导读:本文包含了绝缘栅双极晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,逆变器,功率,特性,电场,耐压,表征。
绝缘栅双极晶体管论文文献综述
范晓波[1]（2019）在《绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法》一文中研究指出IGBT即绝缘栅双极型晶体管业已得到广泛的应用,高压大电流是其未来的发展方向,近年来已经应用在高压直流输电领域。随着功率容量的不断提升,对器件的设计制造提出了更高的要求。为了缩短设计周期,提高成品率,降低制造成本,应采用计算机进行仿真,可极大地提高工作效率。论文结合流片的情况应用ISE软件进行了仿真研究,结果表明,采用软件仿真的方法能够有效地指导器件的生产制造。(本文来源于《中小企业管理与科技(中旬刊)》期刊2019年10期）
韩代云,李源彬[2]（2019）在《绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究》一文中研究指出将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
范晓波[3]（2019）在《绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为新一代的功率半导体器件,高电压大电流是未来的发展趋势,研究人员一直都将器件的表面耐压作为研究的重点。本文采用ISE仿真软件对器件终端结构进行研究,分析了多环系统的表面电场、表面电势以及击穿特性。结果表明,高压IGBT终端必须采用多环系统,而且随着电压的进一步提高,环数也必须增加,以满足耐压的需要。(本文来源于《中国设备工程》期刊2019年18期）
梁光发,周晓亮,蒙春婵[4]（2019）在《绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例》一文中研究指出科龙6KVA不间断电源是一款双逆变在线式UPS电源,该设备在广播电视发射机房中为信号源柜以及网络柜提供一种稳压、稳频以及不受电网干扰的电源,即使市电不正常甚至掉电以后,该UPS设备仍能给信号源柜以及网络柜上的负载继续提供一段时间的供电。本文主要介绍了科龙6KVA不间断电源逆变器中绝缘栅双极晶体管IGBT击穿的故障分析以及检修处理过程。(本文来源于《视听》期刊2019年05期）
陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰[5]（2019）在《1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.(本文来源于《电子学报》期刊2019年02期）
蒋梦轩,帅智康,沈征,王俊,刘道广[6]（2017）在《高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管》一文中研究指出在前期高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基础上提出一种高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管(CT-IGBT)。该器件沟槽集电极与漂移区的内建电势差感应形成电子沟道而加快关断速度,且集电极沟槽具有不同于传统电场截止层(FS)的电场截止机制,并引入低浓度N型层以降低集电极沟槽对空穴注入的抑制作用。硅基材料有限元仿真结果表明,新结构CT-IGBT的关断下降时间比传统沟槽FS-IGBT少49%,且前者耐受的雪崩能量比后者高32%。因此,新结构CT-IGBT具有比FS-IGBT更优越的关断速度和强度,可应用于大功率高速电力电子系统。(本文来源于《电工技术学报》期刊2017年24期）
张广银,沈千行,张须坤,田晓丽,卢烁今[7]（2016）在《逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展》一文中研究指出逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年10期）
蒋梦轩[8]（2016）在《新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究》一文中研究指出一代器件技术决定一代电力电子技术,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。绝缘栅双极晶体管作为最有现实价值的电力电子器件,具有开关频率高、驱动电路简单、驱动功率小等特点,已广泛应用于工业电机节能、新能源发电、输变电、电能质量,轨道交通、冶金化工、新能源汽车、国防、智能电网和直流微网等行业。绝缘栅双极晶体管器件作为电力电子器件的重要成员,其应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为21世纪重要关键技术之一。本文综述了绝缘栅双极晶体管的发展历程和研究现状,并采用先进的设计理念实验研究了3300 V增强型高压绝缘栅双极晶体管。同时,在理论与实践结合的基础上,创新地提出了新型高速绝缘栅双极晶体管和新型高导绝缘栅双极晶体管,并对这两类高性能绝缘栅双极晶体管进行了全面且深入的研究。以上高压、高速和高导型绝缘栅双极晶体管的主要研究内容概述如下。首先,本文设计与试验研究了3300 V增强型高压绝缘栅双极晶体管。从引入绝缘栅双极晶体管的静态特性、动态特性和可靠性叁角折衷设计开始,深入分析了增强型高压绝缘栅双极晶体管的理论设计、仿真设计、工艺设计、版图设计和芯片测试,并通过芯片制造试验验证了该高压绝缘栅双极晶体管设计的正确性。