CsPbI3复合TiO2纳米管阵列的制备及表征

论文摘要

为提高二氧化钛纳米管阵列（TiO2NTAs）的光电化学性能,对其进行半导体复合改性处理。采用阳极氧化法制备得到TiO2NTAs,热注入法制备得到全无机钙钛矿CsPbI3,浸渍法实现CsPbI3与TiO2NTAs的复合,制备得到不同浸渍次数的CsPbI3/TiO2NTAs。通过一系列光电性能测试表明,经CsPbI3复合改性处理后,TiO2NTAs的光电化学性能有明显的提高,且经4次浸渍得到的CsPbI3/TiO2NTAs光电性能最佳,其饱和光电流密度为0. 92 m A/cm2,约为TiO2NTAs的2. 97倍,且对应的光转换率最高约为0. 55%。除此之外,其瞬态光电流密度最大,约为0. 69 m A/cm2,并表现出最佳的光响应特性。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 周淑慧,刘世凯,董柯军,李云有,董浩永,樊志杰,闫长菲

关键词: 纳米管阵列,半导体复合,全无机钙钛矿,光电化学性能

来源: 人工晶体学报 2019年08期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 材料科学,无线电电子学

单位: 河南工业大学材料科学与工程学院

基金: 河南省科技厅自然科学项目(172102210227),河南工业大学2018年度“科教融合”项目(26210133)

分类号: TN304;TB383.1

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.08.017

页码: 1487-1491

总页数: 5

文件大小: 1511K

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