氮化硅论文_吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺

导读:本文包含了氮化硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:氮化硅,磨削,陶瓷,光学,温度,性能,阈值。

氮化硅论文文献综述

吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺[1](2019)在《氮化硅陶瓷磨削热特性与表面成形机制》一文中研究指出目的探究氮化硅陶瓷磨削热特性与热特性对表面成形的影响。方法首先,通过反求法得出传入工件、磨屑与砂轮的热量分配比公式;其次,使用K型热电偶和测力仪得到磨削参数与磨削区温度和热量分配比的关系;最后,通过对磨削表面形貌和粗糙度的检测寻找出最优磨削质量时的温度范围。结果砂轮线速度由25 m/s增加到50 m/s时,磨削温度由256℃增加到819℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由82.4%减小到64.4%、12.1%增加到24.3%、5.5%增加到11.3%。磨削深度由5μm增加至30μm时,磨削温度由289℃增加到869℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由76.1%减小到53.9%、17.3%增加到30.3%、6.6%增加到15.8%。工件进给速度由2000 mm/min增加到7000 mm/min时,磨削温度由772℃减小到513℃,传入砂轮、工件与磨屑的热量分配比分别由71.1%增加到78.3%、21.1%减小到11.7%、5.8%增大至10.1%。随着磨削温度由256℃增加到869℃时,表面粗糙度先由0.2708μm减小到0.2472μm,后增加至0.3182μm。采用定速比磨削可使磨削温度降低25~127℃,减少传入工件的热量分配比。结论适当的高温有利于表面塑性变形的形成,表面质量提高,但温度过高时会形成热裂纹,温度在489~662℃之间,表面质量最好。在提高砂轮线速度的同时,可适当增加进给速度,以达到降低磨削温度,减少传入工件热量与增加磨削效率的目的。(本文来源于《表面技术》期刊2019年12期)

蔡鹏程,李霜,蔡红星,谭勇,石晶[2](2019)在《脉冲激光辐照氮化硅陶瓷损伤阈值的光谱测量》一文中研究指出氮化硅陶瓷具有耐高温、耐腐蚀和耐磨损等优异性能,可应用于金属材料和高分子材料难以胜任的极端工作环境。但具备这些优良特性的同时也给其加工带来了不便,传统的磨削加工方法效率低,设备损耗严重,激光辅助加工为其提供了一种新途径。将等离子体光谱法和显微成像法相结合,对脉冲激光辐照氮化硅陶瓷的损伤阈值进行了测量,并分析了损伤机理。实验选用热压烧结氮化硅陶瓷为靶材,参考ISO21254国际损伤阈值测试标准搭建试验系统,采用1-on-1法利用Nd~(3+)∶YAG固体脉冲激光分别在纳秒和微秒脉宽下辐照氮化硅陶瓷,两种脉宽分别选取10个能量密度梯度进行激光辐照,每个能量密度辐照10个点。利用光纤光谱仪采集光谱信息,利用金相显微镜获取显微图像信息,将光谱结果与显微成像结果对比分析,发现纳秒脉宽下材料一旦损伤光谱上就会出现等离子体峰,通过分析光谱中等离子体峰,元素指认是否含有材料中特征元素即可判断损伤,为了区别空气电离击穿同时测量了空气等离子体光谱对比分析剔除干扰。微秒脉宽下显微图像观察到刚开始损伤时,光谱中只出现较强热辐射谱线并未出现等离子体谱线,进一步增加激光能量密度,光谱中会出现少量等离子体峰,因此不能直接以等离子体峰判断材料损伤阈值。利用金相显微镜观察损伤形貌,纳秒脉宽下在损伤区域内部观察到明显的烧蚀冲击状损伤,光谱呈现出大量等离子体谱线,说明纳秒激光辐照氮化硅损伤机制主要为等离子体冲击波引起的力学损伤效应。微秒脉宽在辐照区域边缘发现热烧蚀痕迹,损伤区内观察到大量熔融物,出现明显热辐射光谱,说明微秒激光辐照氮化硅损伤机制主要是由于长脉宽热积累引起的热损伤效应,随着能量密度增加热辐射谱上迭加有等离子体峰,等离子体峰值强度与损伤程度一致。利用零几率损伤阈值法对两种方法测得结果进行了拟合,分析发现等离子体光谱法更适用于纳秒脉宽下损伤阈值测量,得到结果为0.256 J·cm~(-2);显微成像法适用于微秒脉宽下损伤阈值测量,得到结果为6.84 J·cm~(-2)。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2019年11期)

袁寿财,韩建强,荣垂才,武华,李梦超[3](2019)在《IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究》一文中研究指出硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.(本文来源于《赣南师范大学学报》期刊2019年06期)

付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英[4](2019)在《ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索》一文中研究指出制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年10期)

