导读:本文包含了哈密顿体系论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:哈密,对偶,体系,参量,磁共振,薄壁,结构。
哈密顿体系论文文献综述
王鹏飞[1]（2019）在《哈密顿理论体系下水力发电系统稳定性研究》一文中研究指出水力发电系统是由引水管道,水轮机,发电机,调速器和电力负荷五个子系统构成的典型能量交换与产生以及耗散的混杂系统。其稳定性与各子系统的动态特性直接相关,又不完全依赖于各子系统的独立行为,从能量层面可以概括为系统内部产生的能量与耗散,以及系统与外部环境能量交换之间的不平衡。因此,引入广义哈密顿系统理论,分别建立水力发电系统内部轴系统、外部水轮机调节系统和内外耦联系统广义哈密顿动力学模型,从能量角度分析水力发电系统动态特性及稳定性。本论文的主要内容包括以下几方面:(1)水力发电机组轴系哈密顿建模与动力学特性分析。以水轮发电机组转子与转轮为核心,定义广义坐标,构建主轴系统能量函数,推导广义动量建立轴系一阶微分运动方程。将附加外力作为输入激励组成机组轴系广义哈密顿理论模型。运用数值分析方法,结合实例探究在考虑不平衡磁拉力及水力不平衡力作用下,机组转速、阻尼系数等参数变化时转子与转轮系统动力学响应,以及主轴系统轴心轨迹与时、频域特性。分析结果表明,阻尼是影响系统稳定性的重要因素之一;阻尼系数较小时(0<c_1<2×10~6N·s/m,0<c_2<1.5×10~6N·s/m)系统运动存在明显的倍周期特性,横向振动幅值较大;当阻尼系数增大时系统表现为周期运动。最后通过理论模型对比与已有模型实验验证了模型可靠性。(2)水轮机调节系统哈密顿模型与突减负荷动态特性分析。利用广义哈密顿理论描述系统能量特性的优越性,通过正交分解实现方法,建立包含水轮机及其引水系统和发电机的水力发电机组哈密顿模型。首先,分别从理论推导和数值模拟验证所建模型的系统能量流变化与实际物理系统的一致性与正确性,和有效描述突减负荷暂态过程;进一步地探究了水力发电机组在突减负荷瞬态工况下机组的典型运行参数,流量、转速和功角等变化规律。结果表明所建哈密顿模型可以有效地描述水力发电系统瞬态过程中能量变化特征。(3)水力发电系统内外耦联暂态哈密顿建模与分析。考虑到水力发电系统多子系统耦合特性,以所建立的轴系一阶微分运动方程为主体,将机组转速作为关联因子与非线性水轮机广义哈密顿模型连接,构成水力发电系统水机电耦合暂态哈密顿模型。为了验证该模型,以机组开启过程为例,分析了不同导叶开启规律对轴系振动的影响及机组运行参数的变化特征。进一步研究了启动过程中水力发电机组内部广义能量的转换特性。结果表明,导叶初始开启速率增加一倍,机组转子轴心的最大振幅增加2.5%,转轮轴心最大振幅增加0.8%,转子振荡时长增加27%,转轮轴心振荡时长增加32%。所建模型在一定程度上能够正确地描述机组在瞬态工况下的运动规律,同时能够反映系统的能量耗散及转换,为水电站整体稳定性研究提供新的思路。(本文来源于《西北农林科技大学》期刊2019-05-01）
鲍晓非[2]（2019）在《改进的薄壁曲线梁弯扭耦合分析的哈密顿体系》一文中研究指出薄壁曲线梁桥具有抗扭刚度大、自重轻、外形优美等优点,是一种被广泛应用于城市高架桥、城市立交桥以及公路铁路桥的结构型式。但是由于薄壁曲线梁受曲率的影响,在外力作用下曲线梁内会出现弯扭耦合效应,所以曲线梁比直线梁分析会变得复杂。以往对薄壁曲线梁的研究,大多忽略了弯曲时剪切变形的影响,以及闭口断面曲线梁扭转时的二次剪切变形,这就使得对薄壁曲线梁的研究分析结果产生误差,因此对曲线梁桥弯扭分析问题进行分析研究是非常有意义的。