导读:本文包含了硅二极管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:快中子,整流器,沟道,特性,能级,电源,仪器。
硅二极管论文文献综述
李媛,赵利[1]（2016）在《飞秒激光微构造硅二极管Ⅰ-Ⅴ特性研究》一文中研究指出在一定条件下SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生微米量级的尖峰结构。退火后用ALD在微构造硅表面上沉积50nm的Zn O:Al电极,背面镀上Al电极形成二极管,测试二极管的光吸收特性及I-V特性。研究表明微构造硅二极管在宽波段范围内有明显增强的光吸收。在整个测量范围(250nm到2500nm)可以达到0.85以上,并且光吸收随着尖峰高度的增加而增加。通过测量微构造硅二极管的I-V特性曲线,发现微构造硅二极管存在良好的整流特性,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。(本文来源于《运城学院学报》期刊2016年03期）
郭优[2]（2015）在《柔性射频硅二极管和开关的弯曲态应力影响分析》一文中研究指出随着科技的发展,柔性电子以其独特的优势出现在人们的视野。柔性电子是制作在柔性衬底上的电子及电路,可以随着应用场所不同而进行各种需要的弯曲。随着柔性电子研究的不断深入,其应用频率也在不断提升。与传统的硬质电子相比,柔性电子变得越来越有竞争力,柔性电子将是未来电子产业发展的重要方向。高速柔性电子仍处于起步阶段,还较少投入量产,原因是其稳定性还没有得到充分有力的证明。为了解决这一难题,也为了满足柔性电子的各种弯曲性需求,对柔性电子的弯曲应力做了一系列的分析,并结合其射频电学特性,进行相关的影响分析。用有效可靠的有限元软件仿真分析法来对柔性射频电子器件进行研究,是解决当前难题的有效方法。本文研究的是基于有限元应力仿真软件ABAQUS,对柔性PET衬底上的单晶硅纳米薄膜二极管和开关器件进行柱面弯曲建模和应力仿真。研究发现不同仿真软件、网格划分质量和载荷施加精度均会影响仿真结果及精度;随着器件弯曲半径的减小(77.5/38.5/28.5/21 mm),器件所受应力变大(分别为178/357/492/601MPa);随着器件尺寸的变大,器件所受应力变大;有无薄胶层对应力仿真结果基本无影响(5 MPa以内);在文中所示的弯曲方向上,器件的S21参数随应力增加而变大,射频特性变好。80μm2二极管在21 mm弯曲半径下所受应力比38.5mm弯曲半径下所受应力约增加110 MPa,二极管S21参数增大约0.15 dB。本文中应力会导致器件沿电流方向的空穴迁移率升高,本征区电阻和串联寄生电阻减小,进而导致射频S21参数升高。这些结果和分析会对将来柔性电子制作尺寸的设计及使用稳定性提供理论上的指导。(本文来源于《天津大学》期刊2015-12-01）
亚森江·吾甫尔,买买提明·艾尼,买买提热夏提·买买提,阿布都克力木·阿布都热合曼[3]（2015）在《沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响》一文中研究指出新材料应变硅已成为目前高性能小尺寸半导体器件的研究热点,研究应变硅器件散射机制有利于理解载流子输运特性的物理机制。因此沟道和漏极区域分别建立了应变模型和散射模型,采用数值模拟方法对比研究了短沟道应变硅二极管中电子的输运特性。模拟结果表明,对于漏极区域中的散射模型,非弹性散射均促使器件的性能增强,而弹性散射则导致器件性能衰弱,这是由于应变诱导的能级分裂束缚了光学声子散射;相对于沟道区域,漏极区域的应变模型和散射机制对于短沟道硅二极管性能的影响较大。因此,对于短沟道半导体器件,除了探讨沟道区域应变和散射机制之外还需要分析漏极区域应变和散射机制的影响。(本文来源于《材料导报》期刊2015年S1期）
朱红英,赵建兴,周春芝,马新华[4]（2012）在《宽基硅二极管快中子剂量探测器性能测试》一文中研究指出本文介绍了宽基硅二极管快中子剂量探测器的探测原理,并结合稳定性、辐照灵敏度、温度效应及衰退性的测试,提出了初步的应对措施。(本文来源于《第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）》期刊2012-08-15）
