导读:本文包含了等离子体输运论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,马克,脉冲,密度,离子,气体,磁控溅射。
等离子体输运论文文献综述
崔岁寒,吴忠振,肖舒,陈磊,李体军[1]（2019）在《外扩型电磁场控制筒形阴极内等离子体放电输运特性的仿真研究》一文中研究指出筒形阴极由于具有向内放电的特性,可改善高功率脉冲磁控溅射技术放电不稳定、溅射材料离化率差异大等缺陷.然而其产生的等离子体仅能依靠浓度差扩散的方式向基体运动,沉积速率并没有明显改善,尤其是在远离阴极区域.使用外扩型磁场对离子运动进行引导,可实现等离子体的聚焦和远距离输运,从而减少离子损失,提高沉积效率.本文从模拟和实验的角度对磁场的布局与设置进行研究,并获得不同磁场条件下的等离子体空间和时间输运特性及其对薄膜沉积的影响.结果表明电磁场的引入不仅可以大幅提高筒形阴极内等离子体的引出效率,实现不同程度的引出或聚焦,而且对等离子体放电也产生明显的增强或减弱,可根据不同的需求或材料进行精确调控.通过控制磁场,可获得较强的Hi PIMS放电和较高的沉积速率,实验结果与仿真预测相符合.该工作完善了Hi PIMS沉积技术在沉积效率上的不足,拓宽了筒形阴极的溅射工艺窗口和适用范围,有助于Hi PIMS更进一步的推广与应用.(本文来源于《物理学报》期刊2019年19期）
李鸿鹏,蔡世凯,刘宇琦,刘胜军[2]（2019）在《等离子体射流的流体力学模拟和输运系数计算》一文中研究指出对等离子体射流的流体力学进行了力学模拟,分析了场强与电极厚度及极间距离的关系;分析和探讨了在不同初始速度下,氦气流速、摩尔分布在轴向和径向的变化关系;分析和探讨了减弱场强对电离系数、He~*的激发系数和N_2(C~3Π_u)的激发系数的影响.实验结果表明:场强的最大值与最小值都出现在阳极附近,为了增强阳极附近电场,可在一定程度上减小电极板的厚度d和减小两电极板之间的距离D_2;在轴向上,随着z的增大,V_(HE)逐渐衰减,氦气的摩尔分布逐渐降低;在径向上,随着r的增大V_(HE)逐渐衰减,氦气的摩尔分布逐渐降低;随着电场减小,电离系数、He~*的激发系数和N_2(C~3Π_u)的激发系数叁者起初变化不太大,当电场继续减小时,叁个系数下降的幅度变得越来越大,越来越明显.(本文来源于《东北电力大学学报》期刊2019年03期）
徐帅[3]（2019）在《低杂波引起的磁拓扑变化对托卡马克边界等离子体输运的影响》一文中研究指出目前,共振磁扰动技术已经在世界上多个托卡马克装置实验中被证实可以用来控制边界磁流体不稳定性,以及等离子体与壁相互作用。近年来,东方超环(EAST)全超导托卡马克装置实验表明低杂波可以在刮削层区域产生沿着磁力线的螺旋电流丝,从而明显地改变边界磁拓扑结构。这种磁扰动不仅可以被用于缓解边界局域模,还可以用来改善偏滤器靶板上的热流和粒子流分布。在此背景之下,本论文系统地研究了低杂波引起的磁拓扑变化对边界等离子体输运的影响。本文首先简要介绍了磁扰动技术在托卡马克装置中的应用,以及边界等离子体输运程序EMC3-EIRENE的理论模型。EMC3-EIRENE程序由基于叁维边界等离子体流体模型的蒙特卡洛程序EMC3和基于动理学模型的中性粒子输运程序EIRENE耦合而成。通过对该程序计算网格的优化,本文首次模拟了低杂波产生的扰动磁场对叁维边界等离子体电子密度、电子温度和马赫数,以及偏滤器靶板热流和粒子流的影响。模拟结果能够与多种边界实验诊断数据相符合。结果表明,由于平行于磁力线的输运比扩散输运强得多,叁维边界磁拓扑结构能够很明显地反映在等离子体属性中。