导读:本文包含了多晶硅薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:多晶硅,薄膜,低温,表面,应变,系数,薄膜晶体管。
多晶硅薄膜论文文献综述
邵珠峰,王婷,王含,姜皓文,张宇峰[1]（2018）在《等离激元共振增强多晶硅薄膜太阳电池性能研究》一文中研究指出采用磁控溅射方法,在多晶硅薄膜太阳电池表面沉积了不同粒径大小的Au纳米粒子,利用粒径大小可调控的Au纳米粒子的局域表面等离激元共振增强效应(LSPR),对入射光中的可见光区域实现"光俘获";采用UV-vis吸收光谱对LSPR进行了研究,结果表明,LSPR能够有效拓展Au纳米粒子的光谱响应范围(400~800nm),并且,随着Au纳米粒子粒径的增大,LSPR共振吸收峰呈现出明显"红移";同时,通过SERS表征,证实LSPR能够有效增强Au纳米粒子周围的局域电磁场强度;最后,多晶硅太阳电池的J-V特性曲线表明,当Au纳米粒子溅射时间为50s时,多晶硅太阳电池光电转换效率(η)最高为14.8%,比未修饰Au纳米粒子的电池η提高了42.3%。(本文来源于《半导体光电》期刊2018年03期）
王健,揣荣岩[2]（2017）在《p型多晶硅薄膜应变因子与掺杂浓度关系理论研究》一文中研究指出多晶硅薄膜具有良好的压阻特性,晶粒结构和掺杂浓度决定其压阻特性.一般通过调节掺杂浓度改变压阻参数,但现有的多晶硅薄膜压阻系数与掺杂浓度的理论关系和适用范围不够全面.为了完善多晶硅薄膜压阻理论,基于多晶硅纳米薄膜隧道压阻模型,以及硅价带和空穴电导质量随应力改变的机理,提出了一种p型多晶硅薄膜压阻系数算法.该算法分别求取了晶粒中性区和复合晶界区的压阻系数π_(11),π_(12)和π_(44)的理论公式,据此可以计算任意择优晶向排列多晶硅的纵向和横向压阻系数.根据材料的结构特性,求取了p型多晶硅纳米薄膜和普通多晶硅薄膜应变因子,绘制了应变因子与掺杂浓度的关系曲线,与测试结果比较,具有较好的一致性.因此,该算法全面和准确,对多晶硅薄膜的压阻特性的改进和应用具有重要意义.(本文来源于《物理学报》期刊2017年24期）
王思源,王宙,付传起,骆旭梁,张英利[3]（2017）在《脉冲激光沉积磷掺杂多晶硅薄膜的压阻性能》一文中研究指出采用脉冲激光沉积法(PLD)制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究磷掺杂分数对多晶硅薄膜压阻性能的影响。结果表明,随着磷掺杂分数增大,多晶硅薄膜的应变系数先增大后减小。在磷掺杂分数为0.3%(质量分数)时,电阻横向应变系数的绝对值达到最大,为24.3,电阻纵向应变系数的绝对值达到最大,为12.6。横向电阻应变的非线性在1%~2.5%之间,电阻的温度系数为0.05%/℃,应变系数的温度系数为-0.06%/℃。(本文来源于《材料导报》期刊2017年S2期）
岳致富,吴勇,李喜峰,杨祥,姜姝[4]（2017）在《柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性》一文中研究指出研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm~2/(V·s)降到45.17 cm~2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。(本文来源于《发光学报》期刊2017年09期）
魏立帅,陈诺夫,张航,王从杰,贺凯[5]（2017）在《石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜》一文中研究指出利用磁控溅射技术在石墨衬底上制备了石墨/a-Si/Al和石墨/Al/a-Si迭层结构,采用常规退火(CTA)和快速热退火(RTA)对样品进行退火,系统研究了不同退火条件对多晶硅薄膜制备的影响。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman)对制备的多晶硅薄膜进行表征,并利用谢乐公式计算了晶粒尺寸,结果表明制备的多晶硅薄膜具有高度(111)择优取向,结晶质量良好,利于后续外延制作多晶硅厚膜电池。基于实验结果,建立了铝诱导晶化模型,很好的解释了实验现象。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年09期）