本文考虑了弯曲时的剪切变形及扭转时的二次剪切变形,在铁摩辛柯梁理论基础上,根据符拉索夫假定、库尔布鲁纳—哈丁理论假定以及弯曲时平截面的假定下的弯扭耦合应变场,且考虑了应变场中剪应变曲率相关项,直接推导得到了薄壁曲线梁弯扭耦合的总势能,导出相应的拉格朗日函数和拉格朗日方程,通过勒让德变换引入对偶变量,得到了改进的任意断面薄壁曲线梁弯扭耦合的哈密顿对偶求解体系。选取合适的算例,验证了本文提出的理论的可行性。将本文理论与另外两种薄壁曲线梁弯扭问题分析的理论进行了对比分析,针对叁种理论在同一算例中相同工况下的计算结果进行对比研究,并进行了分析总结,指出叁种理论之间的差异,对薄壁曲线梁弯扭分析的理论有一定的完善。(本文来源于《河北工程大学》期刊2019-05-01）
翟昊[3]（2018）在《薄壁曲线梁弯扭耦合分析的哈密顿体系》一文中研究指出薄壁曲线梁因为适应地形的变化、节约建筑空间、结构性能良好的特点,被广泛应用在桥梁结构中。其中箱型、槽型断面薄壁结构应用最为广泛,满足了现代桥梁大跨径的需要。薄壁曲线梁所特有的“弯扭耦合”效应使得桥梁的受力变得相当复杂,所以对薄壁曲线梁弯扭耦合的研究变得十分必要。薄壁曲线梁的研究多是以薄壁杆件的理论为基础进行的,然而忽略薄壁曲线梁弯曲时的剪切变形将一定程度的增加误差,且对于闭口截面的梁,如果忽略约束扭转时产生的二次剪应力,即忽略了二次剪应力对扭转变形的影响将会使薄壁曲线梁的力学特性很难得到准确客观的反映。本文提出的对任意截面薄壁曲线梁弯扭耦合问题的研究理论基于如下叁点:其一,考虑了梁弯曲时的剪切变形;其二,考虑了扭转时的二次剪应力对扭转变形的影响;其叁,直接由梁弯扭耦合的应变场求总势能。具体过程为:在符拉索夫刚周边假定,库尔布鲁纳-哈丁理论对纵向翘曲位移的假定和弯曲时的平截面假定下,得到了弯扭耦合作用下任意断面薄壁杆件结构的总势能,并由此得出相应的拉格朗日函数。引入对偶变量,建立了任意截面薄壁曲线梁的弯扭耦合问题分析的哈密顿对偶体系,导出了弯扭耦合分析的哈密顿正则方程。用两端边值问题的精细积分法,运用Matlab编程求出高精度数值解。该方法是哈密顿力学在薄壁曲线梁的弯扭耦合问题中的应用,数学推导过程简单,且有成熟高效的数值算法,思路清晰、精度高、易于接受。最后针对薄壁曲线梁弯扭耦合时产生的内力与变形,进行分析比对,对实际计算结构的适用范围和优劣程度进行合理的判定。(本文来源于《河北工程大学》期刊2018-05-01）
丁长春[4]（2018）在《d~1和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出很多功能材料的奇异性能与其中过渡离子杂质的局部结构相关,并可借助电子顺磁共振(EPR)谱进行分析。对于过渡离子典型代表的d~1和d~7(以及d~9)体系,EPR实验研究积累了丰富的素材,但在自旋哈密顿参量理论分析方面存在系统性不够、未联系局部畸变以及忽略配体贡献等不足。本论文利用不同对称下d~1和d~7(以及d~9)离子自旋哈密顿参量微扰公式,对一些功能材料中上述杂质离子的EPR谱作出系统的理论解释,据此获得杂质局部结构信息,并对材料性能与局部结构的关系和变化规律进行探讨。首先,针对一些功能材料中的d~1离子,采用不同对称下自旋哈密顿参量微扰公式,分析了Jahn-Teller效应的影响,满意解释了EPR实验结果。(i)采用四角压缩八面体中3d~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,分析了NaPO_3-ZnO玻璃中V~(4+)的局部结构及其浓度变化关系。八面体[VO_6]~(8-)基团因Jahn-Teller效应表现为较小的四角压缩畸变。上述浓度变化规律可解释为混合碱效应引起的杂质局部行为随浓度的变化。(ii)采用正交压缩八面体中nd~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统研究了非线性光学材料KTiOPO_4(KTP)中占据不同位置的各类nd~1中心。