件封装形式主要有焊接式和压接式两种;而其中焊接式发展较成熟,应用较广泛。作为构成IGBT模块的关键单元和实现IGBT模块功能的关键部分,焊料层的可靠性显得尤为重要。焊料层的失效形式主要有:空洞扩大、各材料的热膨胀系数不匹配导致的热疲劳;其中焊料层空洞由于焊接工艺局限性而难以避免。应用多物理场有限元仿真软件COMSOL,建立IGBT模块的叁维模型;研究焊料层空洞不同位置、不同大小对IGBT模块芯片最高温度的影响;并研究新型材料Sn-Ag-Cu-0. 5Sb较传统焊料层材料Sn-Ag-Cu的优势。仿真结果表明同工况下,焊料为Sn-Ag-Cu-0. 5Sb时,芯片温度都比焊料为Sn-Ag-Cu时低一些,显示出较好的焊料性能。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2018年32期）
王倩,施荣,刘丽,李宁[8]（2018）在《适用于大功率绝缘栅双极型晶体管的两段式有源门极关断技术的研究》一文中研究指出针对大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)应用中存在的关断过电压问题,提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中,通过在IGBT集电极和门极之间使用2个小容值的高压陶瓷电容和一串瞬态抑制二极管(TVS),在不同关断阶段,获得2个差别较大的门极反馈增益,从而达到限制关断过电压和控制关断电压上升率的目的。在Saber仿真环境中,与其它有源门极关断技术进行了充分比较和研究。(本文来源于《电气传动》期刊2018年10期）
刘磊,陈赤汉,李海英[9]（2018）在《绝缘栅双极型晶体管串联阀过流保护研究》一文中研究指出高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联阀有多种过电流保护方法,提出了一种新的IGBT串联阀过流保护技术。该技术方案包括阀组控制单元、过流检测单元及柔性罗氏线圈,过流检测单元检测流过串联阀组电流情况,并将光脉冲回报给阀组控制单元,阀组控制单元根据回报的光脉冲改变阀组触发脉冲,从而保护高压串联阀组。搭建了10 kV的IGBT直接串联式静止同步补偿器(STACOM),试验验证了该方案可以满足故障保护需要。(本文来源于《电工电气》期刊2018年10期）
Ali,Mohammed,Abdellatif,Elkhider（阿里）[10]（2018）在《压包式绝缘栅双极型晶体管失效分析》一文中研究指出电力电子器件在电网的直流输电、新能源发电并网、电动汽车充电等领域得到广泛运用。目前,在特高压直流中已经开始使用压包式IGBT,但其故障过程与机理尚有待研究。在分析了压包式IGBT结构的基础上,本文利用COMSOL Multiphysics对其失效过程中的电场、温度场与机械应力场进行了计算,进而讨论了可能出现的故障情况。本文针对叁种故障案例进行了计算,具体包括:1)IGBT在较大的电流发热及热胀冷缩的情况下的机械应力故障。通过计算该工况下IGBT中的电场分布、温度分布和机械应力,揭示了机械应力集中的位置,指示了设计中的薄弱环节与失效机理。2)界面气泡导致的局部放电。针对IGBT中硅芯片层和聚酰亚胺绝缘层之间存在微小气泡的情况,计算了不同电压下电场集中情况,并分析了制造工艺对IGBT可靠性的影响。3)接触不良。针对IGBT不同层间局部接触不良的情况,计算了对应的电场分布,分析了电流集中导致故障的过程与机理。通过上述研究,本文揭示了压包式IGBT中常见故障的机理与发展过程,分析了不同因素对其影响。(本文来源于《华北电力大学(北京)》期刊2018-06-01）
绝缘栅晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘栅晶体管论文参考文献
[1].范晓波.绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法[J].中小企业管理与科技(中旬刊).2019
[2].韩代云,李源彬.绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究[J].功能材料.2019
[3].范晓波.绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究[J].中国设备工程.2019
[4].孙鹏菊,王海波,龚灿,杜雄,罗全明.短路电流作为绝缘栅双极型晶体管模块键合线老化特征量的机理研究[J].中国电机工程学报.2019
[5].梁光发,周晓亮,蒙春婵.绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例[J].视听.2019
[6].陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰.1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取[J].电子学报.2019
[7].孙海峰,杨舒曼.焊料层空洞对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块温度分布的影响[J].科学技术与工程.2018
[8].王倩,施荣,刘丽,李宁.适用于大功率绝缘栅双极型晶体管的两段式有源门极关断技术的研究[J].电气传动.2018
[9].刘磊,陈赤汉,李海英.绝缘栅双极型晶体管串联阀过流保护研究[J].电工电气.2018
[10].Ali,Mohammed,Abdellatif,Elkhider（阿里）.压包式绝缘栅双极型晶体管失效分析[D].华北电力大学(北京).2018
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