邓幼俊,艾斌[6]（2017）在《多晶硅薄膜电学输运理论的研究进展》一文中研究指出多晶硅薄膜已广泛应用于平板显示、微机电系统和集成电路等领域,在太阳电池和平板系统领域也有着巨大的应用前景。由于多晶硅薄膜存在晶界,晶界内的晶体缺陷和悬挂键会向带隙中引入界面态,界面态一方面会束缚载流子并形成势垒阻碍载流子的传输,另一方面会作为有效复合中心加重载流子的复合,因此,多晶硅薄膜上制备的器件的性能要低于与之对应的单晶硅薄膜器件的性能。为了从理论上阐明暗场和光照条件下多晶硅薄膜的电学性质,人们已发展了各种理论模型。此外,为了确定晶界界面态在带隙中的分布,人们已发展出分析法和计算机模拟两种方法。本文将简要概述人们在多晶硅薄膜电学输运理论和晶界界面态分布确定方法等方面的主要研究进展,以期对从事多晶硅薄膜或多晶半导体输运性质研究的科研工作者有所参考和启发。(本文来源于《中山大学学报(自然科学版)》期刊2017年04期）
刘安乐[7]（2017）在《基于表面势的单栅与围栅多晶硅薄膜晶体管紧凑模型的研究》一文中研究指出多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布的陷阱密度,导致沟道内载流子输运的物理机制复杂化,因此建立准确描述Poly-Si TFT电学特性的器件模型具有重要的物理意义。随着制造工艺的不断发展,Poly-Si TFT紧凑模型的研究十分活跃,目前已有相关研究结果发表。本文重点研究单栅多晶硅和围栅多晶硅TFT的交直流模型:其一,在单栅多晶硅TFT研究中,首先,采用有效电荷法通过泊松方程求解表面势;接着,基于表面势的方法推导出漏电流的解析表达式,并且考虑陷阱态密度、掺杂浓度对器件电学特性的影响;最后,利用端电荷建立单栅多晶硅TFT的电容模型。其二,考虑到围栅结构比单栅拥有更好的短沟道抑制能力,首先,依托围栅结构的对称性以及等效电荷和中间变量等方法,得到围栅结构表面势的非迭代解,并以Pao-Sah模型为基础获得器件的漏电流方程;接着,利用漏电流结果给出描述器件动态行为的端电荷和栅电容模型。验证结果表明,本文给出的单栅与围栅器件模型具有物理意义清晰及算法简单的优点,可适用于电路仿真。(本文来源于《暨南大学》期刊2017-06-30）
顾一帆[8]（2017）在《表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力学特性在线测试方法研究》一文中研究指出微电子机械系统(MEMS,Micro Electro-Mechanical System)是一门研究和设计制造微米/纳米级微型器件,尤其是包含可动结构的微型器件的学科。MEMS加工工艺中,一种应用非常广泛的工艺是表面微加工工艺,加工对象通常是薄膜材料。由于器件尺寸的限制,一方面传统的宏观材料特性表征技术很难直接应用于MEMS薄膜材料,另一方面MEMS薄膜的材料参数受到加工条件等因素的影响,不同设计尺寸、不同工艺线、不同工艺过程都会对最终的材料参数产生影响,因而无法直接利用已有的材料特性数据对薄膜材料进行比较准确合理地评估。为了在实际生产加工中监控工艺线的稳定性、同时为设计者提供用于设计和优化器件的工艺参数,需要对MEMS表面微加工的薄膜材料参数进行在线提取;但是现有的薄膜材料参数测试方案大多数无法满足在线测试的要求,或者无法与待测材料加工工艺相兼容。因此,进行MEMS薄膜材料的在线测试研究显得格外重要。MEMS表面微加工工艺与CMOS工艺兼容性好,而CMOS MEMS工艺已经可以实现1C与MEMS加工的集成。在表面微加工工艺中,多晶硅薄膜通常被用作机械结构层,多晶硅薄膜也是该工艺最常见的材料之一。本文主要研究了表面微加工工艺中的多晶硅薄膜材料热学参数、力学参数的在线测试方法,并提出了四种材料参数在线测试结构和测试方法:对于热扩散系数和热导率,分别设计了加热条与热沉相结合的测试结构,并采用瞬态热分析法对测试结构进行建模分析;对于杨氏模量,设计了基于双端固支梁静电吸合的测试结构,并利用能量法对静电吸合中可能遇到的各类情况进行了分析;对于残余应力,设计了基于电热驱动旋转指针的测试结构。本文提出的测试结构采用电激励与电检测的测试手段,利用模型进行几何参数和电学参数到热学参数、力学参数之间的转换。测试结构加工工艺与待测材料工艺相同、无需额外工艺步骤,测试结构简单直观、版图面积小且具有较好的重复性。同时,测试条件简单、测试仪器仅需常用的电流电压激励和测试仪器。本论文利用流片实验对表面微加工工艺多晶硅薄膜的热学参数、力学参数进行了相应测试,证明了所提出的测试方法的可行性和合理性。(本文来源于《东南大学》期刊2017-06-02）