Mo~(5+)中心I、W~(5+)中心II和III具有比母体时更明显的正交压缩畸变。3d~1中心C_1、C_2和C_3表现为较母体更大的轴向压缩率和平面键长相对变化率,其大小顺序(C_1>C_2>C_3)分别与轴向和垂向的各向异性Δg和δg相一致。(iii)基于正交(斜方)伸长八面体和四面体中d~1离子的自旋哈密顿参量微扰公式,研究了ZnWO_4中两个Ti~(3+)中心C_1和C_2。中心C_1归因于占据母体四面体W~(6+)位置的Ti~(3+),伴随两个最近邻空位。Jahn-Teller效应使该[TiO_4]~(5?)基团变为正交伸长四面体。另外,Jahn-Teller效应使占据Zn~(2+)位置的中心C_2发生轻微的轴向伸长和明显的平面键角变化,对应于更加规则的八面体。首次建立了正交八面体中3d_1离子阳离子配体超超精细结构参量的微扰公式,由此得到C_1中心杂质次近邻W~(6+)配体的超超精细结构参量与实验符合较好。其次,针对不同情形的d~7离子,系统研究了一些功能材料中上述离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)针对较强共价性的ZnO微线、薄膜和块体中Co~(2+)中心(弱场高自旋情形),建立了同时包含晶场和荷移机制的叁角畸变四面体中3d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,发现荷移机制的贡献不容忽视。杂质Co~(2+)并非占据理想Zn~(2+)位置,而是沿叁次轴方向发生很小的轴向位移,对应于比母体更小的局部叁角畸变。(ii)基于斜方畸变八面体中3d~7离子(中间场高自旋情形)自旋哈密顿参量的微扰公式,研究了NaF中占据母体Na~+位置的斜方Fe~+的局部结构,发现杂质沿二次轴([110])方向朝最近邻阳离子空位V_(Na)位移约0.28?。(iii)针对电极材料LiAlyCo_(1-y)O_2中占据Co~(3+)位置的常规四角Ni~(3+)中心和罕见叁角Ni~(3+)中心(均属强场低自旋情形),分别采用四角和叁角畸变八面体中3d~7离子的g因子微扰公式,满意解释了不同浓度下g因子的实验结果,发现其各向异性的浓度变化趋势与局部畸变程度一致,且Al的掺入明显增强了Ni~(3+)的局部晶场和轴向畸变。叁角体系的叁角畸变角随Al浓度y变化极小,而四角体系的四角伸长率则随y的增大略微增加。(iv)采用正交畸变八面体中4d~7离子(极强场低自旋情形)自旋哈密顿参量微扰公式,对掺杂Rh~(2+)的KTA中的中心C_1和KTP中的中心C_2和C_3进行了分析,上述中心具有显着的轴向伸长和很小的平面键长相对变化,分别与轴向和垂向各向异性?g和?g对应。(v)针对ZnWO_4中的两个Pt~(3+)中心(极强场低自旋情形),分别采用斜方伸长和压缩八面体中5d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,得到的理论值与实验符合很好。发现占据Zn~(2+)位置的伸长(和压缩)中心因Jahn-Teller效应分别发生0.01?的轴向伸长(和0.02?的轴向压缩)和7.4o(和7.8o)的平面键角变化,显着降低了原Zn~(2+)位置很大的轴向伸长和平面角度畸变,导致更加规则的八面体[PtO_6]~(9–)基团。最后,采用四角或斜方伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式,研究了一些功能材料中Cu~(2+)离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)研究了MPSC玻璃中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量和局部结构随杂质浓度的变化规律,发现Jahn-Teller效应引起[CuO_6]~(10?)