导读:本文包含了光敏元论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CMOS图像传感器,HV-CMOS,PIN光电二极管,3T像素结构
光敏元论文文献综述
杨成财,鞠国豪,陈永平[1]（2019）在《集成PIN光敏元的CMOS探测器光电响应特性研究》一文中研究指出传统的CMOS图像传感器一般采用基于LV-CMOS工艺的N阱/P型衬底制备的PN光电二极管或者PPD二极管作为光敏元。PIN光敏元具有结电容小、量子效率高的特点。采用HV-CMOS(高压CMOS)工艺可以实现CMOS电路与PIN光敏元的单片集成。本文研究了集成PIN光敏元的CMOS探测器的光电响应特性以及NEP随像素大小和复位电压的变化关系。研究表明,将光敏元从PN光电二极管改为PIN光电二极管后,像素电荷增益可以提高一个数量级左右;同时,像素的瞬态电荷增益要大于传统认为的1/Cpd,并与二极管的大小以及复位电压紧密相关。研究发现,小像素因其更高的电荷增益和更低的等效噪声,更加适合弱信号下的短积分时间快速探测。若配合微透镜的使用,小像素在微光探测方面可以获得更大的优势。(本文来源于《中国光学》期刊2019年05期）
杨成财,鞠国豪,陈永平[2]（2019）在《基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计》一文中研究指出PIN光电二极管相对于pn结型光电二极管具有结电容小、量子效率高等优点,但采用标准低压CMOS(LV-CMOS)工艺研制的CMOS传感器只能实现基于n阱/p衬底的pn结光敏元与片上电路的集成,高压CMOS(HV-CMOS)工艺的发展为CMOS电路与PIN光敏元列阵的单片集成提供了可能。基于HV-CMOS工艺设计了一种集成PIN光敏元列阵的CMOS传感器,并对器件的光电响应进行了测试评估。结果表明,集成PIN光敏元的CMOS传感器具有更高的像素增益和量子效率,而暗电流、输出摆幅、线性度等特性保持良好。在500～900nm宽波段范围内,器件的量子效率均达到80%以上,在950nm附近的量子效率达到25%,优于采用其他工艺制作的CMOS传感器。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年03期）
任士远,林春,魏彦锋,周松敏,王溪[3]（2019）在《碲镉汞器件光敏元电容测试与分析》一文中研究指出报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。(本文来源于《红外技术》期刊2019年05期）
邵秀梅,李淘,李雪,邓洪海,程吉凤[4]（2014）在《平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用》一文中研究指出采用晶格匹配的平面型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I-V测试、扫描电容显微技术(SCM)测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计改进,解决了器件的盲元问题。24×1InGaAs线列短波红外探测在室温20℃、-10mV偏压下,暗电流密度约5nA/cm2。将光敏芯片密封在集成了热电制冷器(TEC)的金属管壳内,组件工作温度5℃,探测器响应光谱在1.0μm~1.67μm范围,平均峰值电流响应率为1.3A/W,平均峰值探测率为3.4×1012 cm·Hz1/2/W,响应的非均匀性为1.5%。探测器经历一定条件的可靠性筛选试验后,性能未发生明显变化,并进行了航空机载成像应用,成像图片清晰。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2014年01期）
潘胜达,赵明,林长青[5]（2013）在《288×4红外TDI探测器光敏元尺寸与间距设计研究》一文中研究指出针对国外进口Sofradir公司长波288×4扫描型时间延迟积分(TDI)探测器,通过分析其沿扫描和沿线列方向上光敏元尺寸和间距对整个成像系统的系统调制传递函数(MTF)的影响,给出了探测器光敏元尺寸和间距与整个成像系统分辨率之间的相互关系,为新型TDI型探测器阵列光敏元排列设计提供了理论参考。(本文来源于《红外技术》期刊2013年06期）
梁海燕,李姝静,周威,马望京,李金培[6]（2013）在《光敏元的化学增感对以甲基苯并叁氮唑银为银源的光敏热成像材料感光性能的影响》一文中研究指出研究了把经传统化学增感即硫增感、金增感、S+Au增感、二甲氨基硼烷(DMAB)还原增感的AgBr乳剂引入光敏热成像(PTG)体系后对PTG材料感光性能的影响。结果表明,AgBr乳剂经传统化学增感后感光度均大幅增加,其中经S+Au增感后感光度可较未增感的提高6倍,将增感后的AgBr乳剂作为PTG体系的光敏元,PTG材料在感光度增加的同时灰雾并没有明显地增加。以S+Au增感和还原增感的效果为最佳,感光度可增加4倍。(本文来源于《化学通报》期刊2013年05期）