芦子玉[9]（2017）在《基于中压等离子体技术的多晶硅薄膜快速晶化及低温生长》一文中研究指出多晶硅薄膜因其独特的光学、电学性能及成本优势被认为是信息产业和太阳能光伏发电产业的关键材料。低温、快速制备高质量多晶硅薄膜是其重要的发展方向。在众多低温工艺中,H原子被广泛认为对多晶硅薄膜制备有着重要的促进作用。近些年来新开发的中压等离子体技术其中一个重要的特性就是拥有高的H原子密度,因此其可能在低温制备多晶硅薄膜方面有着极大的潜力。本论文以中压等离子体技术为基础,开发一种新的非晶硅薄膜快速退火晶化的方法,验证高密度H原子在晶化过程中起到的重要作用;再根据其高密度H原子及高温条件下独特的团簇式高速外延的特点,探究低温条件下基于玻璃衬底的多晶硅沉积工艺。(1)利用Ar、H2作为等离子体气体而产生的中压等离子体对1μm厚的无氢非晶硅薄膜进行退火,几秒钟内即可获得高结晶度的微晶硅薄膜,衬底温度低于600℃。中压等离子体提供的热能及高密度H原子化学退火作用是其能够实现低温快速退火重要原因。实验也探究了H2浓度、等离子体能量和退火时间对薄膜的形态与结晶度的影响,发现合理的提高功率和H原子浓度是短时间退火得到高结晶度薄膜的关键控制工艺,进一步提高H原子活性及延长退火时间会造成薄膜表面的刻蚀。另外也对中压等离子体退火机制做出了描述。(2)利用中压等离子体CVD技术在玻璃衬底上实现了低温多晶硅薄膜的制备。在110℃的衬底整体温度条件下获得了平整、连续的多晶硅薄膜,沉积速率达到了7.4μm/min,高于传统CVD方法不止一个数量级。实验同时探究了沉积工艺对薄膜质量和沉积速率的影响:提高射频功率可以提高薄膜质量和沉积速率;提高硅烷浓度可提高沉积速率,但薄膜质量先提升再降低。通过提高等离子体活性的方式可进一步降低整体衬底温度至85℃,并获得完全结晶、形貌平整的多晶硅薄膜。通过以上述两方面的研究,表明了中压等离子体在低温高速制备多晶硅薄膜的优越性。(本文来源于《中国地质大学(北京)》期刊2017-05-01）
刘凯[10]（2017）在《多晶硅薄膜晶体管电学特性与可靠性研究》一文中研究指出多晶硅薄膜晶体管具有缺陷态少、迁移率高、均匀性好和可低温制备等优点,在有源液晶显示领域中获得了广泛的应用。围绕p沟道poly-Si TFT电学特性与可靠性,本文针对电学参数的提取方法、低频噪声特性、电应力与辐照环境下电学性能的退化机制展开研究,主要内容包括:(1)针对p沟道多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行研究,用线性外推法提取器件的阈值电压;采用传输线法(TLM)提取了漏源串联电阻。采用多频电容电压法提取了场效应迁移率,在考虑散射效应、缺陷态等因素后,对提取公式进行修正,引入退化因子提升迁移率提取精度,并与Hoffman法和线性跨导法的提取结果进行比较与分析。(2)研究p沟道多晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性,分析低频噪声产生机制。实验结果表明在亚阈值区,p沟道poly-Si TFT的低频噪声特性遵从载流子数涨落机制;在线性区和饱和区遵从迁移率涨落机制。本文验证BSIM模型在多晶硅薄膜晶体管中的适用性,提取拟合噪声参数NoiA、Noi B和NoiC。拟合数据与实验数据一致性证实了低频噪声产生机制的推断。(3)研究p沟道多晶硅薄膜晶体管在栅压应力条件下的退化机制。