结合以往实验观测,模拟结果同样支持低杂波引起的螺旋电流丝的电流随着低杂波注入功率的增大而增大。这不仅会通过拓宽边界随机区而加深附加输运通道的渗透深度,而且能够影响靶板热流或粒子流在分裂打击点和原打击点上的比例。同时,叁维模拟还显示,扰动磁场产生的附加输运通道将引起热负荷在不同靶板之间的重新分配。此外,在EAST实验上观测到,利用超声分子束注入技术和低杂波引起的磁扰动能够改变靶板热流和粒子流的叁维分布。为了揭示其背后的物理机制,本文使用EMC3-EIRENE程序首次在模拟上重现了该实验现象,并对其作出了定性的物理解释。在边界等离子体区域,注入的中性粒子的离子化产生的电子和离子将沿着磁通管直接打在偏滤器靶板上,从而导致分裂打击点上的热流和粒子流的进一步升高。结合边界磁拓扑的多体瓣状结构,本文从模拟的角度提出可以通过调节超声分子束的注入位置或者扰动磁场的相位来主动调控靶板的热流和粒子流分布,以均化边界等离子体对靶板的侵蚀,延长偏滤器的使用寿命。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-20）
王守信[4]（2019）在《EAST等离子体粒子输运实验研究》一文中研究指出等离子体粒子约束和输运的研究一直都是磁约束核聚变物理最重要也是最基本的研究课题之一。约束和输运的特性不仅直接影响着等离子体密度,而且与等离子体储能以及总的能量约束时间有比较大的关联。对未来核聚变装置来说,实现聚变产出的最大化必须要获得高密度以及高能量约束时间的等离子体。而研究等离子体约束和输运相关物理的主要目的就是为了在未来聚变反应堆中获得高约束模式的稳态等离子体,并且尝试控制它。托卡马克中的密度一直都是最基本的物理量。为了观察EAST装置中密度变化,已经发展了叁道HCN干涉仪以及十一道偏振干涉仪两种弦积分密度测量诊断,其中偏振干涉仪具有较高的时间分辨率,不仅可以用来做密度反馈,而且对于研究相关密度涨落具有非常重要的意义。另外,微波反射计和汤姆逊散射系统能够提供密度的局域测量。这些相关诊断的发展为粒子输运的研究提供了可靠的数据支持。等离子体粒子输运的研究一直都是一个难点。一方面,相对于能量输运,从实验上确定粒子输运的粒子源并不容易。另一方面,粒子平衡方程中还存在一个对流项。从等离子体平衡态中分离出对流和扩散几乎不可能。在EAST上发展了一种使用超声分子束(SMBI)注入扰动密度的方式来测量粒子输运系数。相比于充气,SMBI具有加料效率高、响应时间短等优点。另外,通过弹丸注入可以使密度急剧升高,因而可以利用粒子通量和密度梯度的关系得到粒子输运系数,但这种方法需要特定的实验条件。本论文利用密度调制方法,研究了不同约束模式下的粒子输运系数。欧姆放电中,边界等离子体输运系数比芯部明显大,但在H模与L模中该差别比欧姆放电明显。这里芯部扩散系数Dc=0.2 m~2/s,边界为De=0.8 m~2/s。H模中,芯部扩散系数比较小。对于对流速度来说,这叁种情况下的差别相对扩散系数要更明显。首先,边界对流速度比芯部要大很多倍。H模有着很强的向内的对流速度,欧姆放电的对流速度最小。这与H模中边界台基的形成有着密切的联系。共振磁扰动(RMP)引起的密度排出是一种重要的粒子输运现象。密度排出期间,粒子约束变差,甚至会引发H-L转换。利用密度调制获得了H模下密度排出现象前后的粒子输运系数。在粒子源可以被忽略的等离子体芯部,粒子输运系数的变化应与密度梯度尺度倒数的变化一致。在台基区域,RMP加入导致扩散系数的增加,但是向内的对流降低,表明了更多的粒子通过分界面而损失掉。