本征空位缺陷对ZnO:Mn体系电子特性及磁性的影响

论文摘要

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,分析了ZnO:Mn掺杂体系中本征空位缺陷VZn和VO分别出现在相对Mn为近邻、次近邻、远次近邻位置时体系的晶体结构、能带分布、态密度和磁性.结果表明:ZnO:Mn体系中VZn比VO更容易产生,且两种缺陷均更容易在Mn的近邻位置形成.其中VZn的出现没有明显改变ZnO:Mn体系的带隙,然而会使体系的导电性增加,且VZn与Mn的距离越远,导电性越强.同时,VZn减弱了体系的磁性,但与VZn的位置无关. VO的出现会使体系带隙变宽,且电导率显著低于无缺陷ZnO:Mn体系,但是其导电性会随着VO与Mn的距离变远而增强.同时,VO的出现不会影响体系原来的磁性.

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李俊贤,符斯列,王春安,鲍佳怡,丁罗城,雷涛

关键词: 空位,第一性原理,磁性

来源: 原子与分子物理学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学

专业: 物理学

单位: 华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室,华南师范大学华南先进光电子研究院,广东技术师范学院电子与信息学院

基金: 国家自然基金(10575039),广东省自然科学基金(S2013010012548)

分类号: O469

页码: 1064-1070

总页数: 7

文件大小: 5079K

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