导读:本文包含了光跃迁论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,电场,晶格,内建,离子,结合能,噻吩。
光跃迁论文文献综述
甘子钊[1]（2019）在《黄昆先生很喜爱的一个研究领域：多声子参与的光跃迁和非辐射跃迁》一文中研究指出2019年是黄昆先生百岁诞辰,也是他逝世15周年。在纪念黄先生的时候,我们不由得想起黄先生的夫人李爱扶(Avril Rhys),今年是李先生的93岁诞辰和逝世6周年。李爱扶先生是英国人,英国布里斯托大学物理系本科毕业生,黄先生就(本文来源于《物理》期刊2019年08期）
袁花只[2]（2014）在《直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x和ZnO/Be_xZn_(1-x)O量子阱中激子态和带间光跃迁》一文中研究指出低维半导体物理因其独特的物理性质在最近几十年飞速发展，它不仅推动了电子与光电子等物理学科的发展，而且推动了整个世界的经济、金融和工业等发展。本文将基于有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究；另外，还研究了直接带隙ZnO/BexZn1-xO量子阱中的激子态和带间光跃迁。（1）基于有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究，计算得到了带间光跃迁能、激子复合时间、基态振子强度随阱宽和Si1-xGex中Ge含量的变化趋势以及基态线性光极化率虚部随光子能量和Si1-xGex中Ge含量的变化趋势。结果表明阱宽和Si1-xGex中Ge含量对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱的激子态和光学特性有重要的影响。直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-xGex中Ge含量，当阱宽大于30nm时，跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感；基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小，同时光极化率峰值所对应的光子能量减小。（2）基于有效质量近似和变分原理，在有无内建电场的情况下，理论上讨论和研究了ZnO/BexZn1-xO量子阱中，基态激子的激子结合能、积分吸收几率与带间光跃迁能，计算得到了基态激子的激子结合能、积分吸收几率及带间光跃迁能随阱宽和BexZn1-xO中Be含量的变化趋势图。结果表明：基态激子的激子结合能、积分吸收几率及带间光跃迁能受阱宽、Be含量以及内建电场的影响十分巨大。对于任意Be含量和阱宽的ZnO/BexZn1-xO量子阱，内建电场的存在明显加剧了激子结合能、积分吸收几率与带间光跃迁能减小趋势。窄阱内的激子态及光学性质随Be含量的变化明显，而宽阱内的激子态及光学性质随内建电场的变化明显。特别是当考虑内建电场且阱宽大于7nm时，积分吸收几率为零，这与不考虑内建电场时有很大的不同。通过对两种不同量子阱的研究，结果发现可以改变量子阱的结构参数和势垒高度，来调节量子阱的激子态和光学性质。这些研究结果对以Ge/Si1-xGex和ZnO/BexZn1-xO为基的低维光学器件的设计、制造等将有一定的指导意义。(本文来源于《河南师范大学》期刊2014-04-01）
袁花只,贾亚磊,陈晓阳,夏从新,危书义[3]（2013）在《直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁》一文中研究指出利用有效质量近似和变分原理,对直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究.结果表明:直接带隙Ge/Si1-x Gex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-x Gex中Ge含量.当阱宽大于30nm时,跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感;基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小,同时光极化率峰值所对应的光子能量减小.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2013年06期）
郑冬梅,王宗篪[4]（2012）在《纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁》一文中研究指出在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子(A~,X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小。(本文来源于《量子电子学报》期刊2012年04期）
蒋逢春,李俊玉,苏玉玲,张志峰[5]（2012）在《闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态及带间光跃迁》一文中研究指出基于有效质量近似,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的激子态及带间光跃迁随闪锌矿GaN/AlGaN量子阱结构参数的变化关系,考虑电子与空穴在其量子阱中的有限势效应.数值计算结果显示出当量子阱的尺寸增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能降低,而当闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中垒层材料AlGaN中Al含量增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能增加.(本文来源于《河南大学学报(自然科学版)》期刊2012年01期）
龚少华,傅军,符运良,沈振江[6]（2012）在《核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1s_e1s_h激子光跃迁的受激光子回波研究》一文中研究指出在建模和理论分析的基础上,对叁脉冲飞秒激光作用下核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁引起的受激光子回波效应进行了深入研究.运用有效质量近似方法求解了载流子的静态薛定谔方程,得到能量本征值和对应波函数.基于光学Bloch方程,分析了受激光子回波的参量相关性.结果显示受激光子回波信号可以通过量子点量子阱结构和尺寸的改变进行有效调节.同时,在量子尺寸限制理论的基础上讨论了结构和尺寸的变化对受激光子回波信号的具体影响.(本文来源于《光子学报》期刊2012年01期）