而通过对比新经典输运系数发现,调制所得的输运系数要大一两个量级,说明反常输运在RMP导致的密度排出中起主要作用。RMP加入后,边界径向电场的势阱减小,相应的ExB剪切率在ρ=0.97的位置降低。通过分析边界密度涨落发现,在RMP加入期间,等离子体密度涨落明显增加,这与剪切率降低的位置一致,表明密度排出现象与湍流输运的增加相关。通过分析EAST近年来的运行图,观察到超过Greenwald密度极限运行的放电。而这些放电大都伴随MARFE的产生。欧姆条件下接近密度极限的放电中通常会出现比较强的磁扰动,同时偏振干涉仪(POINT)所测密度涨落也增加。这些现象在H模下超密度极限的放电中也有出现,伴随有偏滤器脱靶现象的产生。而在辐射较强的MARFE条件下,由于密度梯度的增加,电磁波在其中会发生大角度的折射,可能会导致干涉仪信号的丢失。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-09）
徐国梁[5]（2018）在《托卡马克装置中钨材料的腐蚀及其在边界等离子体中的输运》一文中研究指出针对钨作为托卡马克装置中的面向等离子体材料,本文详细分析了不同边界等离子体状态下钨的腐蚀情况,对钨的腐蚀机制,以及偏滤器靶板和第一壁腐蚀的钨对芯部钨浓度的影响开展了研究。研究内容分为两个部分:1,研究了 DⅢ-D装置高约束模式运行状态下偏滤器钨的腐蚀机制;2,评估了 CFETR不同边界等离子体状态下偏滤器和第一壁的腐蚀情况,以及芯部的钨浓度水平。对于DⅢ-D装置,为了研究高约束运行模式下钨的腐蚀与边界局域模(ELM)之间的关系,在钨环系列实验中,3炮具有不同边界局域模特性的放电被挑选出来:单个ELM释放的能量占总储能的比例从3%变化到10%,ELM的频率从18 Hz变化到70Hz。采用一维的自由流体模型(FSM)来分析ELM从中平面到靶板的输运时间,以及靶板上的电子密度。通过ELM的输运时间推测从台基区输运出来的碳到达靶板时的价态,而ELM期间靶板上的电子密度有助于获得精确的钨有效电离光子比(S/XB)。OEDGE程序被用来模拟没有ELM时钨的腐蚀,而一个基于TRIM.SP溅射程序开发的简单分析模型被用来计算ELM期间钨的腐蚀情况,且在这两部分模拟工作中,钨环上都被认为是沉积了部分碳的碳钨混合材料。OEDGE的模拟结果显示,在碳钨混合材料中碳的原子比例为0.3-0.6之间时,钨的腐蚀率对碳的原子比例不敏感,且在这个范围内OEDGE对钨腐蚀的模拟结果能与实验值吻合的很好。然而对于ELM时的模拟表明,混合材料中碳的比例应该在0.3左右。有、无ELM时钨的腐蚀主要都是由碳的溅射导致的,但是其腐蚀机制不一样。没有ELM时,钨的腐蚀主要是由混合材料上腐蚀的碳的再沉积过程导致的,而ELM期间,在打击点附近钨的腐蚀主要是由芯部输运出来的C6+的轰击导致的。为了反演出和ELM期间钨腐蚀的实验数据相同的结果,在分析模型中C6+的径向衰减长度被设定为小于D+的径向衰减长度,而碳和氘的径向衰减长度之比被证明与ELM期间的能流密度有关。对于CFETR装置,本文分析了不同靶板运行状态下、不同充气位置时、充不同杂质气体时,偏滤器靶板及第一壁钨的腐蚀情况,以及腐蚀的钨对芯部钨浓度的贡献。结果表明,相对于低再循环和高再循环状态,运行在脱靶状态是唯一可以接受的选择。当达到偏滤器脱靶状态时,边界杂质气体的具体充气位置对最终杂质的分布,及芯部钨浓度的影响不大。相对于偏滤器,第一壁腐蚀的钨更容易进入芯部,因此脱靶状态时,第一壁的钨腐蚀成为决定芯部钨浓度的关键。对比相同位置充入氩,氖和氮的算例,氩的辐射能量最强,在达到相同边界总辐射量时,氩在等离子体中的浓度相对最小,所引起的第一壁钨腐蚀也最小,因此从减少芯部钨浓度的角度来讲,充氩是相对最好的选择。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-12-25）
