导读:本文包含了外围电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:存储器,电路,线性,暗计,可编程,表决器,加法器。
外围电路论文文献综述
张兰兰,柏虎,曹鲁明,韩庆福,孟国龙[1]（2019）在《TPS57160电源芯片外围电路初步设计》一文中研究指出随着车辆控制器使用数量的逐步增加,整车对车辆控制器静态电流的要求日趋严格。车辆控制器静态电流的大小与电源芯片的选择有很大的关系。TPS57160是一款车规级DC/DC电源芯片,无负载,关断情况下,其本身的静态电流可以降到1.5u A。TPS57160最大输出电流可达到1.5A,可以应用在多款车辆控制器上,文中给出了TPS57160外围电路的初步设计和器件选型准则。(本文来源于《重型汽车》期刊2019年04期）
张鹏程,王斐,张任[2]（2019）在《“互联网+”背景下《单片机原理与外围电路》教学方法改革与探索》一文中研究指出随着信息技术日益发展,单片机在工业领域、智能家居等方面的应用变得更加广泛,以单片机技术为核心的智能化技术处于主流位置。《单片机原理与外围电路》作为工程专业的必修基础课程,具有明显的教学地位。目前该课程主要采用传统的教学模式,偏重理论教学,学生被动接受,教学效果不理想。在"互联网+"背景下,为改变这种状况,激发学生学习热情,探索该课程的教学新方法,如项目驱动式教学法、物联网技术结合法等,以优化教学效果,培养适应"互联网+"时代的高素质人才。(本文来源于《教育现代化》期刊2019年45期）
李慧妍,姜彪,李荣正,戴国银[3]（2019）在《基于LVDT微位移测量系统及外围电路设计与实现》一文中研究指出针对现有微位移测试系统的诸多不足,设计了一种基于LVDT的微位移测量系统。采用线性差动变压器LVDT作为系统位移敏感元件,通过搭建实验测试平台,对系统进行了一系列的静态测试,并着重对微位移测量系统样机进行了测试分析。实验测试结果表明,系统在量程400内,能够手动进行任意标定,分辨率约为0.1,精度约为2～3,相对误差小于4%,线性度可达0.06%以内,时间稳定性约为0.2/h。(本文来源于《数码世界》期刊2019年05期）
孙园翔,周宇晗,张文宇,汤旭[4]（2018）在《基于Arduino的电动汽车外围控制电路设计》一文中研究指出上世纪70年代全球叁次石油危机爆发后,各跨国汽车公司先后开始研发各种类型的电动汽车。我国经过"八五"、"九五"、"十五"叁个五年计划,在研发电动汽车的专项上投入了大量的人力、物力和财力,并取得了一系列科研成果,但是,迄今为止,这些科研成果真正能转化为产品,并实现产业化生产的项目并不多。国外大汽车公司投入远比我国更多的资金和人力,已投入批量生产的电动汽车产品也寥寥无几。随着全球能源危机的不断加深,石油资源的日趋枯竭以及大气污染、全球气温上升的危害加剧,各国政府及汽车企业普遍认识到节能和减排是未来汽车技术发展的主攻方向,发展电动汽车将是解决这二个技术难点的最佳途径。(本文来源于《电子制作》期刊2018年17期）
范冬宇[5]（2018）在《基于阻变存储器的逻辑计算电路及外围读写电路设计》一文中研究指出目前最为广泛的计算机体系架构是冯·诺依曼架构,在此架构中计算机的处理设备(CPU)与存储器设备是分离的,处理器与存储器通过数据总线通道链接。而这种将存储器与处理器分开的结构会产生了“冯·诺依曼瓶颈”问题,限制了计算机处理数据速度的提高,引发了“存储墙”问题。为了解决此问题,人们迫切的希望能有更先进的结构出现,于是存储计算一体化的概念变被提出,即将计算机的处理器与存储器相结合,这便对存储设备提出了更高的要求。阻变存储器设备(RRAM)由于其不仅具备非挥发性的存储特点,而且还具备优异的电学特性成为了解决这一问题的有利“候选者”。阻变存储器既可以作为存储设备完成数据的存储功能,同时也可以进行逻辑计算,可以实现计算与存储的结合,可能成为未来计算机结构的重要组成部分。但同时对于阻变存储器的开发尚在理论研究阶段,阻变存储器的温度特性还不是十分稳定,尚可在电路方面进行改进。