戴茂[5]（2012）在《纳米硅二极管低频噪声特性研究》一文中研究指出氢化纳米硅材料凭借其在理论研究和实际应用中的潜在价值受到人们密切关注。在电学方面,我们小组已经就其基本电学参数,如载流子迁移率;其新颖的低维特性,如量子隧穿;其直流特性,如I-V和C-V测量等方向展开了广泛研究。但是,要将纳米硅材料实际运用到光电器件中,其噪声特性的研究是十分必要的。噪声一方面会限制器件的表现极限,同时由于噪声极其敏感与材料缺陷,噪声研究也可用于了解材料的微观结构。但是目前,纳米硅材料体系中的噪声研究在国际上还鲜有报道。本文研究了用纳米硅构建的基本器件-纳米硅(nc-Si:H)/单晶硅(c-Si)异质结二极管的低频噪声特性。我们将工作集中在以下几个方面:噪声测量系统的硬件搭建和软件开发、纳米硅二极管低频噪声的测量、噪声来源的物理解释。我们测量得到正向和反向偏压下纳米硅二极管的低频噪声功率谱密度Si,表现为1/fγ噪声特性,但是Si出现了两个非常新颖的特性:一是1/f噪声特征斜率γ在不同的电流区间有不同的值(γ~1.3和0.6);另一个是噪声功率谱密度Si随直流I非单调增加。进一步分析发现噪声功率谱密度Si与偏压直流I有平方依赖关系。我们用基于热激发的粒子数扰动模型很好的解释了上述实验现象,并揭示了1/f噪声的来源—在低电压区间(γ~1.3)和高电压区间(γ~0.6)分别为深杂质能级和带尾态能级引发的粒子数扰动。最后,我们得到了带尾态的特征长度为65 meV。以上研究得到了科技部国家重大基础研究计划课题(2012CB934302),国家自然科学基金重点项目(11074169)和(11174202)的资助。特此感谢!(本文来源于《上海交通大学》期刊2012-01-01）
刘行武[6]（2011）在《建议教材采用硅二极管伏安特性曲线》一文中研究指出现行普通高中课程标准实验教科书物理选修3-1第47页的一幅晶体二极管的伏安特性曲线是锗二极管的特性曲线(见本文图1).实际上,锗二极管正因为反向耐压低漏电流大而退出历史舞台,完全被反向耐压高漏电流小的硅二极管所替代.所以,把早已不用的锗二极管的参数用在课本上是不合适的,可能会误导学生.在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同.硅二(本文来源于《物理教师》期刊2011年05期）
程月东[7]（2010）在《宽基硅二极管（PIN）探测器的研究》一文中研究指出随着核科学技术的发展,核设施、射线装置在军事、医疗、工业、农业、地质调查、科学研究和教学等领域的应用越来越广泛,民众面临的核武器事故、核反应堆事故、辐射装置事故、放射性废物贮存与运输事故、医疗辐照事故等风险也越来越高。公共安全对辐射探测技术提出了更高的要求。本文研究的PIN二极管快中子探测器是一个测量快中子辐射的累积剂量仪器,它具有体积小、测量方法简单并且在大剂量时响应线性度较好等优点。本文首先对γ射线和快中子与硅材料的相互作用进行了系统阐述,特别对快中子辐照硅材料产生的位移损伤–缺陷团,以及缺陷团的空间电荷模型进行了介绍。由于快中子辐照硅晶体产生辐照损伤–缺陷团对半导体材料的影响最重要的是载流子的去除效应和对少数载流子寿命。根据上面两个影响建立了PIN二极管探测器受快中子辐照时端电压的变化量随辐照剂量的模型,并基于该模型在不同少子寿命、不同基区宽度、不同电流密度以及不同初始电阻率的条件下,分析了对PIN二极管探测器的端电压变化量的影响,然后根据灵敏度公式得到上述参数对PIN二极管探测快中子灵敏度的影响。然后,利用工艺模拟软件Tsuprem4对PIN二极管的工艺制造流程进行了模拟,并对主要的工艺流程进行了分析。接下来用器件模拟软件Medici对PIN二极管快中子辐照响应特性进行了研究。首先针对PIN二极管对快中子辐照探测,分析并讨论了不同剂量下基区电场和电势的变化趋势,以及PIN二极管的端电压变化量随快中子辐照剂量的变化关系;然后对PIN二极管探测器的的稳定性以及PIN二极管的温度效应进行模拟与讨论;最后,对PIN二极管探测器的辐照性能和漏电流进行了模拟,主要针对PIN二极管探测器的灵敏度随外加恒定电流、基区宽度的变化关系进行了研究。分析了漏电流的产生机理及其影响因素,介绍了其它两种降低PIN二极管漏电流的方法。模拟研究了带有保护环结构的PIN二极管探测器的漏电流。最后,将模型计算结果与器件模拟结果进行对照,验证了模型在辐照剂量(0~150Gy)时与模拟结果基本吻合。本文对PIN二极管快中子探测器的理论和模拟的研究,对实际制备高灵敏度的PIN二极管探测器具有一定的现实意义和参考价值。(本文来源于《江南大学》期刊2010-06-01）
丛秋波[8]（2010）在《超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能》一文中研究指出为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战,Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器(PFC,Power Factor Corrector)。(本文来源于《电子设计技术》期刊2010年01期）
