导读:本文包含了电离率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电离,晶格,脉冲,低温,霍尔,载流子,激光。
电离率论文文献综述
俞祖卿,杨魏吉,何峰[1]（2016）在《H_2~+在强激光脉冲作用下的电离率和原子核间距的关系》一文中研究指出本文利用蒙特卡罗方法模拟电子在激光场以及分子库仑势作用下的经典轨迹,研究了氢分子离子H_2~+的电离率和原子核间距的关系,为电荷共振电离增强现象提供了一种基于电子经典运动的解释.当原子核间距为5—6 a.u.时,H_2~+的电离率显着增大.电子的运动轨迹揭示此时电子先围绕其中一个原子核运动,在逐步获得越来越多的动能后,运动轨迹受到另一个原子核的强烈影响,最后电子逃逸原子核的束缚.原子核之间的库仑势垒和激光调制的库仑势垒的高度差与电离率的大小直接相关.(本文来源于《物理学报》期刊2016年20期）
孙伟峰,李美成,赵连城[2]（2010）在《窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究》一文中研究指出通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/InxGa1-xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化.(本文来源于《物理学报》期刊2010年08期）
薛艳丽,孙锐,姜永超,王雨生,杨景东[3]（2007）在《不同的初始态对氢原子电离率的影响》一文中研究指出采用二阶劈裂算子算法,数值求解了超短脉冲强激光场中一维模型氢原子的含时演化过程,得到了氢原子初始位于不同态时对应的电离率,结果显示当初始态为基态时,电离率总体不太大;而当初始态是激发态时,原子会被激光场迅速电离。(本文来源于《青岛农业大学学报(自然科学版)》期刊2007年01期）
薛艳丽,程太旺,李晓峰,林圣路,傅盘铭[4]（2003）在《脉冲形状和静电场对电离率和高次谐波的影响》一文中研究指出采用数值方法研究静电场和不同的激光脉冲对氢原子的电离率和高次谐波的影响。结果表明脉冲形状和电离率之间有着确定的关系 ,电离率反过来又影响了谐波谱的性质 ;另外 ,随着所加的静电场强度的增大 ,电离率呈上升的趋势 ,而谐波谱出现一个双平台的结构(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2003年03期）
贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强[5]（1999）在《未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系》一文中研究指出在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别．这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动．(本文来源于《河北工业大学学报》期刊1999年05期）
向守平,洪方文,冯珑珑[6]（1998）在《宇宙学常数Λ≠0时复合时期的电离率和最后散射面》一文中研究指出非零宇宙学常数在Hubble常数取值较大时对大爆炸宇宙学模型具有现买意义。计算了宇宙学常数不为零时复合时期电离率的演化和最后散射面的位置。所得结果可应用于计算宇宙微位背景辐射的涨落。(本文来源于《科学通报》期刊1998年21期）
陈京,陈式刚,刘杰[7]（1998）在《双色强激光中原子电离率与相位关系的数值研究》一文中研究指出用Ｋｕｌａｎｄｅｒ等人发展的方法计算了双色光电离率随的变化，发现了当双色光场强度超过阈值时Ｒ关系的转变，与经典方法计算的结果作了比较。(本文来源于《计算物理》期刊1998年03期）
温吉华,邱森友[8]（1997）在《在激光场中氢原子电离率的Monte Carlo经典模拟》一文中研究指出本文通过在激光场中氢原子电离率的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ经典模拟结果的分析，得出了激光场的磁场部分对氢原子的稳定性有着一定的制约关系的结论。(本文来源于《安徽大学学报(自然科学版)》期刊1997年04期）
肖志雄,郑茳,魏同立[9]（1996）在《硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系》一文中研究指出该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题：杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算．(本文来源于《应用科学学报》期刊1996年03期）
王明网,魏同立,肖志雄,李[10]（1996）在《低温区杂质电离率的计算》一文中研究指出用纯数值技术计算了５０～１５０Ｋ下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果发现比简化模型有较高的数值精度，而且可插入到半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ中。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1996年02期）
电离率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过第一性原理的完整形式,基于全势能线性化增广平面波方法确定的精确能带结构和波函数,推算了技术上极为重要的窄带隙半导体超晶格中载流子俄歇复合时间.少数载流子的俄歇寿命由两种相关的方法来确定:1)由Fermi-金规则直接估算,2)联系俄歇复合和其相反过程碰撞电离,建立细致平衡公式,在一个统一的结构中进行间接估算.在n掺杂HgTe/CdTe和InAs/InxGa1-xSb超晶格中,由直接和间接的方法确定的寿命与一些实验结果相当一致.这说明该计算模式可以作为一种精确的手段用于窄带隙超晶格材料的性能优化.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电离率论文参考文献
[1].俞祖卿,杨魏吉,何峰.H_2~+在强激光脉冲作用下的电离率和原子核间距的关系[J].物理学报.2016
[2].孙伟峰,李美成,赵连城.窄带隙超晶格中载流子俄歇寿命和碰撞电离率的第一性原理研究[J].物理学报.2010
[3].薛艳丽,孙锐,姜永超,王雨生,杨景东.不同的初始态对氢原子电离率的影响[J].青岛农业大学学报(自然科学版).2007
[4].薛艳丽,程太旺,李晓峰,林圣路,傅盘铭.脉冲形状和静电场对电离率和高次谐波的影响[J].原子与分子物理学报.2003
[5].贾晓华,杨瑞霞,于海霞,张富强.未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系[J].河北工业大学学报.1999
[6].向守平,洪方文,冯珑珑.宇宙学常数Λ≠0时复合时期的电离率和最后散射面[J].科学通报.1998
[7].陈京,陈式刚,刘杰.双色强激光中原子电离率与相位关系的数值研究[J].计算物理.1998
[8].温吉华,邱森友.在激光场中氢原子电离率的MonteCarlo经典模拟[J].安徽大学学报(自然科学版).1997
[9].肖志雄,郑茳,魏同立.硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系[J].应用科学学报.1996
[10].王明网,魏同立,肖志雄,李.低温区杂质电离率的计算[J].固体电子学研究与进展.1996
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