在负栅压应力作用下,器件的转移特性产生负栅源电压方向的漂移,阈值电压从-6.2 V漂移至-7.5 V;亚阈值摆幅从0.51 V/dec逐渐增大至0.63 V/dec;迁移率随应力时间逐渐减小至趋于不变,这是因为沟道中的空穴被栅氧化层-沟道界面处的陷阱态捕获或者注入栅氧化层中,产生了新缺陷态引起的。在正栅应力条件下,转移特性没有发生漂移,阈值电压、亚阈值摆幅和迁移率都保持不变,这是因为沟道界处于耗尽状态,没有可移动的电荷参与电荷捕获和隧穿过程,载流子没有被捕获,也没有被注入到栅氧化层中。(4)研究p沟道多晶硅薄膜晶体管的静电放电(ESD)的特性,分析器件失效机制。器件在TLP静电应力作用下呈现关态和开态两种特性。击穿电压随着TLP静电脉冲宽度的增加而减小,表明器件的击穿是由不同TLP脉冲宽度引起的过电流热致失效而不是过电场致失效,热仿真结果表明漏端温度高达1700 K,这也表明器件是由过电流引起焦耳热热量积聚致使器件失效。电学参数在静电放电条件下被提取出来,它们均随着TLP应力的变化发生退化。界面态也随着TLP脉冲宽度的增加而增加,对电学参数性能的影响更加明显。(5)研究p沟道多晶硅薄膜晶体管的辐照效应。器件在辐照前后,器件的I-V曲线和C-V曲线都朝负栅源电压方向漂移,阈值电压从-7.3 V漂移到-11.5 V,并且随着辐射强度的增加,场效应迁移率从85.5 cm~2/Vs降低到76.5 cm~2/Vs,亚阈值摆幅从0.49 V/dec增加到0.58 V/dec,这是由于在辐照过程中电子空穴对不断的在栅氧化层中产生,其中有些空穴会被捕获形成正陷阱电荷并不断累积,导致了器件电学参数性能退化。随着辐射强度的增加,辐射诱导产生的栅氧化层陷阱电荷密度要比栅氧化层-有源层处的缺陷态大,辐射诱导产生的栅氧化层陷阱电荷机制主导器件电学特性的退化机制。(本文来源于《华南理工大学》期刊2017-04-13）
多晶硅薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
多晶硅薄膜具有良好的压阻特性,晶粒结构和掺杂浓度决定其压阻特性.一般通过调节掺杂浓度改变压阻参数,但现有的多晶硅薄膜压阻系数与掺杂浓度的理论关系和适用范围不够全面.为了完善多晶硅薄膜压阻理论,基于多晶硅纳米薄膜隧道压阻模型,以及硅价带和空穴电导质量随应力改变的机理,提出了一种p型多晶硅薄膜压阻系数算法.该算法分别求取了晶粒中性区和复合晶界区的压阻系数π_(11),π_(12)和π_(44)的理论公式,据此可以计算任意择优晶向排列多晶硅的纵向和横向压阻系数.根据材料的结构特性,求取了p型多晶硅纳米薄膜和普通多晶硅薄膜应变因子,绘制了应变因子与掺杂浓度的关系曲线,与测试结果比较,具有较好的一致性.因此,该算法全面和准确,对多晶硅薄膜的压阻特性的改进和应用具有重要意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多晶硅薄膜论文参考文献
[1].邵珠峰,王婷,王含,姜皓文,张宇峰.等离激元共振增强多晶硅薄膜太阳电池性能研究[J].半导体光电.2018
[2].王健,揣荣岩.p型多晶硅薄膜应变因子与掺杂浓度关系理论研究[J].物理学报.2017
[3].王思源,王宙,付传起,骆旭梁,张英利.脉冲激光沉积磷掺杂多晶硅薄膜的压阻性能[J].材料导报.2017
[4].岳致富,吴勇,李喜峰,杨祥,姜姝.柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性[J].发光学报.2017
[5].魏立帅,陈诺夫,张航,王从杰,贺凯.石墨衬底上铝诱导法制备多晶硅薄膜[J].人工晶体学报.2017
[6].邓幼俊,艾斌.多晶硅薄膜电学输运理论的研究进展[J].中山大学学报(自然科学版).2017
[7].刘安乐.基于表面势的单栅与围栅多晶硅薄膜晶体管紧凑模型的研究[D].暨南大学.2017
[8].顾一帆.表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力学特性在线测试方法研究[D].东南大学.2017
[9].芦子玉.基于中压等离子体技术的多晶硅薄膜快速晶化及低温生长[D].中国地质大学(北京).2017
[10].刘凯.多晶硅薄膜晶体管电学特性与可靠性研究[D].华南理工大学.2017
论文知识图