基团中度的四角伸长,该规律可解释为相关参量关于浓度的傅里叶型函数关系。(ii)对于LaSrGa_(0.995)Cu_(0.005)O_4,杂质Cu~(2+)的局部伸长率略大于母体Ga~(3+)位置。首次从理论上研究了阳离子配体Ga~(3+)的超超精细结构参量,并对相比常见阴离子配体的奇异性(即平行分量小于垂直分量)作出了分析。Cu~(2+)-O~(2-)轨道杂化和局部伸长在一定程度上可表征此类材料中铜氧平面的性质。(iii)研究了ZnWO_4中占据母体Zn~(2+)位置的杂质Cu~(2+)中心的局部结构,发现轴向伸长量为0.01?,平面键角变化为8.1°,Jahn-Teller缩小因子为0.29,使杂质中心更接近于规则八面体,并对应于各向同性的g因子。(iv)针对桨轮型双核铜(II)络合物{Cu_2(μ_2-O_2CCH_3)_4}(OCNH_2CH_3)粉末和单晶,采用ORCA软件对其结构和g因子进行了DFT计算,分析了[CuO_5]基团的电子结构和铜-氧共价性,模拟了可见紫外光吸收谱。计算了铜位置对OCNH_2CH_3、NH_3和H_2O等小分子的吸附性质。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-04-15）
徐成辉,周震寰,荣达伦[5]（2017）在《哈密顿体系下双层石墨烯纳米带波传播规律研究》一文中研究指出双层石墨烯纳米带结构作为一种新型的纳米元件,具有特殊的力学、电学以及化学等性质,已被广泛应用于纳米机电系统(NEMS)和纳米光机系统(NOMS)。这些器件的设计、制造及使用都依赖于双层纳米带结构动力学性质,因此研究双层纳米带的动力学特性具有重要的意义。双层石墨烯纳米带间通过范德华力相连,在弯曲波传播过程中,呈现出两种振动模式,即同步振动和异步振动(In-phase mode and anti-phase mode)。本文基于Kirchhoff薄板理论和非局部理论,引入辛对偶变量,建立了双层纳米带结构的哈密顿正则方程。通过求解哈密顿方程,得到双层纳米带结构弯曲波传播的色散关系。计算表明,同步振动和异步振动的波传播性质差异较大,双层纳米带的弯曲频率、相速度和群速度与非局部参数、地基刚度和范德华力等密切相关。研究成果将为微纳米功能器件中双层石墨烯纳米带结构的动力学设计提供理论依据。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场31-35》期刊2017-10-21）
张维祥,陈丽[6]（2016）在《哈密顿体系与粘弹性理论研究》一文中研究指出利用Laplace积分变换,将时域中粘弹性控制方程描述为Laplace空间,使得哈密顿体系得以成功应用,从而建立了以位移和应力为基本变量的正则方程组,将粘弹性问题转化为求解正则方程的零本征值本征解和非零本征值本征解。其中零本征值本征解涵盖了所有拉伸、弯曲等基本变形,是不随空间坐标衰减的。(本文来源于《第十五届现代数学和力学学术会议摘要集（MMM-XV 2016）》期刊2016-08-25）
张维祥,陈丽[7]（2016）在《哈密顿体系与粘弹性应用研究》一文中研究指出以工程中常见的拉伸和弯曲为例,根据辛体系的性质和本征解之间的辛正交归一关系给出了粘弹性边界条件问题的处理方法,并就拉伸、弯曲等问题展开计算。计算结果从整体上描述了粘弹性材料的蠕变和应力松弛等对时间的依赖性。(本文来源于《第十五届现代数学和力学学术会议摘要集（MMM-XV 2016）》期刊2016-08-25）
