导读:本文包含了极化电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电阻,密度,混凝土,水灰比,格林,微结构,结构。
极化电阻论文文献综述
朱湘琴,陈再高,吴伟,马良,程引会[1]（2019）在《离散电阻加载的大型垂直极化EMP辐射波模拟器的并行FDTD模拟》一文中研究指出将电阻设置为跨网格有耗介质,进行离散电阻加载的大型垂直极化电磁脉冲(EMP)辐射波模拟器时域场的并行FDTD模拟.给出不同离散电阻加载方式下模拟器辐射场的时域波形,分析离散电阻加载对模拟器辐射场的影响,并给出离散电阻加载的模拟器有圆筒效应物时的时域波形.结果表明:电阻加载能有效减小模拟器顶端的电流反射,从而改善辐射场的时域波形,但电阻加载也可能会导致模拟器辐射性能的降低;当效应物开孔所在的侧面靠近模拟器且与模拟器极化方向平行时耦合进入圆筒内的电磁波能量较多.计算方法具有通用性,可用于进行离散电阻加载的其它大型垂直极化EMP辐射波模拟器时域场的模拟,包括导电地面存在且有效应物存在时的时域耦合场的模拟.(本文来源于《计算物理》期刊2019年03期）
廖远锦[2]（2017）在《极化机内装电阻对压电陶瓷性能的影响》一文中研究指出生产压电陶瓷的关键工序是极化工序,陶瓷体经过极化后,才有压电效应。本次试验是为了深入了解极化机电阻阻值大小对压电陶瓷体参数的影响。我们通过多次的试验,掌握了当电阻阻值大时,极化后陶瓷体参数就降低;当电阻阻值小时,极化后陶瓷体参数反而升高;电阻阻值过大,会烧坏电阻;电阻阻值过小,陶瓷体又会被击穿。(本文来源于《佛山陶瓷》期刊2017年12期）
韩瑞龙[3]（2017）在《极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究》一文中研究指出AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)具有很多优秀的性能特性,例如高击穿场强、高输出功率、高饱和电子漂移速度。此外,AlGaN/GaN异质结材料的自发和压电极化效应使其在不掺杂的情况下,仍可产生密度高达1013cm-2的二维电子气,因此在高频、大功率集成电路中的应用十分广泛。随着新器件结构和新器件工艺的运用,AlGaN/GaN HEMTs器件性能越来越接近氮化镓材料物理特性的极限。随着对器件内部等效电路研究逐渐深入,最近研究人员发现器件非本征参数寄生电阻严重影响器件的高频性能和可靠性。其中器件在大信号下的截止振荡频率fT和非本征跨导gm,严重受制于寄生电阻,制约着器件在噪声容限、开态电阻和传输延时时间等指标上的进一步优化。为了解寄生电阻的产生原因和作用机制,本文对沟道二维电子气电子在沟道中输运所受的主要散射作用进行讨论,其中包括极化库仑场(PCF)散射、极化光学声子散射、界面粗糙度散射和压电散射,并重点就PCF散射进行研究。PCF散射与栅源偏压、源漏偏压和栅面积均相关,导致栅源和栅漏寄生电阻RS和RD也与栅源偏压、源漏偏压和栅面积相关,从而对应电流-电压(I-V)输出特性曲线的线性区和饱和区R和RD也不同。本论文分别研究了 AlGaN/GaN HEMTs器件线性区寄生电阻RS和饱和区寄生电阻RS与RD,研究了线性区RS与栅长和正向栅源偏压的关联关系,并研究得到了饱和区确定RS和RD的方法。我们制备出不同栅面积、不同栅源间距的AlGaN/GaN HEMTs,在不同外加栅源偏压条件下测量出寄生电阻,并对器件沟道内各种散射机制展开分析。最后,经过散射理论模型计算的寄生电阻数值与实验测试值的较好拟合证实了 PCF散射是Rs的重要影响因素,AlGaN/GaN HEMTs的寄生电阻与栅源偏压、源漏偏压和栅面积密切相关。