张慧娟[9]（2009）在《Qspeed H系列整流器组件扩展硅二极管性能》一文中研究指出益登科技代理的Qspeed半导体公司近日推出H系列整流器组件。据称,以上一代产品作为基础,新款600V功率因数校正器(PFC,Power FactorCorrector)不仅拥有更低的反向恢复电荷(QRR),并具备极高的硅二极管转换效率。(本文来源于《世界电子元器件》期刊2009年12期）
[10]（2009）在《Qspeed推出超高效率600 V H系列整流器扩展硅二极管性能领先优势》一文中研究指出超低逆向复原电荷的整流器硅组件协助电源制造商满足严格的性能与成本要求中国,北京——2009年11月5日,益登科技(EDOM Technology)代理的Qspeed半导体宣布推出H系列组件,协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战,同时也提高了Qspeed扩展其二极管性能的领先优势。以前一代产品作为基础,Qspeed新款600 V功率因数校正器PFC(Power Factor Corrector)不仅拥有更低的反向恢复电荷(QRR),且具有目前市面上硅二极管最高的转换效率。Qspeed PFC二极管能协助设计人员满足各种严格的性能规范,不仅能提升系统性能、降低电磁干扰(EMI),而日无需使用其他器件或缩小其他组件。此外,由于Qspeed可带来更低的操作温度、更少的组件并减(本文来源于《电子技术应用》期刊2009年12期）
硅二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着科技的发展,柔性电子以其独特的优势出现在人们的视野。柔性电子是制作在柔性衬底上的电子及电路,可以随着应用场所不同而进行各种需要的弯曲。随着柔性电子研究的不断深入,其应用频率也在不断提升。与传统的硬质电子相比,柔性电子变得越来越有竞争力,柔性电子将是未来电子产业发展的重要方向。高速柔性电子仍处于起步阶段,还较少投入量产,原因是其稳定性还没有得到充分有力的证明。为了解决这一难题,也为了满足柔性电子的各种弯曲性需求,对柔性电子的弯曲应力做了一系列的分析,并结合其射频电学特性,进行相关的影响分析。用有效可靠的有限元软件仿真分析法来对柔性射频电子器件进行研究,是解决当前难题的有效方法。本文研究的是基于有限元应力仿真软件ABAQUS,对柔性PET衬底上的单晶硅纳米薄膜二极管和开关器件进行柱面弯曲建模和应力仿真。研究发现不同仿真软件、网格划分质量和载荷施加精度均会影响仿真结果及精度;随着器件弯曲半径的减小(77.5/38.5/28.5/21 mm),器件所受应力变大(分别为178/357/492/601MPa);随着器件尺寸的变大,器件所受应力变大;有无薄胶层对应力仿真结果基本无影响(5 MPa以内);在文中所示的弯曲方向上,器件的S21参数随应力增加而变大,射频特性变好。80μm2二极管在21 mm弯曲半径下所受应力比38.5mm弯曲半径下所受应力约增加110 MPa,二极管S21参数增大约0.15 dB。本文中应力会导致器件沿电流方向的空穴迁移率升高,本征区电阻和串联寄生电阻减小,进而导致射频S21参数升高。这些结果和分析会对将来柔性电子制作尺寸的设计及使用稳定性提供理论上的指导。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅二极管论文参考文献
[1].李媛,赵利.飞秒激光微构造硅二极管Ⅰ-Ⅴ特性研究[J].运城学院学报.2016
[2].郭优.柔性射频硅二极管和开关的弯曲态应力影响分析[D].天津大学.2015
[3].亚森江·吾甫尔,买买提明·艾尼,买买提热夏提·买买提,阿布都克力木·阿布都热合曼.沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响[J].材料导报.2015
[4].朱红英,赵建兴,周春芝,马新华.宽基硅二极管快中子剂量探测器性能测试[C].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）.2012
[5].戴茂.纳米硅二极管低频噪声特性研究[D].上海交通大学.2012
[6].刘行武.建议教材采用硅二极管伏安特性曲线[J].物理教师.2011
[7].程月东.宽基硅二极管（PIN）探测器的研究[D].江南大学.2010
[8].丛秋波.超高效率600VH系列整流器扩展硅二极管性能[J].电子设计技术.2010
[9].张慧娟.QspeedH系列整流器组件扩展硅二极管性能[J].世界电子元器件.2009
[10]..Qspeed推出超高效率600VH系列整流器扩展硅二极管性能领先优势[J].电子技术应用.2009
论文知识图
