论文摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算和分析了三种InSe/h-BN异质结的结构和电子性质.研究发现InSe/h-BN异质结具有间接带隙特点,并且价带顶和导带底的贡献均来自于InSe,差分电荷密度表明体系中没有明显的电荷交换.通过体系能带结构,我们发现h-BN层对单层InSe有着明显的调控效应.对比纯粹应变调控下单层的InSe的能带结构,发现h-BN对InSe能带结构的调控效应实际上是由InSe和h-BN之间的相互作用而诱导的晶格应变引起的.我们的研究结果表明,单层InSe沉积或生长在不同h-BN片上可以获得不同的晶格应变,实现对单层InSe能带结构的有效调控.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 谢子锋,张智慧,李赫,郑丹,段理
关键词: 异质结,第一性原理,能带结构,晶格调控
来源: 原子与分子物理学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 长安大学材料科学与工程学院,长安大学环境科学与工程学院
基金: 长安大学研究生科研创新实践项目(2018131)
分类号: TB303
页码: 505-510
总页数: 6
文件大小: 1547K
下载量: 171
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