刘志强[6]（2018）在《等离子体中离子输运特性的实验技术研究》一文中研究指出随着不可再生能源日益减少,核能的应用是未来一种不可阻挡的趋势,在当今技术范围内核裂变技术是主要的核能提供者,铀235是核裂变的主要燃料,因此有学者提出采用光致电离等离子体的方法来浓缩铀。以此为背景,在清华大学等离子体健康科技研究组的实验平台上,从等离子体中离子输运特性的实验技术方面,进行了如下相关的研究工作。进行了针对平行板静电场离子输运过程的定标率研究,讨论了离子引出电流和引出时间随离子引出过程中可控的关键性参数(如等离子体初始密度、电子温度、极板间距等)之间的经验关联式,并通过实验和文献中的数据,研究了这些参数和离子引出电流和引出时间之间的关系,做了平板型、π型和M型极板的引出实验对比,M型极板引出效率最高。为今后在不同实验工况下离子引出电流和引出时间的预测提供了依据。优化了氩等离子体“碰撞-辐射”模型数据处理软件,通过编写Matlab程序,建立了不同气压下的数据库和计算分析界面,通过调用数据库和加载Excel数据的方式,提高计算等离子电子密度和温度的速度,达到了实验数据实时处理的目的。设计了一台用于研究离子输运过程中衰亡等离子体特性的脉冲电源,该电源主要由高压直流电源和固态调制器组成,固态调制器以单片机为控制中心,采用MOSFET串联分压的方式实现对频率和占空比的调节。并通过PSpice软件仿真,证明了该电源方案的可行性。图53幅;表4个;参47篇。(本文来源于《华北理工大学》期刊2018-11-21）
马仪,邓云坤[7]（2018）在《C_5F_(10)O-CO_2和C_5F_(10)O-N_2电弧等离子体热动属性与输运参数对比分析》一文中研究指出C_5F_(10)O及其混合气体为潜在的SF_6替代气体,研究其热动属性与输运参数特性对于进一步研究其灭弧性能和掌握气体性质具有重要意义。由于C_5F_(10)O的液化温度较高,需要添加缓冲气体,为此计算对比C_5F_(10)O分别与CO_2和N_2混合气体电弧等离子体的热动属性与输运参数。首先计算300~30 000 K温度范围内两种混合气体的平衡态化学组成;在此基础上,对比分析了两种混合气体电弧等离子体的热动属性(质量密度、比焓、比热),以及输运参数(电导率、热导率、黏性系数)的变化规律。结果表明,N_2和CO_2气体的分解温度及组成元素的差异,导致C_5F_(10)O-N_2和C_5F_(10)O-CO_2在该温度范围内的化学组成、热动属性和输运参数存在较大差异,此差异会影响气体电弧特性。此外,计算结果可为进一步研究C_5F_(10)O混合气体电弧特性及灭弧性能提供基础,同时有助于理解不同气体的灭弧性能差异及原因。(本文来源于《广东电力》期刊2018年08期）