高爱华,张佩,刘卫国[7]（2012）在《量子阱红外探测器光敏元参数测试》一文中研究指出针对量子阱红外探测器(QWIP)光敏元灵敏度低,参数测试条件苛刻的局限,在充分研究其工作原理的前提下,构建了其工作环境,设计了多个参数的测试方案.在液氮制冷条件下测试了8～9mGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的电阻温度特性、电流温度特性,利用电流前放和锁相放大依次对QWIP的输出电流信号进行选频放大,测试其光电流,得到了QWIP光敏元电阻与温度的对应关系,验证了器件的负电阻温度特性,进而可以快速判断探测器光敏元的有效性.测试采用LabVIEW8.0进行数据处理、分析及显示.通过对实验数据的分析,QWIP的阻抗随温度的降低呈指数上升,暗电流随着工作温度的降低而减小,光电流随着温度的降低而增大,表明探测器的性能随工作温度的降低而逐步增强.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2012年12期）
梁海燕,李姝静,王心蕊,李金培,马望京[8]（2012）在《硬脂酸镍对以异位合成AgBr乳剂为光敏元的PTG材料感光性能的影响》一文中研究指出本文报道了硬脂酸镍(NiSt2)对以异位合成AgBr乳剂为光敏元的光敏热显影(PTG)材料感光性能的影响.结果表明AgBr与AgTTA的摩尔比为0.25时,PTG材料感光度最大,并且硬脂酸镍可将感光度提高约1.1倍。本文通过对AgBr乳剂的光吸收和硬脂酸镍的DSC的研究,初步分析了硬脂酸镍对PTG材料感光性能的影响原因.(本文来源于《影像科学与光化学》期刊2012年02期）
程有度,孙光英,李煜,李立华,郭建华[9]（2010）在《扫描型探测器光敏元尺寸设计研究》一文中研究指出针对国外进口长波4×288扫描型探测器,通过分析其光敏元在扫描过程中探测到的图像像素信号强度和相邻图像像素信号的混迭影响,给出了探测器光敏元尺寸与探测器焦平面上图像像素尺寸之间的相互关系,为新型扫描型探测器阵列光敏元尺寸设计、成像积分时间占空比设计提供了参考。(本文来源于《红外技术》期刊2010年07期）
毛京湘,范乃华,王忆锋[10]（2009）在《圆形冷屏下红外焦平面探测器光敏元立体角的计算及其成像仿真》一文中研究指出给出了圆形冷屏限制下红外焦平面器件任一光敏元立体角的数学模型,该模型由非线性方程组描述,通常,难以求出相应的解析解。以320×256面阵器件为例介绍了一种数值求解方法,即先从面阵中选取若干光敏元作为采样点,用SolidWorks叁维实体造型软件求出这些光敏元对应的若干几何参数,再用MATLAB做样条插值计算,求出任一点处光敏元的立体角数值。将这些立体角的相对值投影到0～255的整数值范围,可以得到一张伪灰度图,该图反映了理想情况下面阵器件对均匀面源黑体的成像效果。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2009年06期）
光敏元论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
PIN光电二极管相对于pn结型光电二极管具有结电容小、量子效率高等优点,但采用标准低压CMOS(LV-CMOS)工艺研制的CMOS传感器只能实现基于n阱/p衬底的pn结光敏元与片上电路的集成,高压CMOS(HV-CMOS)工艺的发展为CMOS电路与PIN光敏元列阵的单片集成提供了可能。基于HV-CMOS工艺设计了一种集成PIN光敏元列阵的CMOS传感器,并对器件的光电响应进行了测试评估。结果表明,集成PIN光敏元的CMOS传感器具有更高的像素增益和量子效率,而暗电流、输出摆幅、线性度等特性保持良好。在500～900nm宽波段范围内,器件的量子效率均达到80%以上,在950nm附近的量子效率达到25%,优于采用其他工艺制作的CMOS传感器。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光敏元论文参考文献
[1].杨成财,鞠国豪,陈永平.集成PIN光敏元的CMOS探测器光电响应特性研究[J].中国光学.2019
[2].杨成财,鞠国豪,陈永平.基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计[J].半导体光电.2019
[3].任士远,林春,魏彦锋,周松敏,王溪.碲镉汞器件光敏元电容测试与分析[J].红外技术.2019
[4].邵秀梅,李淘,李雪,邓洪海,程吉凤.平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用[J].光学与光电技术.2014
[5].潘胜达,赵明,林长青.288×4红外TDI探测器光敏元尺寸与间距设计研究[J].红外技术.2013
[6].梁海燕,李姝静,周威,马望京,李金培.光敏元的化学增感对以甲基苯并叁氮唑银为银源的光敏热成像材料感光性能的影响[J].化学通报.2013
[7].高爱华,张佩,刘卫国.量子阱红外探测器光敏元参数测试[J].西安工业大学学报.2012
[8].梁海燕,李姝静,王心蕊,李金培,马望京.硬脂酸镍对以异位合成AgBr乳剂为光敏元的PTG材料感光性能的影响[J].影像科学与光化学.2012
[9].程有度,孙光英,李煜,李立华,郭建华.扫描型探测器光敏元尺寸设计研究[J].红外技术.2010
[10].毛京湘,范乃华,王忆锋.圆形冷屏下红外焦平面探测器光敏元立体角的计算及其成像仿真[J].红外与激光工程.2009