王允,崔东坡,孟红涛[5](2019)在《成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖性能的影响》一文中研究指出氮化硅结合碳化硅砖的生产广泛地采用反应烧结法,即单质硅粉和碳化硅混合后在氮气气氛下烧结生产氮化硅,在生产过程中,成型体积密度对氮化反应和氮化后的砖性能指标有着重要的影响。本文主要研究了成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖的物理性能、化学成分以及抗电解质侵蚀性能的影响。结果表明:试样物理性能和抗电解质侵蚀性能随体积密度的增加而升高,而试样中氮化硅含量则呈现下降趋势。(本文来源于《耐火与石灰》期刊2019年05期)

李连洲[6](2019)在《对含有Al_2O_3和Y_2O_3的氮化硅结构陶瓷材料弹性性能的研究》一文中研究指出对氮化硅结构陶瓷的弹性性能进行了研究,该种陶瓷是利用冷等静压法和自由烧结法制造而成的。测定了陶瓷的弹性性能,诸如:剪切模量、泊松比、杨氏模量和压痕模量等。研究结果表明:采用冷等静压法和自由烧结法制成的含有Al_2O_3和Y_2O_3的氮化硅结构陶瓷材料在汽车和发动机制造业以及在其它的工业应用领域都具有广阔的前景。(本文来源于《耐火与石灰》期刊2019年05期)

豆高雅[7](2019)在《自增韧氮化硅陶瓷的制备与性能研究》一文中研究指出氮化硅陶瓷具有优异的物理机械性能和化学性能,被广泛应用于高温、化工、冶金、航空航天等领域。在结构陶瓷中氮化硅陶瓷虽具有相对较高的断裂韧性,但为了进一步拓宽氮化硅陶瓷的运用领域和提高其使用可靠性,改善其断裂韧性一直是该材料研究的重要课题。笔者通过利用氮化硅陶瓷的自增韧技术,使用复合烧结助剂和在氮化硅基体中添加长柱状β-Si_3N_4晶种,制备高断裂韧性的氮化硅陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、阿基米德法、叁点抗弯曲强度、单边切口梁法等测试方法对陶瓷的组成、显微结构、显气孔率以及抗弯强度和断裂韧性等进行了分析与表征。首先研究了无压烧结制备氮化硅陶瓷过程中,烧结助剂(Y_2O_3和Al_2O_3)对其烧结性能和力学性能的影响,当Y_2O_3含量为8wt%,Al_2O_3含量为4wt%时,氮化硅陶瓷的相对密度达95%以上,抗弯强度为674 MPa,断裂韧性为6.34 MPa·m~(1/2)。再通过引入La_2O_3提高氮化硅晶粒的长径比,使氮化硅陶瓷的抗弯强度和断裂韧性达到686 MPa和7.42 MPa·m~(1/2)。笔者通过无压烧结工艺,在1 750℃制备了长柱状的β-Si_3N_4晶种,晶种的平均长度为2.82μm,平均粒径为0.6μm,平均长径比为4.7,着重研究了晶种对氮化硅陶瓷烧结性能和力学性能的影响。氮化硅陶瓷中加入晶种后,其烧结性能和抗弯强度略有降低,但断裂韧性得到了很大的提高;且随着晶种添加量的增加,断裂韧性先升高再降低,掺杂量为2wt%时,断裂韧性达到最大(7.68 MPa·m~(1/2)),提高了20%以上。(本文来源于《陶瓷》期刊2019年09期)

吴玉厚,王浩,李颂华,王贺,孙健[8](2019)在《氮化硅陶瓷磨削温度特性与表面质量研究》一文中研究指出为研究氮化硅陶瓷的磨削温度特性与温度特性对加工后表面质量的影响。运用ABAQUS有限元软件建立单颗金刚石磨粒磨削陶瓷模型,在仿真的基础上进行磨削陶瓷的对比实验,探究干湿磨两种情况下磨削温度场、磨削力以及表面质量叁者的关系。仿真与实验得出:在干/湿磨不同情况下磨削力与磨削温度随接触时间的变化趋势一致;干/湿磨时的磨削表面下温度变化幅度有所不同;干磨后的表面粗糙度值比湿磨小、表面形貌比湿磨好。结论为磨削力是影响磨削区温度变化的主要因素;随着磨削表面下深度的增加,湿磨下的磨削温度变化幅度大于干磨,且温度变化幅度对其加工后表面特性与裂纹的产生有所影响;在小切深缓进给时干磨条件下的表面粗糙度与微观形貌要优于湿磨条件下。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2019年09期)

靳惠怡[9](2019)在《新面貌 新活力——国内最大规模年产100吨高性能氮化硅陶瓷生产线一期工程投产》一文中研究指出大幕拉起展新颜近日,国内最大规模年产100吨高性能氮化硅陶瓷生产线的一期工程(年产50吨)建设完成并实现投产。与22个月前热闹非凡的开工仪式不同,这次没有投产仪式和大肆宣传,这也算是回归了项目建设方——中材高新氮化物陶瓷有限公司(简称氮化物公司)一直以来的低调作风。氮化物公司隶属于中央企业中国建材集团所属的中(本文来源于《中国建材》期刊2019年09期)

