论文摘要
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其自发极化特性.制备了Pt/α-In2Se3/Pt光敏器件单元,研究了明暗条件下Pt/α-In2Se3/Pt器件单元I-V特性以及高压极化对光敏性能的影响.结果表明:二维层状α-In2Se3具有较好的光敏性能,且高压极化将大幅优化器件的光敏特性.高压极化使器件的响应时间明显缩短, 1 V电压明暗条件开关比提高至103以上.可见,铁电极化对于α-In2Se3纳米片的光电导效应具有重要影响,高压极化操作能够有效地提高其光敏性能.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 陈芸,邢思玮,周雪,侯鹏飞
关键词: 光电导,微机械剥离法,高压极化,开关比
来源: 湘潭大学学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 湘潭大学低维材料与应用技术重点实验室
基金: 湖南省自然科学青年基金项目(2019JJ50582),电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金项目(ZHD201803)
分类号: TM221
DOI: 10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.04.013
页码: 107-113
总页数: 7
文件大小: 2388K
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