基于阻变存储器的逻辑计算方法已经有一些论文进行讨论,本文是在前人的基础上利用新型的计算逻辑设计了效率更高的计算电路,同时也针对阻变存储器的温度特性,对存储器芯片的外围读写电路展开改进,提高了阻变存储器在不同温度下的稳定性,论文的主要工作如下:首先,本文基于阻变存储器的新型逻辑方法一一多数表决器逻辑,设计了高效的一位全加器电路,并拓展了乘法器电路的设计,与传统的“蕴含”逻辑对比,本文设计的加法器在计算步骤上面最少,降低了操作脉冲的冗余度,减小了操作步骤之间的计算误差,电路验证本文设计的加法器可以正确的完成加法运算。其次,本文针对阻变存储器随温度变化的特点,在存储器芯片外层电路设计方面采用了写验证方法和自适应的灵敏放大器来应对。对写入的数据经过多次验证再写入到存储器中,牺牲了写入速度但是提高了存储的准确性,也使得在计算时减少了错误的产生。而在读出数据方面,通过可以自适应的灵敏放大器,根据温度条件的不同来改变参考信号的大小来确保读出的正确性。最后,通过仿真和实验验证,基于阻变存储器可以实现存储与计算一体化,为未来计算机的新型结构提供了一种可能,并且通过外围电路的设计可以提高阻变存储器芯片对温度的稳定性,拓宽了阻变存储器芯片的工作温度范围。(本文来源于《北方工业大学》期刊2018-05-30）
刘姑城[6]（2018）在《双极性阻变存储器外围关键电路设计》一文中研究指出随着科技的进步,人们对人工智能、大数据、云计算和物联网等新兴学科的关注度越来越高。这些学科的发展都是通过对于大量目标数据进行采集存储,再通过相关算法对这些数据进行分析应用。由于人们对于高分辨率的图片和高清晰度的视频等数据强烈的保存需求,而这些存储信息数据的产生呈现指数式增长,因此促进了人们对于低功耗和高性能的存储器日益增长的需求。非易失性存储器(Nonvolatile RAM,NVM)因为具有芯片掉电存储信息保留不变的优异特点,广泛受到消费市场的青睐。闪存(Flash)是当下非易失性存储器消费市场的中流砥柱,占据主导位置,但是随着工艺的进步和人们需求的提高,闪存在数据密度、功耗和速度等方面遇到瓶颈的限制,人们不断寻找探索新兴存储技术和材料来解决这些问题。阻变存储器因为具有高微缩性、低功耗、高存储密度、结构简单、工艺兼容、易集成等优点,被人们认为最有希望取代闪存的新型存储器。但目前由于其机理并没有完全清楚,因此需要根据阻变存储器(RRAM)特性设计合适的外围电路以及编程算法。本文基于阻变器件的阻值状态改变的机理研究,阐述RRAM的优势及其存在的缺点。针对没有适合用于仿真验证的阻变器件模型的困境,基于双极性RRAM的电学特性,建立了两种电路模型,一种模型是用MOS器件搭建,另外一种模型是用Verilog-A硬件描述语言搭建,并通过spectre仿真工具验证两种模型的准确性。对比两种阻变器件模型,考虑电路运算量、寄生以及为了方便后续细节参数调节,基于Verilog-A的阻变模型更具优势,并且可以模拟实际阻变器件的Forming操作时的电阻。所以本文采用该模型进行后续电路设计。其次,通过介绍RRAM常见的存储单元结构,确定使用1T1R型存储结构作为本设计的基本单元结构。基于1T1R型的存储单元结构设计了读写电路,分析了常见的编程算法,并且根据设计的RRAM读写电路设计了脉宽和脉高都可调节的编程算法,进行仿真验证。然后,对RRAM灵敏放大器和译码电路进行设计优化,并进行仿真验证。首先分析了传统的灵敏放大器存在的弊端,介绍了几种文献中优化的灵敏放大器,给出优化的多预充电流采样灵敏放大器的电路结构及其仿真情况。接着,介绍了常见的译码器的优缺点,根据需求设计了两级译码结构,并通过仿真验证字线译码器和位线译码器地址译码功能的正确性。最后进行整体的读写功能完整性验证。通过对不同地址单元的写操作和读操作仿真,观察相应目标单元的位线电压建立情况,确定目标单元可以正确写入数据,并且数据可以被正确读出。通过对相同地址单元的写操作和读操作,观察相应目标单元SET电压和RESET电压建立情况,确定目标单元的阻变器件模型可以模拟实际器件阻变行为,并且转变的电阻状态可以被正确识别。(本文来源于《安徽大学》期刊2018-03-01）
赵磊[7]（2018）在《外围控制电路设计——电气柜的设计》一文中研究指出随着生产需求的增加,单一的加工产量已不能满足生活需要,同时,对一些零部件的设计难度增加,普通机床几经无法达到并加工这样的零件。为了降低加工成本,提高加工效率。采用数控化改造技术已成为一种普遍现象。本文主要通过机床的实际参数,自行设计电气柜,学会电气柜的设计要求。(本文来源于《科技风》期刊2018年04期）