具体包括以下内容:1.极化库仑场散射对器件线性区栅源沟道寄生电阻Rs的影响器件工艺之后,器件正常欧姆接触退火工艺和栅极外加偏压会改变AlGaN/GaN异质界面处的极化电荷均匀分布状态,导致附加极化电荷的产生,引起PCF散射。经TLM法测试,我们发现相同衬底上不同测试区域的器件欧姆接触存在差异,表明同一片衬底上制作的欧姆接触并不完全一致。欧姆接触的质量差异会干扰我们对器件在外加偏压时栅下AlGaN势垒层区域处由于逆压电效应产生的附加极化电荷的研究。为了减小欧姆接触质量差异的影响,我们设计了共用源极欧姆接触的电子器件。由于同个台面上的左右两个栅极接触共用同一个源极欧姆接触,从而消除了不同欧姆接触质量差异的影响,由此可准确研究栅面积和栅源偏压对RS的影响。在欧姆接触下方区域,金属原子扩散作用减弱了AlGaN势垒层的压电极化强度,并且欧姆接触下方的附加极化电荷△σ1是一个与栅源偏压无关的负值。在VGS>0的情况下,栅下区域引入的随栅源偏压变化且为正值的△σ3和欧姆区域引入的不变且为负值的△σ1共同决定PCF散射势。当VGS增大,数值为正且增大的△σ3逐渐抵消数值为负且不变的Aσ1,最终Aσ3成为PCF散射势的主导因素。对于同个样品内共用同一源极欧姆接触的两个AlGaN/GaN HEMTs器件,使用栅探针法测量RS时保持VGS在同一变化范围以保证各器件中的栅下区域的△σ3相等。栅源间距相同,对于更大栅面积的器件栅下附加极化电荷总量更大,增强了 PCF散射势的强度进而导致RS的增大。栅面积相同,器件栅下附加极化电荷总量相同,然而更大栅源间距的器件附加散射势作用区域增大,降低了散射的强度,所以RS随VGS变化幅度减小。最后,使用PCF散射理论模型,我们计算了各尺寸器件不同偏压下的寄生电阻RS,并与器件寄生电阻的测试值进行对比,较好的拟合效果证实了用PCF散射理论解释RS形成机制的合理性,也明确表明AlGaN/GaN HEMTs器件线性区RS与栅源偏压和栅面积密切相关。2.极化库仑场散射对长栅长器件饱和区寄生电阻的影响PCF散射是影响AlGaN/GaN HEMTs器件性能的重要散射机制。然而对于长栅长器件,对不同静态偏置状态下的饱和区寄生沟道电阻的研究并没有考虑PCF散射的影响。由此,考虑PCF散射,并得到AlGaN/GaN HEMTs器件饱和区寄生电阻对提升器件特性至关重要。与深亚微米栅长器件不同,长栅长器件中源漏之间的电场不能使沟道载流子达到饱和漂移速度。因此,短栅长器件栅下的线性电势分布并不适用于长栅长器件。长栅长器件的沟道电势分布情况需要进一步研究。其一,在I-V输出特性曲线中选取VGS=-3V-0V,VDS=8V的静态偏置点,并使用改进的栅探针法测得器件的RS和RD。其二,根据宽禁带半导体在制备肖特基栅极下的电荷控制模型,饱和区(VDS= 8V)时的栅下沟道电势分布被分为两个部分。缓变沟道近似沟道区域Ⅰ和夹断沟道区域Ⅱ分别对应栅下电势从VC(0)变到Vknee和从Vknee变到VC(L)的区域。VC(0)和VC(L)分别是源、漏测栅极边缘处的沟道电势,Vknee近似认为是沟道恰好夹断的沟道电势。然后,使用PCF散射理论分析和确定AlGaN/GaN HEMTs器件沟道各处的附加极化电荷△σ的分布及其决定的附加散射势。最后,综合考虑极化光学声子散射、界面粗糙度散射、压电散射和极化库仑场散射在内的各种散射机制,模拟计算出不同偏置状态下的RS和RD。理论计算结果和测试得到的RS和RD呈现较好的一致性,证明了理论计算的准确性。对于样品3中的器件,欧姆接触下方区域的附加极化电荷△σ1是一个与栅源偏压无关的负值。各偏置状态下的VGS为负值,因此栅下区域附加极化电荷△σ3为负值。