导读:本文包含了氧化铝封装论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氧化铝,阳极,声阻,薄膜,基板,陶瓷,多孔。
氧化铝封装论文文献综述
朱海涛,傅仁利,费盟,王彩霞,季磊[1]（2017）在《铝/氧化铝复合基板封装的LED光源的光热特性》一文中研究指出为获得具有高出光效率、高导热性能的发光二极管(LED)封装基板,采用直接敷铝(Al)工艺制备了铝/氧化铝(Al_2O_3)复合陶瓷基板并对其表面进行化学机械抛光处理。运用光学模拟软件Tracepro和热学模拟软件ANSYS对该陶瓷基板封装的LED光源的光学性能和热学性能进行了模拟计算,并和传统氧化铝陶瓷基板封装的LED光源进行了对比分析,最后将所制备的铝/氧化铝陶瓷基板封装成板上芯片直装(COB)型LED光源进行测试。模拟和实验测试结果均表明:直接敷铝工艺制备的铝/氧化铝陶瓷基板热传递速度更快,导热性能更加优异,更适合用于大功率LED光源的封装;铝/氧化铝陶瓷基板封装的的LED光源比基于传统氧化铝陶瓷基板的LED光源的光通量大,出光效率更高。(本文来源于《光学学报》期刊2017年10期）
刘米丰,吴伟伟,任卫朋,王立春[2]（2016）在《基于阳极氧化铝基板的圆片级板载芯片封装技术（英文）》一文中研究指出提出了一种新型基于阳极氧化铝基板的板载芯片(Chip on Board)封装技术。在5 wt.%,30℃的草酸电解液中采用60 V直流电压,制备了0.1 mm厚度的阳极氧化铝基板圆片,铝导线最小线宽、电阻及导线间绝缘电阻分别为35μm、小于1Ω/cm与大于1×1010Ω。在超薄阳极氧化铝基板圆片进行了双层Flash裸芯片堆迭及金丝引线键合,实现了圆片级COB封装,成品率高于93%。最后,将COB单元进行叁维堆迭封装,制备了32 Gb Flash模组。因此基于阳极氧化铝基板的板载芯片封装技术具有较大的应用前景。(本文来源于《传感技术学报》期刊2016年10期）
茅艳婷[3]（2015）在《阳极氧化法制备覆氧化铝膜铝基板及其在LED封装中的应用研究》一文中研究指出发光二极管(LED)正逐步取代传统光源,市场对LED功率需求逐渐加大,而传统封装导致LED散热瓶颈,限制了大功率LED发展。LED的热量主要由芯片向下传导,经过封装基板导向热沉,因此封装基板是LED散热通道的重要一环。而目前常用的基板包括金属印刷电路板、覆铜陶瓷板等基板存在散热瓶颈、生产成本过高、存在技术限制等问题。针对该问题本论文致力于研究一种基于阳极氧化技术的高绝缘、高导热、低成本的新型铝基封装基板。研究在硫酸、草酸体系下通过阳极氧化法制备氧化铝(A1203)膜,系统研究了氧化电流密度、溶液浓度、反应时间、电极间距等对氧化铝膜形貌的影响。在0.8mol/L硫酸溶液中,保持两电极间距为3.0cm,进行40min阳极氧化,当电流密度为3.5A/dm2时,制得平均孔径大小为22nm,孔密度为40个/200nm*200nm,膜厚为11μm的氧化铝膜。实验中,采用柔性电极也制得了均匀致密的氧化铝膜。氧化铝膜具有较好的绝缘性,氧化铝最高击穿电压可达2.4kV,并能提高器件的散热能力。为了提高A1203膜在LED封装中反射作用,采用电泳、丝印、提拉等方法在A1203膜表面制备Ti02膜,Ti02膜在保持基板绝缘和散热性能的情况下,提高了基板的表面反射率,有利于其在LED封装中的应用。(本文来源于《华东师范大学》期刊2015-05-22）
杨永强,段羽,陈平,赵毅[4]（2014）在《低温原子层沉积氧化铝作为有机电致发光器件的封装薄膜》一文中研究指出为了克服传统的原子层深沉积反应温度高于有机材料的玻璃化温度对有机电致发光器件性能产生破坏的缺点,使用低温原子层沉积的方法沉积了Al2O3薄膜,成功地实现了对OLED的薄膜封装。实验中为了抑制环境温度对ALD薄膜均匀性的影响,增加了每个反应周期的抽气时间,从而可以充分地排出反应副产物,抑制了空位的形成,使得薄膜具有较高的均匀性和致密性。微观形貌分析、钙测试以及寿命测试表明,通过增加ALD的PGT,低温制备的薄膜与高温制备的薄膜的均匀性差别较小,且制备过程对OLED器件的光电性能无明显影响。低温制备的薄膜水汽透过率(WVTR)可以达到8.6×10-4g/(m2·d),能够有效地提高有机电致发光器件的寿命。(本文来源于《发光学报》期刊2014年09期）