增强型高压绝缘栅双极晶体管的试验研究分为理论设计,包括击穿电压、阈值电压、正向压降、关断时间等;仿真优化设计,包括击穿特性、转移特性、传输特性、动态特性和可靠性等电气性能;工艺设计,对仿真设计的参数进行了工艺模拟和优化;版图设计,包括设计晶圆制造的光刻版图;芯片试验,设计的工艺在产线中试验;芯片测试,测试结果是对设计和制造正确性的验证。其次,本文提出了一种新型高速绝缘栅双极晶体管。该新型高速绝缘栅双极晶体管的设计思想是通过形成集电极沟槽的电子沟道抽取过量电子而达到高速关断的目标。理论分析表明该集电极沟槽型绝缘栅双极晶体管的阻断原理、传输机制、动态机制和雪崩机制均有对比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管的优势。仿真验证表明该集电极沟槽型绝缘栅双极晶体管具有比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管快74%的开关速度和更低的关断损耗,改进型集电极沟槽绝缘栅双极晶体管快49%,并保持几乎相同的击穿电压、电流密度和阈值电压,验证了提出的设计思想。最后,本文提出了一种新型高导绝缘栅双极晶体管。该新型准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的设计思想是通过在绝缘栅双极晶体管的P型基区与发射极金属之间形成肖特基接触势垒以阻止空穴电流的分流,从而达到增强电导调制效应的目标。仿真研究了该器件的主要电气特性,包括阻断特性、转移特性、传输特性、动态特性、关断损耗、闭锁特性和反向安全工作区。仿真结果展示该准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的电流密度具有比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管高53%、关断损耗低27%,改进型准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的电流密度高76%、关断损耗低34%,并保持几乎相同的击穿电压和阈值电压等,因而验证了该肖特基接触绝缘栅双极晶体管的设计思想。因此,本文不仅设计和研制了3300 V的增强型高压绝缘栅双极晶体管器件,而且在国外对绝缘栅双极晶体管核心器件技术垄断的背景下创新性的提出了两类高性能绝缘栅双极晶体管,为掌握真正自主知识产权的绝缘栅双极晶体管器件设计和研制技术具有一定的意义。(本文来源于《湖南大学》期刊2016-03-10）
周德贤[9]（2016）在《绝缘栅双极晶体管逆变焊机》一文中研究指出绝缘栅双极晶体管(IGBT管)逆变焊机具有动特性好、体积小、质量轻、高效节能、节材、有利于焊接自动化等优点,从二十世纪七十年代起就受到国内外焊机界的高度重视。现在,许多国家使用IGBT焊机,其各项指标均优于其他类型焊机。我国进口的焊机大多是这种焊机。1996年至2012年,我国焊机的市场统计如表1所示。我国每年的焊机销量以约40%的速度递增,有关部门已下文淘汰老式的焊机,IGBT逆变焊机(本文来源于《电世界》期刊2016年02期）
刘国友,黄建伟,覃荣震,罗海辉,朱利恒[10]（2016）在《智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块》一文中研究指出基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2016年10期）
绝缘栅双极晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘栅双极晶体管论文参考文献
[1].范晓波.绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法[J].中小企业管理与科技(中旬刊).2019
[2].韩代云,李源彬.绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究[J].功能材料.2019
[3].范晓波.绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究[J].中国设备工程.2019
[4].梁光发,周晓亮,蒙春婵.绝缘栅双极晶体管IGBT在UPS电源中的应用及维护检修实例[J].视听.2019
[5].陆戴,王文杰,王庆珍,于平平,姜岩峰.1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取[J].电子学报.2019
[6].蒋梦轩,帅智康,沈征,王俊,刘道广.高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管[J].电工技术学报.2017
[7].张广银,沈千行,张须坤,田晓丽,卢烁今.逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展[J].半导体技术.2016
[8].蒋梦轩.新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究[D].湖南大学.2016
[9].周德贤.绝缘栅双极晶体管逆变焊机[J].电世界.2016
[10].刘国友,黄建伟,覃荣震,罗海辉,朱利恒.智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块[J].中国电机工程学报.2016
论文知识图