取值为负值的△σ1和△σ3共同确定了 PCF附加散射势。各测试点的栅源偏压变化范围是-3V到0V,逐渐减小的△σ3和固定不变的△σ1减弱了 PCF散射势的强度,导致RS和RD的减小。另外,对于其他几种散射机制,非栅极沟道区域内电子温度Te和二维电子气密度n2D决定了它们的散射强度。由于样品3中器件的电流较小不足以导致载流子明显的热声子效应和自热效应。常温条件下,栅源和栅漏之间的沟道处的n2D在不同栅源偏压VGS下为固定值。因此,各不同静态偏置状态下RS和RD的差异只能归因于PCF散射势的差异。这些研究结果证实由于PCF散射,AlGaN/GaN HEMTs器件寄生电阻RS和RD与栅源和源漏偏压相关;研究得到的确定AlGaN/GaN HEMTs器件饱和区寄生电阻RS和RD的方法是正确可行的方法。(本文来源于《山东大学》期刊2017-05-25）
李杨[4]（2016）在《密度泛函理论和非平衡格林函数方法对Co基Heusler合金磁电阻结界面特征及电子自旋极化输运的研究》一文中研究指出基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算因其自身优势和特点,在原子分子尺度理论模拟中具有较高的可靠性和运行效率并能保持良好的精度,成为理论工作者研究微观粒子运动规律及预测宏观物理性质的有力工具。借助这个数学工具不仅能够有效降低研究成本,还有助于理解原子分子水平上的某些微观机理。由于描述电子传播行为的非平衡格林函数(NEGF)能够将电子散射与传播有机联系起来,且在不求解波函数的情况下可直接计算体系的输运性质,因此NEGF方法成为处理非平衡条件下电子散射及输运问题的常用手段。结合DFT与NEGF这两大数学工具可对物理学上的巨磁电阻现象开展相应理论研究。利用电子自旋属性的新型自旋电子学器件,例如各种巨磁电阻／隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻／隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等,与仅利用了电子的电荷属性的传统微电子学器件相比,因能耗更低、存储能力更强而备受关注。作为半金属材料家族中的重要成员,Co基Heusler合金因具有高自旋极化率、高居里温度等特点而被视为具有潜力的磁电阻结电极材料。然而,在实际中Co基Heusler合金磁电阻结器件表现出来的性能并不太理想。为弄清实测值与理论期望存在较大差距的原因,借助上面所提到的两大数学工具(即DFT和NEGF方法),开展了对典型的Co基Heusler合金磁电阻结异质界面特征及自旋极化输运的基础研究,力图从理论上探究问题根源所在,并为发展高性能磁电阻结材料提供可靠的解决方案。具体来说,本文的主要内容安排为以下几个部分：一、作为磁电阻重要组成部分之一的电极材料,应当具备结构稳定性和热动力学稳定性等基本特征。尤其是当其处于较高退火温度的环境下时,是否能够保持高度有序的相结构,关系到还能否发挥出优良的半金属特性。基于密度泛函理论,采用第一性原理计算和准谐德拜模型方法对四种典型的Co基Heusler化合物Co2YZ (Y=Sc, Cr; Z=Al, Ga)(空间群表示为Fm-3m)的电子结构、弹性及热力学性质进行了系统的研究。结果表明：对于Co2CrAl和Co2CrGa而言,尽管具备良好的半金属特性,而且在高压环境下两者的自旋极化率还有所提升,但其晶格动力学稳定性较差,导致了两者应用价值不大；而对Co2ScAl和Co2ScGa来说,虽然均符合结构稳定性和晶格动力学稳定性等基本判据,但却并不具备典型的半金属特性,进而证实Co2ScZ也不适合作为电极材料来使用。