导读:本文包含了反向漏电流论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:整流管,氮化,造型,极限,快速,高灵敏度,半导体器件。
反向漏电流论文文献综述
晏敏,侯志春,刘艳,李旭[1]（2010）在《二极管反向漏电流特性测试仪的设计》一文中研究指出设计了一款在0~100℃和反向电压VR为0~1 000 V条件下,能够测试二极管反向漏电流特性的测试仪.它采用桥式输入I、CL7650组成的高精度放大电路、ADC0804和AT89S51完成了高压到低压的转换、信号的放大、采样、量化及显示,通过编程软件对测试结果进行修正,提高系统的测量精确度.对二极管IN4007的测试结果表明:所得反向漏电流分辨率达0.1 nA,准确度达1.79%.(本文来源于《湖南大学学报(自然科学版)》期刊2010年02期）
薛松,韩彦军,罗毅[2]（2006）在《钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善》一文中研究指出通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理。处理后,LED器件在-5 V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6。X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用。沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境。因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流。(本文来源于《半导体光电》期刊2006年02期）
刘家璐,张廷庆[3]（1994）在《硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响》一文中研究指出采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明，１）ＢＦ￣＋２注入二极管的反向漏电流最小，２）注入层剩余损伤和ＲＴＡ期间导致的热应力可能是影响二极管反向漏电流的主要原因。(本文来源于《微电子学》期刊1994年02期）
高玉民,朱初杨[4]（1989）在《减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨》一文中研究指出本文分析了汽车整流二极管反向特性差的原因,采用适当配比的HF-HNO_3混合液腐蚀的方法达到了合理的表面造型,并用液相钝化技术使二极管的反向特性得到明显改善.(本文来源于《半导体技术》期刊1989年02期）
王林[5]（1984）在《用冠醚除杂减小PN结的反向漏电流》一文中研究指出在半导体硅器件的硅自由表面上,总有或薄或厚的Sio_2层,它可以是自然形成的,也可以是人工生长的.若在Sio_2层中存在着可动的碱金属杂质离子,则这些离子在温度场或者电场的作用下,可以在Sio_2层中移动,从而引起硅器件性能的不稳定或劣化.Na~+、K~+、Li~+、H~+等虽皆为Sio_2中能迁移的正离子,但K~+的迁移率比Na~+低两个数量级,Na~+的来源比较广泛,而Li~+在半导体制造工艺过程中遇到不多,故可动离子主要是Na~+和K~+的影响最大.Sio_2对它们几乎没有阻挡能力,温度越高,穿透能力越强,这样漏电(本文来源于《信阳师范学院学报(自然科学版)》期刊1984年00期）
徐剑石,庄绍雄[6]（1983）在《半导体器件反向漏电流的高灵敏度测量》一文中研究指出本文在对运放分压式反馈高灵敏度电流测量电路的极限灵敏度、稳定性等问题进行分析的基础上,报导了一种用于半导体器件直流参数高灵敏度测量的仪器。(本文来源于《电子学报》期刊1983年04期）
反向漏电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理。处理后,LED器件在-5 V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6。X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用。沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境。因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反向漏电流论文参考文献
[1].晏敏,侯志春,刘艳,李旭.二极管反向漏电流特性测试仪的设计[J].湖南大学学报(自然科学版).2010
[2].薛松,韩彦军,罗毅.钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善[J].半导体光电.2006
[3].刘家璐,张廷庆.硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响[J].微电子学.1994
[4].高玉民,朱初杨.减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨[J].半导体技术.1989
[5].王林.用冠醚除杂减小PN结的反向漏电流[J].信阳师范学院学报(自然科学版).1984
[6].徐剑石,庄绍雄.半导体器件反向漏电流的高灵敏度测量[J].电子学报.1983
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