胡启平,王鸿儒[8]（2016）在《框架核心筒伸臂结构分析的哈密顿对偶体系》一文中研究指出采用框架核心筒伸臂结构的简化计算模型,将核心筒看做底端固定上端自由的悬臂梁,伸臂对核心筒的约束作用看做抗扭弹簧,考虑核心筒和伸臂的弯曲、剪切变形及核心筒的宽度影响,导出了结构的Hamilton对偶求解体系,通过两端边值问题的精细积分法,求解核心筒的内力与变形。以施加倒叁角水平荷载的框架核心筒伸臂结构为例,进行算例计算。(本文来源于《土木建筑与环境工程》期刊2016年S1期）
胡贤芬[9]（2016）在《晶体中d~5和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出掺杂过渡离子的功能材料常表现出独特的光学和磁学等性质,并敏感地依赖于其中过渡离子杂质的电子能级和局部结构。电子顺磁共振谱(EPR)是研究晶体和化合物中未配对电子能级跃迁、缺陷结构以及光学和磁学性质等的有效手段。通过对这些体系EPR谱的自旋哈密顿参量(g因子、零场分裂、超精细结构常数以及超超精细结构参量等)进行分析,可获得杂质离子自旋能级、局部结构等重要微观信息,为含过渡离子的新型功能材料的设计提供有效的理论依据。d~5和d~7离子是过渡族中非常重要且较复杂的体系,既是诸多功能材料(如激光晶体、发光材料和生物蛋白质等)的活性中心,也包含强场和弱场、高自旋和低自旋等问题。前人在上述离子的EPR实验研究方面积累了较丰富的数据,但在理论解释上显得不足。1)引入较多调节参量描述低对称畸变,未能定量地把杂质局部结构与自旋哈密顿参量相联系,故难以获得杂质局部结构信息;2)大多基于传统晶场模型,未考虑配体轨道和旋轨耦合贡献,尤其对一些强共价体系忽略了电荷转移机制的影响;3)对超超精细结构参量的处理通常靠直接拟合两个实验值来获得未配对自旋密度,未建立未配对自旋密度与体系共价性等的定量关系。为了克服上述不足,本工作基于离子簇模型,采用不同对称(立方、叁角、四角和斜方等)下d~5和d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统分析了一些典型的d~5(包括弱场高自旋的Cr~+和Fe~(3+)以及强场低自旋的Ru~(3+))和d~7(包括中间场高自旋的Co_(2+)和强场低自旋的Rh2+)体系,在满意解释其EPR实验结果的基础上获得了杂质中心的局部结构信息。(1)系统分析了强共价立方和叁角畸变四面体中3d~5离子的自旋哈密顿参量,具体考虑了电荷转移对g因子和超精细结构常数以及零场分裂的影响,建立了相关参量与体系共价性和杂质局部畸变的定量关系。将上述公式分别应用于Zn X(X=S,Se,Te)和Cd Te中的立方Cr~+中心以及Cd X(X=S,Se,Te)中的叁角或立方Fe~(3+)中心,研究发现,1)电荷转移机制的影响不容忽视。立方情形下电荷转移机制对g因子位移Δg(=Δg CT+Δg CF)的贡献与晶场机制反号(即为正)且更加显着,比率|Δg CT/Δg CF|对配体S,Se和Te分别为11%,66%和104%(71%);电荷转移对超精细结构常数的贡献与晶场机制同号(即为正)且为晶场机制的50-53%。对叁角情形,电荷转移对零场分裂的贡献与晶场机制的比率DCT/DCF对配体S和Se分别为133%和1600%,对g因子位移的贡献也很显着且随配体旋轨耦合系数增大而明显增大(即S<Se<Te)。2)Cd S和Cd Se中叁角Fe~(3+)中心的杂质-母体阳离子尺寸或电荷失配引起明显的局部畸变,并导致零场分裂的显着变化。计算发现,杂质Fe~(3+)并非正好处于母体阳离子位置而是沿着C3轴向远离配体叁角形的方向分别位移0.14?和0.006?。基于上述局部畸变(杂质位移)且包含电荷转移贡献的自旋哈密顿参量理论值与实验吻合很好。(2)首次建立了斜方对称下低自旋4d~5离子自旋哈密顿参量微扰公式,得到了相关参量(如分子轨道系数、未配对自旋密度和晶场参量等)与体系共价性和局部畸变的定量关系。