鲍孝圆[8]（2017）在《基于CMOS工艺单光子雪崩二极管及外围电路的研究》一文中研究指出随着单光子探测技术应用范围的不断扩展,对其核心部件--光电探测器提出了更高要求。传统的PMT、APD等光电器件已无法满足精确探测仅几个光子量级的微弱光以及皮秒量级的时间分辨率等要求。鉴于此,研究人员提出了一种工作在盖革模式下的APD,称为单光子雪崩二极管(SPAD),它具有内部增益大、灵敏度高和噪声低等优点,且CMOS工艺制备的SPAD器件克服了与CMOS电路难兼容以及价格昂贵等难题,有利于大规模制造与应用,因此对于CMOS SPAD的研究具有非常重要的意义。本文基于0.18μm CMOS工艺设计出一种p+/n-well/p-sub平面结构的SPAD器件,并带有p阱保护环结构。其中,p+/n-well结是雪崩区,用作光电转化;n-well是主要的光吸收区域;采用p衬底有利于集成;p阱保护环则用于抑制边缘提前击穿。由于p+/n-well/p-sub结构的SPAD器件存在对长波长探测效率较低、暗计数率较高等问题,在此结构基础上对其进行优化设计。第一、在p+/n-well结中间增加一层p-well结构,使p-well/n-well结成为雪崩结,不仅增加了雪崩结结深,有利于提高长波长光的探测效率,还使倍增区电场减少,同时降低雪崩击穿电压和暗计数率噪声;第二、引进深n阱结构,增加光吸收区域有利于提高探测效率;第叁、采用p-sub虚拟保护环结构抑制边缘提前击穿现象,从而设计出了一种优化型p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD结构。同时探讨不同深n阱浓度对I-V特性的影响,不同光窗口面积对探测效率的影响,不同偏置电压对暗计数率的影响等。对所设计的p+/n-well/p-sub型SPAD器件结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k,光窗口长度为20μm时,击穿电压为-22.0V,响应度波长范围在300nm-600nm之间效果较好,过偏压1V时,在波长420nm处最大探测效率为30%,暗计数率为28.3kHz。对所设计的p+/p-well/n-well/DNW/p-sub型SPAD器件优化结构进行仿真分析,结果表明:在环境温度300k时,深n阱浓度在2.0×10~(16)cm~(-3)时I-V曲线最为陡峭,p-sub虚拟保护环宽度在1.0μm时器件击穿特性最好,光窗口面积对击穿电压大小影响甚微,但面积越大暗电流越高,同时探测效率也有所增加,折中决定光窗口长度为20μm。得到雪崩击穿电压为-12.0V,在波长300nm-800nm之间响应度均高于0.2A/W,在550nm处响应度最高达0.45A/W。过偏压2V时,探测效率峰值为55%,暗计数率约为16.5kHz,与第一种器件结构相比参数性能都有所改善。由于SPAD器件触发的雪崩不会自动淬灭,于是本文详细分析了叁种常用的外围淬灭电路,并对无源淬灭电路进行设计,结合SPAD器件等效电路模型,利用cadence软件瞬态仿真得到死时间为20ns。又由于淬灭电路输出的是离散脉冲信号,还对外围计数电路进行设计分析,所得到的外围数字计数电路频率为500MHz,满足单光子雪崩脉冲计数要求。(本文来源于《重庆邮电大学》期刊2017-04-10）
王佳宋[9]（2016）在《基于标准CMOS工艺的多次可编程存储器系统建模与关键外围电路研究》一文中研究指出基于标准CMOS工艺制作的多次可编程存储器,可以说拓展了存储器的应用范围和系统功能,这种存储器主要面向于需要低成本、低功耗、中等容量及高可靠性的应用场合。本文首先在掌握多次可编程存储器整体架构和各模块功能后,使用硬件语言对各个模块的行为进行建模,忽略电路细节,并由这些模块搭建系统行为模型。通过仿真,验证了系统模型的正确性及设计方案的可行性,明确了各个接口的定义和模块的设计需求,并且由于对模型的仿真以算术逻辑运算为主,比需要解微分方程的SPICE电路仿真,在速度上快几个数量级,极大地提高了验证的效率,同时,在设计的过程中生成了相应的测试方法和测试向量,提高了验证的覆盖率。为提高存储单元写入和读取的可靠性,本文对电压切换电路和灵敏放大器进行了可靠性设计。