钟前刚,方亮,何建,艾超,魏文侯[5]（2010）在《阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究》一文中研究指出采用阳极氧化法制备了氧化铝薄膜铝基板,并将3种功率(1W、3W、5W)的3种颜色(红、蓝、绿)的9种LED分别封装在所制备的铝基板和深圳光恒光电公司的铝基板上,利用正向压降法测试了其结温和热阻,发现:在LED颜色和功率相同的情况下,自制阳极氧化铝基板封装的LED的结温比封装在光恒铝基板上的低2.8～19.4℃,热阻低1.8～9.0K/W,表明自制铝基板的散热性能更优。(本文来源于《半导体光电》期刊2010年06期）
朱大鹏,王立春,罗乐[6]（2007）在《多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能》一文中研究指出利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻分别达到10~9Ω和10~(11)Ω以上;多孔型氧化铝的相对介电常数和损耗分别为5.73和0.022(1 MHz);导带、互连通孔与绝缘层所形成的层间通孔互连结构共面性好,具有良好的电互连性能。多孔型氧化铝介质膜适用于制备高密度MCM—D基板。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2007年06期）
张洁[7]（2007）在《脉冲电源用氧化铝/环氧树脂封装材料的制备关键技术与性能测试》一文中研究指出本论文研究的复合封装材料以双酚A型环氧树脂EP828／E51作为基体，以氧化铝作为填充材料，有望替代纯环氧固化物作为脉冲压电电源用新型封装材料。该封装材料的应用具有强的针对性，除了应该具备传统封装材料的保护特点外，还应当与脉冲电源用压电材料在物理性能方面达到匹配。因此，本论文研究了氧化铝／环氧树脂复合材料作为脉冲电源用封装材料时合适的制备工艺与关键技术，测量了该复合封装材料的力学、电学等特性，并对叁种氧化铝填充材料影响封装性能的因素进行了综合分析。 复合封装制备采用较简单的浇铸工艺，环氧基体在加热80℃条件下加入氧化铝无机填料，再加入固化剂搅拌均匀，将混合物在0.5Torr真空条件下反复抽放气，最后灌模固化。采用无规颗粒状AF-2型氧化铝以及不常用于环氧填料的CA-15型片状氧化铝和A-P-3型片状氧化铝制作了不同封装材料，对材料综合性能测试后得出以下结论：氧化铝／环氧树脂混合物的沉降率随氧化铝含量增高而降低，片状氧化铝在环氧树脂中的分散更为均匀，且CA-15型片状氧化铝的填充效果最好，即达到高密度又实现均匀分布，这有利于提高复合材料的声阻抗以与压电电源匹配；氧化铝／环氧树脂复合材料的拉伸性能随氧化铝含量增加而提高，尤其是添加了CA-15型片状氧化铝的复合材料拉伸性能重复性高；由材料的拉伸断口的扫描电镜照片看出复合材料的韧性随氧化铝的加入而增高；氧化铝／环氧树脂复合材料的介电常数随氧化铝体积分数的增加而升高，介电损耗则随氧化铝体积含量增高有下降的趋势；氧化铝／环氧树脂复合材料的脉冲击穿强度受多种因素的影响，硅烷偶联剂的添加有利于封装材料耐压强度的升高，氧化铝体积含量从20Vol％～40Vol％的封装材料均能满足本课题在脉冲击穿场强方面的要求。 综合对比了添加不同氧化铝的复合材料的综合性能，最后总结出添加体积分数为35％～40％CA-15型片状氧化铝的环氧复合材料最适合作为这种脉冲压电电源的封装材料。(本文来源于《西北工业大学》期刊2007-04-01）
梁军[8]（2007）在《黑色氧化铝陶瓷封装材料及迭层工艺研究》一文中研究指出概述了电子封装技术和封装材料的发展情况,阐述了黑色Al2O3陶瓷在封装材料中的地位及其应用背景。黑色Al2O3陶瓷作为特种陶瓷封装材料,其密度较一般的金属封装材料小而气密性较塑料封装材料好,在要求电子封装具有高可靠性、气密性及耐热冲击性能的场合,黑色Al2O3陶瓷具有其他种类封装材料不可替代的优点,瓷体呈黑色满足了某些电子产品避光性的要求。和其他陶瓷封装材料相比,黑色Al2O3陶瓷加工技术成熟,制作成本低,具有很大的实用价值。采用超细α-Al2O3、SiO2粉体及适量的过渡金属氧化物如Co2O3、Cr2O3、V2O5、MnO2与TiO2,用固相反应法在1350℃空气中烧结得到了致密的黑色Al2O3陶瓷。研究了多种掺杂剂在黑色Al2O3陶瓷中的作用,对黑色Al2O3陶瓷进行掺杂改性使其使用性能得到优化。结果表明:在黑色Al2O3陶瓷中,SiO2是一种较好的掺杂剂,它不仅可以降低烧结温度,使陶瓷晶粒细小均匀,同时还可以改善材料的电气性能,使之满足用作晶体振荡器件、光电器件及集成电路器件等的基板及避光封装外壳的要求。