张赛谦[8]（2018）在《等离子体刻蚀中反应物输运对剖面演化影响的多尺度研究》一文中研究指出等离子体刻蚀与薄膜沉积、光刻等工艺结合,通过精细的图形转移在衬底材料上形成微电子器件的微观结构,是半导体制造中不可缺少的关键技术。随着10 nm及更先进技术节点的应用,更小的特征尺寸、更复杂的微结构使得对刻蚀中剖面控制的精度要求达到了原子/分子的级别,给等离子体刻蚀带来严峻挑战。在等离子体刻蚀中,反应性粒子的产生,及其在鞘层和刻蚀槽/孔的输运过程决定了被刻蚀材料表面的反应性粒子的通量、能量,是影响刻蚀过程中剖面控制、选择性、介质损伤等的关键因素。本文建立了包括腔室、鞘层、刻蚀槽/孔以及表面的多尺度模型,能够在工业应用条件下,对等离子体刻蚀中的剖面演化过程进行模拟。通过模拟能够获得实验难以诊断的物理量,帮助更深入的理解刻蚀中复杂的多尺度、多物理过程,有利于减少产业应用中的试错成本,为工艺开发以及设备的设计和优化提供支持。本文第一章是绪论,介绍了低温等离子体在半导体制造中的应用背景,以及等离子体刻蚀当前面临的新机遇和挑战。在第二章中介绍了多尺度刻蚀演化仿真模型。首先通过整体模型能够快速获得不同放电参数下反应器内离子、中性粒子的密度(通量)以及电子温度。这些结果与偏压条件一起作为鞘层模型的输入参数,进一步计算离子在鞘层中的加速和碰撞过程,得到离子能量和角度分布。在刻蚀槽模型中,通过对各粒子的通量、能量和角度进行抽样,判断它们的种类并计算进入模拟区域的初始速度,进而追踪离子和中性粒子在槽内的运动,得到它们在材料表面的分布,对离子的运动还考虑了表面反射和充电效应的影响。最后结合表面反应模型,实现对刻蚀剖面演化过程的模拟。在第叁章中,首先模拟了不同放电参数下反应性粒子的产生,以及这些粒子在鞘层和刻蚀槽的输运过程,考虑了包括离子反射、充电效应等影响微观均匀性的关键因素。其次,通过结合反应性粒子在刻蚀槽表面的分布和表面反应算法,模拟了 C12等离子体下Si刻蚀的剖面演化过程,揭示了宏观放电参数和微观输运机制对刻蚀微观均匀性的影响。结果表明离子在侧壁的反射使得刻蚀槽底部两侧角落处的离子分布更集中并形成微槽,当槽深增大时,发生反射的侧壁面积增大,因此微槽更严重。当气压增大时,离子在侧壁上部的分布增多导致侧壁刻蚀更严重,且反射后的离子容易远离槽底的角落,因此微槽向中心移动,此外,高气压下低能离子的增多使得在局域电场作用下更多的离子轨迹发生扭曲并在侧壁发生反射,使微槽更严重。中性粒子在表面的覆盖度与宏观放电参数和微观结构的几何形貌有关,随着刻蚀槽深度的增加,表面的中性粒子覆盖度降低,导致了刻蚀速率随槽深增大而减小的深宽比依赖刻蚀。在第四章中针对Ar/C4F8等离子体中Si02的刻蚀过程,使用刻蚀槽元胞法耦合求解表面反应的蒙特卡罗法模拟表面钝化、沉积等过程,模拟了不同放电参数下等离子体的产生和微观输运对刻蚀剖面演化的影响。结果表明,较高的气压下微槽更严重,刻蚀速率的深宽比依赖更严重。偏压增大时刻蚀速率增大,刻蚀形貌底部更快出现梯度。此外,通过对偏压波形的“裁剪”,能够控制离子能量分布中高能、低能峰对应的能量值,以及高、低能离子的比例,并进而影响刻蚀剖面形貌。在第五章中应用多尺度模型研究了 Si和Si02的原子层刻蚀。结果表明与传统刻蚀相比,Si原子层刻蚀中剖面的底部平坦且侧壁陡直。随着刻蚀槽深度的增大,侧壁上部的自发化学刻蚀导致侧壁刻蚀增大。此外,通过施加长脉冲调制的射频偏压来控制离子能量分布,能够使得表面钝化和刻蚀过程在一定程度上分离,减小传统刻蚀中的微槽和深宽比依赖,从而实现更好的形貌控制。在Si02原子层刻蚀中,刻蚀步骤中离子对Si02的溅射导致剖面形貌受到表面不均匀的粒子分布的影响,在刻蚀槽底部出现微槽,且由于中性粒子的覆盖度随槽深的增加而减小,刻蚀槽底部随着刻蚀进行逐步尖化。通过合适的刻蚀步骤时长能够平衡离子溅射和中性粒子覆盖度两种不均匀性带来的影响,实现更好的剖面形貌控制。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-09-01）