将上述公式应用于Ag X(X=Cl,Br)中的叁种斜方Ru~(3+)中心,研究发现,对A,A′,X和X′中心,Ru~(3+)因受到阳离子空位的吸引沿[110]轴分别位移0.022,0.017,0.019和0.015?;同时,A,A′,B,B′,X和X′中心毗邻阳离子空位的配体X因受其静电排斥作用而向远离空位的方向分别位移0.03,0.05,0.006,0.001?,0.022和0.006?。(3)利用4T1g(F)态下6×6能量矩阵建立了叁角畸变八面体中3d~7离子自旋哈密顿参量的微扰公式,并考虑了前人通常忽略的不同J之间Kramers双重态的混合、局部低对称(叁角)畸变以及配体轨道和旋轨耦合作用等的影响。将此公式应用于Mg Cl_2中的叁角Co_(2+)中心,发现杂质-配体键角增大3.44°,使原本轻微压缩的配体八面体发生进一步的压缩,并揭示不同J之间Kramers双重态的混合对自旋哈密顿参量的贡献不能忽略。此外,还对具有相同叁角环境(D3d对称)的不同晶体中Co_(2+)的杂质局部畸变性质作出了系统的比较。(4)基于斜方(正交)对称下低自旋4d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,将g因子、超精细结构常数和超超精细结构参量的理论分析与体系局部结构定量地联系起来。将上述公式应用于Ag Cl中的两种斜方(正交)Rh~(2+)中心R4和R5以及NH_4Cl中的Rh~(2+)中心。研究发现由于受到带有效正电荷的H2O分子静电排斥作用,R4和R5中心的Rh~(2+)分别沿[110]和[100]方向位移0.006和0.008?,同时R5中心毗邻空位的配体因受到空位静电排斥作用而向远离空位的方向位移0.01?。NH_4Cl中的四角Rh~(2+)中心归因于占据填隙位置的Rh~(3+)得到一个电子被还原为顺磁的Rh~(2+),其两个最近邻轴向NH~(4+)因电荷补偿分别被H_2O分子代替,因轴向H_2O分子的晶场强于垂直方向Cl~-的晶场而表现为四角压缩八面体。(5)d~9离子在四角伸长或斜方(正交)压缩八面体中的能级结构和基态与强场低自旋4d~7离子在四角压缩或斜方(正交)伸长八面体中非常类似。首先,基于四角伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统研究了TO_2(M=Te,Ge)晶体或非晶以及(Tl_(0.5)Pb_(0.5))Sr_2Ca Cu_2O_7)高温超导体中Cu~(2+)的EPR谱,发现Te O_2和Ge O_2晶体和非晶中的Cu~2+中心由于Jahn-Teller效应分别产生11.4%,9.5%,10.8%和6.6%的相对四角伸长率;高温超导体(Tl_(0.5)Pb_(0.5))Sr_2Ca Cu_2O_7)中观察到的各向异性(?)和(?)>(?)归结于四角畸变下~2B_1g基态。其次,基于斜方(正交)压缩八面体中4d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式研究了NH_4Cl中正交Rh0中心的局部结构,研究发现其两个最近邻轴向NH~(4+)因电荷补偿分别被H_2O分子代替,而平面键长因Jahn-Teller效应沿[011]和[110]方向产生0.042?的相对变化,从而表现为正交压缩八面体。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-28）