冉纲林,顾昌林,仲路铭,张福领,武腾飞[10](2019)在《垂直耦合悬空型氮化硅微盘光学传感器》一文中研究指出提出了一种垂直耦合型悬空氮化硅微盘谐振型传感器,该传感器由一个底部非悬空的接入波导和一个顶部悬空的微盘腔组成,并用实验证明了其具有较高的器件灵敏度和良好的机械稳定性。对于半径40μm的微盘,在1548. 98 nm谐振波长下可以实现超过104的品质因数以及大小适中、5. 66 nm的自由光谱范围。该传感器的灵敏度可通过覆盖不同的有机液体来测量,实验测得值约为554 nm/RIU。该叁维传感器的制备与传统的光刻工艺相兼容,利于大批量低成本生产,同时凭借器件尺寸小、工艺简单、检测灵敏度高、响应快、免标记等特点,在国防安全、生物检测和环境监测等方面具有广阔的应用前景。(本文来源于《计测技术》期刊2019年04期)

氮化硅论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

氮化硅陶瓷具有耐高温、耐腐蚀和耐磨损等优异性能,可应用于金属材料和高分子材料难以胜任的极端工作环境。但具备这些优良特性的同时也给其加工带来了不便,传统的磨削加工方法效率低,设备损耗严重,激光辅助加工为其提供了一种新途径。将等离子体光谱法和显微成像法相结合,对脉冲激光辐照氮化硅陶瓷的损伤阈值进行了测量,并分析了损伤机理。实验选用热压烧结氮化硅陶瓷为靶材,参考ISO21254国际损伤阈值测试标准搭建试验系统,采用1-on-1法利用Nd~(3+)∶YAG固体脉冲激光分别在纳秒和微秒脉宽下辐照氮化硅陶瓷,两种脉宽分别选取10个能量密度梯度进行激光辐照,每个能量密度辐照10个点。利用光纤光谱仪采集光谱信息,利用金相显微镜获取显微图像信息,将光谱结果与显微成像结果对比分析,发现纳秒脉宽下材料一旦损伤光谱上就会出现等离子体峰,通过分析光谱中等离子体峰,元素指认是否含有材料中特征元素即可判断损伤,为了区别空气电离击穿同时测量了空气等离子体光谱对比分析剔除干扰。微秒脉宽下显微图像观察到刚开始损伤时,光谱中只出现较强热辐射谱线并未出现等离子体谱线,进一步增加激光能量密度,光谱中会出现少量等离子体峰,因此不能直接以等离子体峰判断材料损伤阈值。利用金相显微镜观察损伤形貌,纳秒脉宽下在损伤区域内部观察到明显的烧蚀冲击状损伤,光谱呈现出大量等离子体谱线,说明纳秒激光辐照氮化硅损伤机制主要为等离子体冲击波引起的力学损伤效应。微秒脉宽在辐照区域边缘发现热烧蚀痕迹,损伤区内观察到大量熔融物,出现明显热辐射光谱,说明微秒激光辐照氮化硅损伤机制主要是由于长脉宽热积累引起的热损伤效应,随着能量密度增加热辐射谱上迭加有等离子体峰,等离子体峰值强度与损伤程度一致。利用零几率损伤阈值法对两种方法测得结果进行了拟合,分析发现等离子体光谱法更适用于纳秒脉宽下损伤阈值测量,得到结果为0.256 J·cm~(-2);显微成像法适用于微秒脉宽下损伤阈值测量,得到结果为6.84 J·cm~(-2)。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

氮化硅论文参考文献

[1].吴玉厚,王浩,李颂华,孙健,王贺.氮化硅陶瓷磨削热特性与表面成形机制[J].表面技术.2019

[2].蔡鹏程,李霜,蔡红星,谭勇,石晶.脉冲激光辐照氮化硅陶瓷损伤阈值的光谱测量[J].光谱学与光谱分析.2019

[3].袁寿财,韩建强,荣垂才,武华,李梦超.IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究[J].赣南师范大学学报.2019

[4].付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英.ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索[J].真空科学与技术学报.2019

[5].王允,崔东坡,孟红涛.成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖性能的影响[J].耐火与石灰.2019

[6].李连洲.对含有Al_2O_3和Y_2O_3的氮化硅结构陶瓷材料弹性性能的研究[J].耐火与石灰.2019

[7].豆高雅.自增韧氮化硅陶瓷的制备与性能研究[J].陶瓷.2019

[8].吴玉厚,王浩,李颂华,王贺,孙健.氮化硅陶瓷磨削温度特性与表面质量研究[J].硅酸盐通报.2019

[9].靳惠怡.新面貌新活力——国内最大规模年产100吨高性能氮化硅陶瓷生产线一期工程投产[J].中国建材.2019

[10].冉纲林,顾昌林,仲路铭,张福领,武腾飞.垂直耦合悬空型氮化硅微盘光学传感器[J].计测技术.2019

论文知识图

扫描光栅微镜俯视图浅沟槽隔离技术致单轴应变示意图应力帽层技术致单轴应变示意图应力“记忆”工艺过程(a)以包埋硅纳米颗粒氮化硅作...β氮化硅高分辨电子显微结构图...

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