严伟[9]（2018）在《J-TEXT托卡马克等离子体转动对共振磁扰动的响应以及氩杂质输运的实验研究》一文中研究指出在托卡马克等离子体当中,等离子体的环向转动对等离子体的约束以及H模的形成有着积极的作用。等离子体转动及其剪切可以抑制多种宏观不稳定性和微观不稳定性,包括新经典撕裂模和电阻壁模等,对等离子体稳态运行有着重要的作用。因此对转动的物理过程的了解,以及在此基础上实现转动及其剖面的控制和优化已经成为了一个广泛关注的问题。本文以J-TEXT托卡马克为实验基础平台开展了转动的相关研究。为了深入环向转动的研究,J-TEXT上将原来的切向弯晶谱仪测量系统进行了升级。由于弯晶谱仪在芯部转动测量上有着很高的时间分辨率和空间分辨率,通过多普勒频移来测量芯部等离子体环向转动。因此消除机械振动的影响是提高转动测量的关键。在J-TEXT平台上,弯晶谱仪腔体支撑改为光学减振平台,并且平台各支撑下面配置有橡胶减振垫。可以有效消除放电过程中所带来的低频振动。且将球面晶体腔室与探测器腔室固定在光学平台上,有效消除了晶体与探测器各自振动所带来的误差。在J-TEXT托卡马克上,等离子体环向转动对外加m/n=2/1共振磁扰动的响应已经有了系统的研究。J-TEXT托卡马克目前是是限制器位型欧姆加热等离子体。对于没有外加共振磁扰动的等离子体,等离子体芯部环向转动初始方向是反电流方向的,边界环向转动是接近于零,甚至可能是同电流方向的。在J-TEXT上,静态磁扰动与转动磁扰动对环向转动的影响均展开了相关的研究。静态扰动场可以导致锁模或者诱发场穿透。在这种情况下,等离子体芯部转动会被减小到0 km/s的水平,而边界转动会被加速,甚至可以加速到同电流方向上的20 km/s。在另一方面,当外加转动磁扰动时,芯部等离子体转动可以被调制。当转动磁扰动的频率高于模频率时,芯部等离子体转动会被加速到相同的频率水平;而当转动扰动场的频率低于模频率时,芯部等离子体转动则会被减速到相同的频率水平。此时等离子体芯部转动的方向均与电流相反的方向。当转动被调制后,等离子体的约束性能也会被转动扰动场所调制。由于弯晶谱仪通过测量氩杂质离子的多普勒效应来测量环向转动速度,因此弯晶谱仪同时可以开展氩相关的输运研究。实验上发现,氩杂质辐射剖面可以被共振磁扰动所调制,这表明共振磁扰动影响氩杂质输运是非常明显的。当外加2/1静态磁扰动触发锁模后,Ar XVII的密度剖面的强度会急剧下降,这表明在共振磁扰动触发锁模后,氩杂质的输运是加强的。(本文来源于《华中科技大学》期刊2018-05-01）
祝四强[10]（2018）在《托卡马克等离子体中随机磁场输运的理论模拟研究》一文中研究指出托卡马克中随机磁场会导致等离子体的反常输运,从而降低托卡马克的约束性能。回旋动理学数值模拟是研究湍流输运很有用的工具,模拟可以给出粒子流和能量流。一般来说这些流包括扩散项和对流项,区分每一项的贡献对理解湍流输运是重要的,但现有的模拟很难区分这两种流。利用相空间输运矩阵计算流的方法可以区分这两种流。本文基于李变换扰动方法研究了电磁扰动下的回旋动理学二阶哈密顿量,改进了导心轨道程序GYCAVA;然后基于GYCAVA程序发展了一个通过积分粒子导心的全轨道数值计算相空间输运矩阵的程序。第一个工作中,我们考虑低频电磁扰动,用两步李变换方法详细计算了回旋动理论的二阶哈密顿量,指出长波近似下,磁扰动δA对应的回旋动理论二阶哈密顿量主要是1/2δA‖2;这是因为回旋中心变换导致的回旋中心坐标下的磁矩与导心坐标下的磁矩存在差别△μ,这一差别对应的哈密顿量△μB0抵消了磁扰动垂直部分的能量1/2δA1⊥,其中B0为平衡磁场。