虞明,吴式玉[10]（2015）在《一种适于大尺度复杂纳米体系材料模拟的半经验哈密顿方法》一文中研究指出本文综述介绍了近来发展的一种具有可靠性、普适性和预测性的半经验哈密顿方法.该哈密顿在原子轨道的线性组合(LCAO)框架下同时引入了电荷自洽及环境因素(SCED),称之为SCED-LCAO哈密顿.由于SECD-LCAO哈密顿囊括了电荷自洽重组、电子屏蔽效应以及多体环境的影响,使得该方法可以更加准确地描述在复杂结构重组中化学键的成键与断键过程.其动力学计算可用于模拟大尺度复杂纳米体系的结构特性、电子性能以及复杂结构的重组过程.我们已经用此方法成功地解释了不同种类碳团簇纳米结构的相对稳定性和bucky-diamond结构碳团簇的热力学相变,揭示了碳管生长的初始机理,系统地研究了碳化硅纳米线的构型与能量之间的关系及其电子性能,发现了碳化硅笼状结构的特征,尤其是碳化硅笼状结构的动力学自动组装功能,并预示了bucky-diamond结构的碳化硅团簇存在的可能性.最近,该方法引入了与环境关联的轨道占据因素,并成功地运用到研究具有叁价电子特性的多构硼元素体系中,准确地描述了硼元素的复杂化学成键特性、同类异性结构以及不同种类硼团簇纳米结构的相对稳定性.(本文来源于《物理学报》期刊2015年18期）
哈密顿体系论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
薄壁曲线梁桥具有抗扭刚度大、自重轻、外形优美等优点,是一种被广泛应用于城市高架桥、城市立交桥以及公路铁路桥的结构型式。但是由于薄壁曲线梁受曲率的影响,在外力作用下曲线梁内会出现弯扭耦合效应,所以曲线梁比直线梁分析会变得复杂。以往对薄壁曲线梁的研究,大多忽略了弯曲时剪切变形的影响,以及闭口断面曲线梁扭转时的二次剪切变形,这就使得对薄壁曲线梁的研究分析结果产生误差,因此对曲线梁桥弯扭分析问题进行分析研究是非常有意义的。本文考虑了弯曲时的剪切变形及扭转时的二次剪切变形,在铁摩辛柯梁理论基础上,根据符拉索夫假定、库尔布鲁纳—哈丁理论假定以及弯曲时平截面的假定下的弯扭耦合应变场,且考虑了应变场中剪应变曲率相关项,直接推导得到了薄壁曲线梁弯扭耦合的总势能,导出相应的拉格朗日函数和拉格朗日方程,通过勒让德变换引入对偶变量,得到了改进的任意断面薄壁曲线梁弯扭耦合的哈密顿对偶求解体系。选取合适的算例,验证了本文提出的理论的可行性。将本文理论与另外两种薄壁曲线梁弯扭问题分析的理论进行了对比分析,针对叁种理论在同一算例中相同工况下的计算结果进行对比研究,并进行了分析总结,指出叁种理论之间的差异,对薄壁曲线梁弯扭分析的理论有一定的完善。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
哈密顿体系论文参考文献
[1].王鹏飞.哈密顿理论体系下水力发电系统稳定性研究[D].西北农林科技大学.2019
[2].鲍晓非.改进的薄壁曲线梁弯扭耦合分析的哈密顿体系[D].河北工程大学.2019
[3].翟昊.薄壁曲线梁弯扭耦合分析的哈密顿体系[D].河北工程大学.2018
[4].丁长春.d~1和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2018
[5].徐成辉,周震寰,荣达伦.哈密顿体系下双层石墨烯纳米带波传播规律研究[C].第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场31-35.2017
[6].张维祥,陈丽.哈密顿体系与粘弹性理论研究[C].第十五届现代数学和力学学术会议摘要集（MMM-XV2016）.2016
[7].张维祥,陈丽.哈密顿体系与粘弹性应用研究[C].第十五届现代数学和力学学术会议摘要集（MMM-XV2016）.2016
[8].胡启平,王鸿儒.框架核心筒伸臂结构分析的哈密顿对偶体系[J].土木建筑与环境工程.2016
[9].胡贤芬.晶体中d~5和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2016
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