危书义,卫国红,孙永灿,赵建华[7]（2009）在《耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁》一文中研究指出在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的叁维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。(本文来源于《液晶与显示》期刊2009年03期）
杨瑞萍,刘德胜[8]（2008）在《齐分子噻吩乙炔的电子光跃迁性质》一文中研究指出采用半经验的AM1和Z INDO方法研究了齐分子PTV的能带结构及其电子光跃迁性质,齐聚物噻吩乙炔(PTV)的带隙小于对应尺度的齐聚物噻吩(PT)和齐聚物对苯撑乙炔(PPV)的带隙,随着齐分子PTV的共轭长度的增加,第一激发跃迁能逐渐减小,表现为光吸收谱出现红移现象。(本文来源于《济南大学学报(自然科学版)》期刊2008年02期）
危书义,魏玲玲,王雁[9]（2007）在《ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和带间光跃迁》一文中研究指出ZnO作为一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,激子结合能高达60 meV,有较低的介电常数,以及好的光电和压电特性.和ZnSe、GaN和SiC相比,ZnO显示出更大的发展潜力.基于这方面的研究,实验已证实宽带隙MgZnO是很好的候选材料,由它们制备(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年03期）
康洞国,陈晓波,李菘,崔建生,蔡青[10]（2007）在《Pr~(3+)离子在氟化物玻璃中的光跃迁的计算与分析》一文中研究指出测量了Pr(0.5)∶ZBLAN非晶的吸收光谱,由此利用Judd-Ofelt理论计算了Pr3+离子在材料中的光谱跃迁强度参量,讨论Judd-Ofelt理论在计算Pr3+离子的强度参数时存在的问题。从所得到的强度参数计算预言了此材料中Pr3+离子的各能级之间的自发辐射跃迁速率、荧光分支比和积分发射截面,由所得结果讨论了该材料作为激光材料的前景及可能存在的光子雪崩上转换机制。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2007年01期）
光跃迁论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
低维半导体物理因其独特的物理性质在最近几十年飞速发展，它不仅推动了电子与光电子等物理学科的发展，而且推动了整个世界的经济、金融和工业等发展。本文将基于有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究；另外，还研究了直接带隙ZnO/BexZn1-xO量子阱中的激子态和带间光跃迁。（1）基于有效质量近似和变分原理，对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中激子态和带间光跃迁进行研究，计算得到了带间光跃迁能、激子复合时间、基态振子强度随阱宽和Si1-xGex中Ge含量的变化趋势以及基态线性光极化率虚部随光子能量和Si1-xGex中Ge含量的变化趋势。结果表明阱宽和Si1-xGex中Ge含量对直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱的激子态和光学特性有重要的影响。直接带隙Ge/Si1-xGex量子阱中带间光跃迁能、激子复合时间和基态振子强度依赖于阱宽和Si1-xGex中Ge含量，当阱宽大于30nm时，跃迁能、激子复合时间、振子强度对Ge含量和阱宽的变化不敏感；基态线性光极化率随着Ge含量的增加而减小，同时光极化率峰值所对应的光子能量减小。（2）基于有效质量近似和变分原理，在有无内建电场的情况下，理论上讨论和研究了ZnO/BexZn1-xO量子阱中，基态激子的激子结合能、积分吸收几率与带间光跃迁能，计算得到了基态激子的激子结合能、积分吸收几率及带间光跃迁能随阱宽和BexZn1-xO中Be含量的变化趋势图。结果表明：基态激子的激子结合能、积分吸收几率及带间光跃迁能受阱宽、Be含量以及内建电场的影响十分巨大。对于任意Be含量和阱宽的ZnO/BexZn1-xO量子阱，内建电场的存在明显加剧了激子结合能、积分吸收几率与带间光跃迁能减小趋势。窄阱内的激子态及光学性质随Be含量的变化明显，而宽阱内的激子态及光学性质随内建电场的变化明显。特别是当考虑内建电场且阱宽大于7nm时，积分吸收几率为零，这与不考虑内建电场时有很大的不同。通过对两种不同量子阱的研究，结果发现可以改变量子阱的结构参数和势垒高度，来调节量子阱的激子态和光学性质。这些研究结果对以Ge/Si1-xGex和ZnO/BexZn1-xO为基的低维光学器件的设计、制造等将有一定的指导意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光跃迁论文参考文献
[1].甘子钊.黄昆先生很喜爱的一个研究领域：多声子参与的光跃迁和非辐射跃迁[J].物理.2019
[2].袁花只.直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x和ZnO/Be_xZn_(1-x)O量子阱中激子态和带间光跃迁[D].河南师范大学.2014
[3].袁花只,贾亚磊,陈晓阳,夏从新,危书义.直接带隙Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁[J].河南师范大学学报(自然科学版).2013
[4].郑冬梅,王宗篪.纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁[J].量子电子学报.2012
[5].蒋逢春,李俊玉,苏玉玲,张志峰.闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态及带间光跃迁[J].河南大学学报(自然科学版).2012
[6].龚少华,傅军,符运良,沈振江.核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1s_e1s_h激子光跃迁的受激光子回波研究[J].光子学报.2012
[7].危书义,卫国红,孙永灿,赵建华.耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁[J].液晶与显示.2009
[8].杨瑞萍,刘德胜.齐分子噻吩乙炔的电子光跃迁性质[J].济南大学学报(自然科学版).2008
[9].危书义,魏玲玲,王雁.ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和带间光跃迁[J].河南师范大学学报(自然科学版).2007
[10].康洞国,陈晓波,李菘,崔建生,蔡青.Pr~(3+)离子在氟化物玻璃中的光跃迁的计算与分析[J].光谱学与光谱分析.2007
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