当w(SiO2)/%=1.5%时,烧结瓷片的密度为3.78 g/cm3,气孔率为0.12%,绝缘电阻率为2.5×1010 ?·cm,在频率为10 kHz时,测得的相对介电常数εr=13.68,介电损耗tgδ=0.0226。在SiO2掺杂的基础上,进一步采用适量的B2O3作助熔剂掺杂,将黑色Al2O3陶瓷的烧成温度降低到1320℃,且B2O3对黑色Al2O3陶瓷作为电子封装材料的使用性能没有造成很大负面影响。当w(B2O3)/%=2%时,烧结瓷片的密度为3.77 g/cm3,气孔率为0.17%,在频率为10 kHz时,测得相对介电常数εr=12.05,介电损耗tgδ=0.0142。CuO具有很强的助熔效果,用CuO掺杂也得到了黑色Al2O3陶瓷,但Cu2+的呈色不太稳定且CuO掺杂对黑色Al2O3陶瓷的电气性能不利。此外,本文对多层陶瓷共烧工艺进行了研究,用流延法制得陶瓷生片,进行机械钻孔,用金属W粉制作导电浆料,金属化布线用厚膜印刷法,金属化后的陶瓷生片四片对准迭层,热压结合,在N2保护的气氛炉中烧结,得到多层陶瓷共烧基板。(本文来源于《华中科技大学》期刊2007-01-01）
RalphRaiola[9]（2002）在《集强度和高导电率于一身的氧化铝/铜封装》一文中研究指出日本陶瓷半导体元件制造商京瓷公司（Kyocera）开发出了一种程序模制（RoutingPattern）的多层封装技术,该技术把铜的低电阻和高频性能与氧化铝陶瓷良好的强度和散热特性结合在了一起。开发这一技术的目的在于满足电子工业对能够支持人们对于体积更小、厚度更薄、效率更高和运算更快的元件的需求及封装解决方案的渴望。(本文来源于《今日电子》期刊2002年10期）
杜晓松,杨邦朝,周鸿仁[10]（2001）在《采用氧化铝封装的薄膜式锰铜传感器》一文中研究指出采用薄膜工艺,实现了锰铜压阻元件在氧化铝绝缘体中的无胶封装。锰铜计以“后置式”方式工作。初步试验表明,这种结构的锰铜计可突破常规锰钢计约50GPa的高压测试上限,并且具有极快的响应。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
氧化铝封装论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种新型基于阳极氧化铝基板的板载芯片(Chip on Board)封装技术。在5 wt.%,30℃的草酸电解液中采用60 V直流电压,制备了0.1 mm厚度的阳极氧化铝基板圆片,铝导线最小线宽、电阻及导线间绝缘电阻分别为35μm、小于1Ω/cm与大于1×1010Ω。在超薄阳极氧化铝基板圆片进行了双层Flash裸芯片堆迭及金丝引线键合,实现了圆片级COB封装,成品率高于93%。最后,将COB单元进行叁维堆迭封装,制备了32 Gb Flash模组。因此基于阳极氧化铝基板的板载芯片封装技术具有较大的应用前景。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化铝封装论文参考文献
[1].朱海涛,傅仁利,费盟,王彩霞,季磊.铝/氧化铝复合基板封装的LED光源的光热特性[J].光学学报.2017
[2].刘米丰,吴伟伟,任卫朋,王立春.基于阳极氧化铝基板的圆片级板载芯片封装技术（英文）[J].传感技术学报.2016
[3].茅艳婷.阳极氧化法制备覆氧化铝膜铝基板及其在LED封装中的应用研究[D].华东师范大学.2015
[4].杨永强,段羽,陈平,赵毅.低温原子层沉积氧化铝作为有机电致发光器件的封装薄膜[J].发光学报.2014
[5].钟前刚,方亮,何建,艾超,魏文侯.阳极氧化铝基板封装LED的结温与热阻的研究[J].半导体光电.2010
[6].朱大鹏,王立春,罗乐.多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能[J].功能材料与器件学报.2007
[7].张洁.脉冲电源用氧化铝/环氧树脂封装材料的制备关键技术与性能测试[D].西北工业大学.2007
[8].梁军.黑色氧化铝陶瓷封装材料及迭层工艺研究[D].华中科技大学.2007
[9].RalphRaiola.集强度和高导电率于一身的氧化铝/铜封装[J].今日电子.2002
[10].杜晓松,杨邦朝,周鸿仁.采用氧化铝封装的薄膜式锰铜传感器[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001
论文知识图