二、在已知同时具备相稳定性和典型半金属性的前提条件下,选取了Co基Heusler合金Co2MnAl(空间群表示为Fm-3m)作为电极材料来考察其器件潜质。由于实际制备环境中Co2MnAl的B2无序结构跟L21有序结构的形成能相差很小,且相应的块体(Bulk)自旋极化率反而更高,为此将B2无序下的情况作为重点来研究。借助非平衡格林函数方法,通过对L21有序和B2无序两种情况下磁电阻值的计算发现Co2MnAl/Ag/Co2MnAl磁电阻结在无序情况下能够获得更为优良的输运性能(中间层材料Ag的空间群表示为Fm-3m)。在此基础上,结合对电子结构及磁性的分析,可以认为在制备过程中具备单一B2无序相结构的Co2MnAl基Co2MnAl/Ag/Co2MnAl叁层膜磁电阻结具有较大的使用价值和应用前景。叁、基于密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,考虑了另一种常见的具有高自旋极化率、高居里温度且高温下结构稳定的Co基Heusler合金材料——Co2MnSi(空间群表示为Fm-3m)及其叁明治结构器件。对实验上研究得较为成熟的Co2MnSi/Ag/Co2MnSi叁层膜器件来说,虽然实验方法和手段在不断地改进,但是实际上磁电阻测量值仍然不是十分理想。在本论文中,设计和模拟了有限厚度的Co基Heusler合金Co2MnSi为电极材料的Co2MnSi/Ag/Co2MnSi叁层膜结构,计算和分析了Ag/Co2MnSi异质界面附近的界面特征对每一原子层电子结构的影响。随后,在研究中引入了界面无序的概念以最大程度模拟可能的真实情况,发现在高温退火环境下最有可能发生的无序情况是界面DO3类型的原子无序(即界面第一层L1的Mn原子与第二层L2的Co原子发生交换无序)。进一步的磁输运研究发现,上述DO3类型界面处原子无序排布,结合异质界面本身所构成的综合效应,将会对Co2MnSi/Ag/Co2MnSi叁层膜器件的自旋极化输运性能带来致命性破坏作用。四、采用密度泛函理论计算并依赖非平衡格林函数方法,进一步总结了Co基Heusler合金Co2YZ材料(Y=Sc,Ti,V, Cr, Mn,Fe;Z=Al,Si,Ge)(空间群表示为Fm-3m)与一种具有代表性的纯金属——铝(A1)(空间群表示为Fm-3m)的能带结构匹配情况,建立了该匹配度与对应Co2YZ/Al/Co2YZ叁层膜器件磁输运系数之间的关联。结果表明,Co基Heusler合金Co2YZ在费米面附近的能带特征(包括穿过费米面能带的形状,Co2YZ和Al在费米面交点之间的距离d=｜P0-Qi｜,以及横跨费米面能带中能量的绝对最大值|Emax｜),将直接影响着对应Co2YZ/Al/Co2YZ叁层膜器件磁输运系数值的大小。(本文来源于《西南大学》期刊2016-04-01）
朱永丹,裴玲,李美亚[5]（2015）在《Nd_(0.05)Bi_(0.95)FeO_3极化诱导La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/Nb:SrTiO_3异质结薄膜电阻变换效应》一文中研究指出采用脉冲激光沉积等方法在Nb:Sr Ti O3衬底上分别制备了Nd0.05Bi0.95Fe O3,La0.7Sr0.3Mn O3,[Nd0.05Bi0.95Fe O3/La0.7Sr0.3Mn O3]异质结薄膜,并研究了异质结薄膜的电阻变换效应.研究显示:[Nd0.05Bi0.95Fe O3/La0.7Sr0.3Mn O3]双层结构的异质结薄膜电阻变换性能优于单层Nd0.05Bi0.95Fe O3,La0.7Sr0.3Mn O3异质结薄膜,电阻变换比值超过100,电阻状态连续可调,电阻翻转电压仅需要2 V左右,且具有较好的阻态保持性.研究揭示出[Nd0.05Bi0.95Fe O3]铁电场效应诱导La0.7Sr0.3Mn O3/Nb:Sr Ti O3的界面耗尽层宽度的变化为电阻变换增强的原因.(本文来源于《武汉大学学报(理学版)》期刊2015年02期）