新提出的行列电压切换电路利用堆迭的锁存器和MOS开关取代传统电压切换电路中的高压管,使其与标准CMOS工艺完全兼容,极大地降低了制造成本,并且由于高压经过了严格的分压,保证了新电路中的每个MOS管都工作在额定电压下,极大地提高了行列电压切换电路的可靠性。在不需要额外电路的情况下,新提出的电路实现了组合输出,极大地降低了电压切换电路在整个存储器芯片中所占用的面积。而新提出的灵敏放大器具有抗失配,高可靠性,高灵敏度,低功耗的特点,基于SIMC 0.13μm标准单元库的仿真结果显示,新型灵敏放大器在单元电流低至100 nA,电流差小至60 nA时,仍可以达到100%的读取成功率,具有极高的灵敏度,在存在100 mV阈值电压失配的情况下,仍能正常工作,具有良好的抗失配效果。在1.2 V的工作电压,2 MHz的工作频率,典型工作条件下,新型灵敏放大器的功耗仅为347.9 nW,延时为151.64 ns,面积为386μm~2,完全满足于多次可编程存储器的应用需求。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-10-01）
鄢晓[10]（2015）在《基于MCU的D类音频功放动态控制外围电路的设计》一文中研究指出本文从移动通信终端对于音频功放的需求以及常用扬声器的特点出发,结合实际工程设计遇到的困境,以“移动通信终端的音频放大子系统器件”为设计方向,围绕传统D类功放,设计了一种基于51核心MCU并结合常见逻辑控制电路的工程验证电路架构,在宽动态范围输入信号的条件下,实现了对功放输出功率的动态控制,确保扬声器不因超功率工作损坏。在设计中,为了以低成本实现拟定的设计指标,采用了多种设计方法。设计之初即以单电源设计为基础,避免电源设计上有过多的需求;为避开数字控制系统对于模拟信号控制需要依赖高采样率的问题,避免采用FPGA、DSP、高速ADC等昂贵且对外围系统要求较高处理架构,设计中以低速处理设备为核心,辅以模拟积分以及逻辑控制电路,实现对扬声器承受功率的实时侦测;功率侦测机制上,在门限判定基础上,预留了ADC,为精细功率侦测和多种控制功率的软件方案预留了硬件接口等。该系统在测试中达到了拟定的设计指标,有较好的工程参考意义,为此类系统在硬件上进一步完成芯片级的整合,在软件上实现“音频动态功率范围的软件可编程控制”提供了一种基本架构支持和工程设计思路。(本文来源于《华南理工大学》期刊2015-10-13）
外围电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着信息技术日益发展,单片机在工业领域、智能家居等方面的应用变得更加广泛,以单片机技术为核心的智能化技术处于主流位置。《单片机原理与外围电路》作为工程专业的必修基础课程,具有明显的教学地位。目前该课程主要采用传统的教学模式,偏重理论教学,学生被动接受,教学效果不理想。在"互联网+"背景下,为改变这种状况,激发学生学习热情,探索该课程的教学新方法,如项目驱动式教学法、物联网技术结合法等,以优化教学效果,培养适应"互联网+"时代的高素质人才。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
外围电路论文参考文献
[1].张兰兰,柏虎,曹鲁明,韩庆福,孟国龙.TPS57160电源芯片外围电路初步设计[J].重型汽车.2019
[2].张鹏程,王斐,张任.“互联网+”背景下《单片机原理与外围电路》教学方法改革与探索[J].教育现代化.2019
[3].李慧妍,姜彪,李荣正,戴国银.基于LVDT微位移测量系统及外围电路设计与实现[J].数码世界.2019
[4].孙园翔,周宇晗,张文宇,汤旭.基于Arduino的电动汽车外围控制电路设计[J].电子制作.2018
[5].范冬宇.基于阻变存储器的逻辑计算电路及外围读写电路设计[D].北方工业大学.2018
[6].刘姑城.双极性阻变存储器外围关键电路设计[D].安徽大学.2018
[7].赵磊.外围控制电路设计——电气柜的设计[J].科技风.2018
[8].鲍孝圆.基于CMOS工艺单光子雪崩二极管及外围电路的研究[D].重庆邮电大学.2017
[9].王佳宋.基于标准CMOS工艺的多次可编程存储器系统建模与关键外围电路研究[D].国防科学技术大学.2016
[10].鄢晓.基于MCU的D类音频功放动态控制外围电路的设计[D].华南理工大学.2015
论文知识图
