导读:本文包含了硅电容论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电容,传感器,间隙,单晶硅,传声器,倾角,乘法。
硅电容论文文献综述
龚中良,刘寒霜[1]（2019）在《硅电容式高精度双轴倾角传感器温度漂移补偿研究》一文中研究指出为了提高倾角传感器测量精度,提出了一种基于最小二乘多项式分段函数非线性曲线拟合温度漂移补偿方法。根据倾角传感器原理与温度漂移补偿特性,结合实验情况,建立两段分段函数温度漂移补偿模型,忽略其它粗大误差的影响,引入自变量温度,并固定角度,使用最小二乘法对实验采集的数据进行分析与处理。经实验证明:温度在-36～55℃范围内倾角传感器测量误差精度达到0. 001°。该方法有效地提高了倾角传感器的测量精度,取得了良好的补偿效果。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年07期）
李颖,张治国,张娜,刘剑,周磊[2]（2013）在《硅电容微差压敏感器件封装工艺研究》一文中研究指出文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装的角度论述了固定极板的加工技术,并结合该器件的结构特点,讨论了适于小间隙、微结构芯片封装的等电位静电封接、双面同时静电封接等关键技术。该工艺技术已成功应用于硅电容微差压传感器的研制,效果良好,在结构型力敏器件的研制领域具有很好的推广应用价值。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2013年12期）
莫世雄,刘仁,李模刚[3]（2013）在《硅电容式压力传感器信号检测方法》一文中研究指出通过检测RC回路的充、放电时间来判断电容大小,当传感器受压电容稳定时,充、放电时间维持不变;当传感器受压电容变化时,充、放电时间改变。由单片机的I/O引脚控制模拟开关,与电压比较器一起构成3个充、放电回路,分别记录充、放电时间,同时采用单片机进行计数和软件滤波。该设计方法可用于检测电容传感器的微小差分电容。(本文来源于《化工自动化及仪表》期刊2013年10期）
张娜,李颖,张治国,祝永峰,董春华[4]（2012）在《双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用》一文中研究指出硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2012年01期）
庞士信,王超,匡石[5]（2010）在《基于FPGA的硅电容传感器调理模块设计》一文中研究指出差动式硅电容传感器应用广泛,对差动电容信号的检测调理至关重要。文中以FPGA芯片为核心,其产生的正弦载波信号用于调制差动电容信号的变化,已调信号再次输入FPGA进行互相关解调及数字滤波后,得到反映差动电容变化的电容差信号,然后经非线性补偿,可以输出非线性度小于0.1%的数字信号。这样避免了采用模拟电路容易受到外界干扰,且提高了动态检测的速度和非线性补偿的精度。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2010年10期）
李颖,张治国,祝永峰,林洪,刘剑[6]（2009）在《硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用》一文中研究指出对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题。该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2009年11期）
杜健,张玉杰,苑庆迪,张立佳,宋洋[7]（2009）在《硅电容差压传感器在振动中的问题分析》一文中研究指出介绍了硅电容差压传感器在振动试验中出现的问题及问题分析。通过对不同的振动方向和不同振动量级的试验结果对比,得出试验样品最敏感的失效方向。并对试验样品失效的量级及内部结构进行综合分析,给出了振动量级与产品断裂应力的对应关系式,提出对产品结构的改进建议,并进行验证试验。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2009年S1期）
陈玉玲,匡石,杨海波[8]（2009）在《硅电容差压传感器性能测试中PLC对压力的控制》一文中研究指出原有硅电容差压传感器性能测试中压力控制方式完全采用人为操作,不仅耗时耗力,而且对性能测试的精度也存在无法估计的测试误差,为了避免这些弊端,提出了新的测试方案,该方案采用PLC控制正、负腔管路中高压电磁阀和压力传感器的方式来实现对硅电容差压传感器性能测试过程中正、负腔管路的加卸压。这样便大大地节省了人力和时间,更加有效地提高了硅电容差压传感器性能测试效率。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2009年S1期）
陈玉玲,匡石,刘波,张哲[9]（2009）在《硅电容差压传感器批量测试工装夹具的设计》一文中研究指出针对硅电容差压传感器测试项目,达到对被测传感器实现批量、快速、连续的测试要求,设计了硅电容差压传感器测试工装夹具,并对其进行了有限元受力分析,充分证明了夹具的设计满足了测试过程对夹具的材料,密封性、轻便性以及各部分结构中心对准等的要求。(本文来源于《传感器世界》期刊2009年07期）
何庆,索智群,乔东海[10]（2009）在《单晶硅电容式低频传声器的设计和制作》一文中研究指出本文提出了一种新型低频电容传声器的结构,并具体阐述了其理论建模及制作工艺。该电容式低频传声器采用各向异性体刻蚀单晶硅作为振动膜,具有低频灵敏度高、频率响应平坦的特点。通过声电等效电路建模,对该传声器性能进行了理论分析,并根据理论分析结果对传声器结构进行设计和优化。测试结果和理论计算的符合程度很好。总之,采用该结构的低频电容式传声器制备简便、性能优异,可在低频声学领域中得到广泛应用。(本文来源于《2009’中国西部地区声学学术交流会论文集》期刊2009-07-01）
硅电容论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装的角度论述了固定极板的加工技术,并结合该器件的结构特点,讨论了适于小间隙、微结构芯片封装的等电位静电封接、双面同时静电封接等关键技术。该工艺技术已成功应用于硅电容微差压传感器的研制,效果良好,在结构型力敏器件的研制领域具有很好的推广应用价值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅电容论文参考文献
[1].龚中良,刘寒霜.硅电容式高精度双轴倾角传感器温度漂移补偿研究[J].传感器与微系统.2019
[2].李颖,张治国,张娜,刘剑,周磊.硅电容微差压敏感器件封装工艺研究[J].仪表技术与传感器.2013
[3].莫世雄,刘仁,李模刚.硅电容式压力传感器信号检测方法[J].化工自动化及仪表.2013
[4].张娜,李颖,张治国,祝永峰,董春华.双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用[J].仪表技术与传感器.2012
[5].庞士信,王超,匡石.基于FPGA的硅电容传感器调理模块设计[J].仪表技术与传感器.2010
[6].李颖,张治国,祝永峰,林洪,刘剑.硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用[J].仪表技术与传感器.2009
[7].杜健,张玉杰,苑庆迪,张立佳,宋洋.硅电容差压传感器在振动中的问题分析[J].仪表技术与传感器.2009
[8].陈玉玲,匡石,杨海波.硅电容差压传感器性能测试中PLC对压力的控制[J].仪表技术与传感器.2009
[9].陈玉玲,匡石,刘波,张哲.硅电容差压传感器批量测试工装夹具的设计[J].传感器世界.2009
[10].何庆,索智群,乔东海.单晶硅电容式低频传声器的设计和制作[C].2009’中国西部地区声学学术交流会论文集.2009
论文知识图