宋凯[6]（2015）在《电机的绝缘电阻测量和极化指数试验》一文中研究指出绝缘诊断测试包括绝缘电阻测量和极化指数测试,是保持电机使用寿命的主要手段,本文对测试设备选择,测试的步骤和测试结果分析等进行了详细的说明。(本文来源于《安装》期刊2015年01期）
宋书祥,王云龙,夏长荣[7]（2014）在《电解质表面微结构对固体氧化物燃料电池的阴极极化电阻的影响》一文中研究指出在固体氧化物燃料电池(SOFC)中,电解质对阴极界面极化电阻(Rc)有着显着影响。通过测量以Sm0.2Ce0.8O2-δ(SDC)为电解质、(La0.85Sr0.15)0.9Mn O3-δ(LSM)和La0.6Sr0.4Fe0.8Co0.2O3-δ(LSCF)为阴极的对称电池的交流阻抗谱,研究SDC电解质表面微结构(晶粒大小和晶界长度)对Rc的影响。通过改变烧结温度和时间,制备出具有不同晶粒尺寸和晶界密度的电解质。通过SEM得到微结构参数,建立Rc与这些参数的联系。结果发现,随着晶粒尺寸的减小、晶界密度的增加,Rc明显降低。此外,对于LSM电极,晶界密度的增加,促进了阴极反应的氧离子传导。(本文来源于《无机材料学报》期刊2014年12期）
骆琳,A,ADRIAENS,A,ELIA,G,DE,SCHUTTER[8]（2014）在《模拟水泥孔溶液环境下钢筋阻锈剂对极化电阻常数的影响(英文)》一文中研究指出混凝土结构中的钢筋锈蚀问题是世界范围内影响混凝土耐久性的一个主要问题。一些非损伤性的试验方法不断用以监控和判断混凝土内的钢筋锈蚀状况。极化方法已经成为实验室和实地检测中广泛采用的一种监控锈蚀率的方法。然而,当混凝土中添加了钢筋阻锈剂后,极化测量的表达和该实验方法的适用性会相应出现一些变化。本工作旨在测量钢筋阻锈剂对模拟混凝土孔隙液环境中碳钢极化电阻常数的变化影响。结果表明,钢筋阻锈剂会改变极化电阻常数,因此在测量添加有钢筋阻锈剂的混凝土钢筋锈蚀率时,建议先测定极化电阻常数。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2014年05期）
张鹤,赵炜璇,巴恒静[9]（2012）在《水灰比和矿物掺合料对混凝土结构中钢筋极化电阻的影响》一文中研究指出采用加速渗透试验方法和埋入式自制CB型氯离子传感器和MB型参比电极研究了水灰比和矿物掺合料组合对6组混凝土结构中钢筋极化电阻Rp的影响。研究表明:当水灰比为0.35时,混凝土在25 h内可保持较高的极化电阻钢筋,钢筋严重锈蚀要60 h,而水灰比为0.40和0.45混凝土中的钢筋极化电阻则持续下降,特别是对于水灰比较高的混凝土试件,氯离子渗透时间超过18 h后,钢筋已严重锈蚀。矿物掺合料有助于减缓钢筋的锈蚀,且复掺粉煤灰和硅灰效果最佳,复掺粉煤灰和矿渣次之;且掺有矿物掺合料混凝土试件中钢筋极化电阻都大于未掺矿物掺合料混凝土试件。当钢筋极化电阻下降至2.7×105Ω.cm2时,继续加速,钢筋极化电阻Rp值会突然下降,钢筋开始锈蚀,钢筋钝化膜发生了破坏,结论认为钢筋极化电阻Rp值为2.7×105Ω.cm2是钢筋在混凝土中钝化膜破坏的临界点。(本文来源于《混凝土》期刊2012年08期）