基于该理论,我们将导心轨道程序GYCAVA加以改进,并用来模拟TFTR纵向波纹磁场中高能粒子的导心轨道及其随机输运,得到了 ripple场中高能粒子随机输运的区域与GWB理论符合。第二个工作中,我们基于改进的导心轨道程序GYCAVA发展了一个程序,该程序通过积分导心全轨道数值计算了相空间输运矩阵。我们用两个算例来验证数值计算输运矩阵的正确性:一个是计算随机磁场中无碰撞的电子扩散系数De与电子平行速度v‖,和扰动场幅度|δA|的关系De∝|v‖;De ∝ |δA|2;另一个是计算随机磁场中存在均匀径向电场时,电子导心径向位置的变化δr和平行速度的变化δv‖间的交叉关联Drv‖,以及δv‖的自关联Dv‖v‖,数值计算了Drv‖,Dv‖‖与Drr间的关系,以及Drr和Dv‖v‖与平行速度的依赖关系。数值结果与理论相符。最后我们数值计算了拉格朗日关联函数,得到托卡马克随机磁场的关联时间和平行关联长度,结果表明随机磁场的平行关联长度可以用qR0来估计,q和R0分别表示安全因子和大半径。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-01）
等离子体输运论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对等离子体射流的流体力学进行了力学模拟,分析了场强与电极厚度及极间距离的关系;分析和探讨了在不同初始速度下,氦气流速、摩尔分布在轴向和径向的变化关系;分析和探讨了减弱场强对电离系数、He~*的激发系数和N_2(C~3Π_u)的激发系数的影响.实验结果表明:场强的最大值与最小值都出现在阳极附近,为了增强阳极附近电场,可在一定程度上减小电极板的厚度d和减小两电极板之间的距离D_2;在轴向上,随着z的增大,V_(HE)逐渐衰减,氦气的摩尔分布逐渐降低;在径向上,随着r的增大V_(HE)逐渐衰减,氦气的摩尔分布逐渐降低;随着电场减小,电离系数、He~*的激发系数和N_2(C~3Π_u)的激发系数叁者起初变化不太大,当电场继续减小时,叁个系数下降的幅度变得越来越大,越来越明显.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体输运论文参考文献
[1].崔岁寒,吴忠振,肖舒,陈磊,李体军.外扩型电磁场控制筒形阴极内等离子体放电输运特性的仿真研究[J].物理学报.2019
[2].李鸿鹏,蔡世凯,刘宇琦,刘胜军.等离子体射流的流体力学模拟和输运系数计算[J].东北电力大学学报.2019
[3].徐帅.低杂波引起的磁拓扑变化对托卡马克边界等离子体输运的影响[D].中国科学技术大学.2019
[4].王守信.EAST等离子体粒子输运实验研究[D].中国科学技术大学.2019
[5].徐国梁.托卡马克装置中钨材料的腐蚀及其在边界等离子体中的输运[D].中国科学技术大学.2018
[6].刘志强.等离子体中离子输运特性的实验技术研究[D].华北理工大学.2018
[7].马仪,邓云坤.C_5F_(10)O-CO_2和C_5F_(10)O-N_2电弧等离子体热动属性与输运参数对比分析[J].广东电力.2018
[8].张赛谦.等离子体刻蚀中反应物输运对剖面演化影响的多尺度研究[D].大连理工大学.2018
[9].严伟.J-TEXT托卡马克等离子体转动对共振磁扰动的响应以及氩杂质输运的实验研究[D].华中科技大学.2018
[10].祝四强.托卡马克等离子体中随机磁场输运的理论模拟研究[D].中国科学技术大学.2018
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