赵伟[10]（2011）在《石墨烯共振隧穿结构中的自旋极化与磁电阻特性研究》一文中研究指出本论文研究了铁磁体—石墨烯双垒(阱)—铁磁体(FG/IG/G/IG/FG)共振隧穿结构,并用传递矩阵方法研究了相对论电子的自旋极化输运和隧道磁电阻(TMR)。主要结论如下:利用传递矩阵方法推导出通过FG/IG/G/IG/FG结构与自旋相关的透射系数及电导,在条件一定的情况下,垒高(阱深)以及电子入射角都对自旋极化有着明显的影响。首先,在双势垒结构中,自旋向上电子态和自旋向下电子态都表明了各向异性的克莱因隧穿效应。在接近垂直入射角时,这种势垒都能保持非常好的透射性,自旋极化被完全抑制。相对于自旋向下电子态,自旋向上电子态的透射系数比自旋向下电子态的更复杂并包含更多的共振峰。在这种结构中,随着垒间距的增加,透射系数曲线出现了更多的共振峰。其次,在双阱结构中有些特征与双垒模型是类似的。主要区别在于,自旋向下电子的完全透射只发生在垂直入射附近,自旋向上电子的共振峰出现在入射角较大时以及垂直入射时。再次,在双势垒结构中,随着静电势垒的增加,电导显示出振荡特性。当费米能足够大,两个铁磁电极的磁化方向平行和反平行时,电导的区别变小。最后,在双阱结构中,随着阱间距的增加,电导振荡的振幅变小。与双垒模型相比,由于共振隧穿特性,电导的数值较大。(本文来源于《河北师范大学》期刊2011-12-06）
极化电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
生产压电陶瓷的关键工序是极化工序,陶瓷体经过极化后,才有压电效应。本次试验是为了深入了解极化机电阻阻值大小对压电陶瓷体参数的影响。我们通过多次的试验,掌握了当电阻阻值大时,极化后陶瓷体参数就降低;当电阻阻值小时,极化后陶瓷体参数反而升高;电阻阻值过大,会烧坏电阻;电阻阻值过小,陶瓷体又会被击穿。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
极化电阻论文参考文献
[1].朱湘琴,陈再高,吴伟,马良,程引会.离散电阻加载的大型垂直极化EMP辐射波模拟器的并行FDTD模拟[J].计算物理.2019
[2].廖远锦.极化机内装电阻对压电陶瓷性能的影响[J].佛山陶瓷.2017
[3].韩瑞龙.极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源和栅漏寄生电阻的影响研究[D].山东大学.2017
[4].李杨.密度泛函理论和非平衡格林函数方法对Co基Heusler合金磁电阻结界面特征及电子自旋极化输运的研究[D].西南大学.2016
[5].朱永丹,裴玲,李美亚.Nd_(0.05)Bi_(0.95)FeO_3极化诱导La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/Nb:SrTiO_3异质结薄膜电阻变换效应[J].武汉大学学报(理学版).2015
[6].宋凯.电机的绝缘电阻测量和极化指数试验[J].安装.2015
[7].宋书祥,王云龙,夏长荣.电解质表面微结构对固体氧化物燃料电池的阴极极化电阻的影响[J].无机材料学报.2014
[8].骆琳,A,ADRIAENS,A,ELIA,G,DE,SCHUTTER.模拟水泥孔溶液环境下钢筋阻锈剂对极化电阻常数的影响(英文)[J].硅酸盐学报.2014
[9].张鹤,赵炜璇,巴恒静.水灰比和矿物掺合料对混凝土结构中钢筋极化电阻的影响[J].混凝土.2012
[10].赵伟.石墨烯共振隧穿结构中的自旋极化与磁电阻特性研究[D].河北师范大学.2011
论文知识图
![薄膜的磁电阻[93]](http://image.cnki.net/GetImage.ashx?id=1013202905.nh0014&suffix=.jpg)
