导读:本文包含了自旋哈密顿参量理论论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:哈密,参量,磁共振,电子,晶体,结构,局部。
自旋哈密顿参量理论论文文献综述
张富[1]（2019）在《硼玻璃中金属铜离子自旋哈密顿参量和局部结构的理论研究》一文中研究指出过渡离子一直是光学玻璃等新型功能材料中的热门掺杂离子,在光谱学、医学、光学探测、通讯及光电对抗等领域具有广泛的应用。在光学玻璃领域,过渡离子(如3d~9体系)对玻璃的光学等性能起到关键作用,并能借助相关调节剂的浓度变化进行调制。由于过渡离子的相关谱学(如光谱和电子顺磁共振谱等)性质对所处局部环境的变化非常敏感,常用作探针离子借助光谱和电子顺磁共振(EPR)谱来揭示玻璃体系的局部结构性质。3d~9离子是过渡族中非常重要的体系,具有较简单的能级结构和低自旋(S=1/2)态。针对硼玻璃等功能材料中Cu~(2+)(3d~9)离子的光吸收和顺磁共振测试已经获得了丰富的自旋哈密顿参量实验结果,但在理论分析和定量解释等方面存在不足。主要包括以下几个方面。首先,前人对上述体系中二价铜离子各向异性g因子和超精细结构常数的理论分析中,通常基于简单的二阶g因子公式,并借助几个可调的分子轨道系数。其次,对于超精细结构常数及其浓度依赖关系通常未作出定量计算。最后,没有把自旋哈密顿参量计算与杂质局部结构定量地联系起来,故未能得到杂质的局部结构信息(如局部四角伸长率等)。为了克服前人工作的不足,本论文针对Bi_2O_3-Li_2O-ZnO-B_2O_3、BaO-TeO_2-Bi_2O_3-B_2O_3和PbO-Al_2O_3-TeO_2-GeO_2-SiO_2玻璃体系中的杂质Cu~(2+),采用四角伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿量高阶微扰公式,基于重迭模型将杂质局部结构性质与四角晶场参量以及体系自旋哈密顿参量定量地联系起来,满意解释了各体系自旋哈密顿参量及其浓度变化的实验结果,获得了杂质铜的局部四角伸长率及其浓度变化规律。另外,还借助局部光学碱度这一概念讨论了杂质局部结构、共价性和电子云分布等随浓度变化的规律及其物理机制。上述研究对于深入理解硼玻璃等体系中杂质铜的局部结构、光学和顺磁共振性质及其浓度调制具有一定的参考价值。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-10）
丁长春[2]（2018）在《d~1和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出很多功能材料的奇异性能与其中过渡离子杂质的局部结构相关,并可借助电子顺磁共振(EPR)谱进行分析。对于过渡离子典型代表的d~1和d~7(以及d~9)体系,EPR实验研究积累了丰富的素材,但在自旋哈密顿参量理论分析方面存在系统性不够、未联系局部畸变以及忽略配体贡献等不足。本论文利用不同对称下d~1和d~7(以及d~9)离子自旋哈密顿参量微扰公式,对一些功能材料中上述杂质离子的EPR谱作出系统的理论解释,据此获得杂质局部结构信息,并对材料性能与局部结构的关系和变化规律进行探讨。首先,针对一些功能材料中的d~1离子,采用不同对称下自旋哈密顿参量微扰公式,分析了Jahn-Teller效应的影响,满意解释了EPR实验结果。(i)采用四角压缩八面体中3d~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,分析了NaPO_3-ZnO玻璃中V~(4+)的局部结构及其浓度变化关系。八面体[VO_6]~(8-)基团因Jahn-Teller效应表现为较小的四角压缩畸变。上述浓度变化规律可解释为混合碱效应引起的杂质局部行为随浓度的变化。(ii)采用正交压缩八面体中nd~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统研究了非线性光学材料KTiOPO_4(KTP)中占据不同位置的各类nd~1中心。Mo~(5+)中心I、W~(5+)中心II和III具有比母体时更明显的正交压缩畸变。3d~1中心C_1、C_2和C_3表现为较母体更大的轴向压缩率和平面键长相对变化率,其大小顺序(C_1>C_2>C_3)分别与轴向和垂向的各向异性Δg和δg相一致。(iii)基于正交(斜方)伸长八面体和四面体中d~1离子的自旋哈密顿参量微扰公式,研究了ZnWO_4中两个Ti~(3+)中心C_1和C_2。中心C_1归因于占据母体四面体W~(6+)位置的Ti~(3+),伴随两个最近邻空位。Jahn-Teller效应使该[TiO_4]~(5?)基团变为正交伸长四面体。另外,Jahn-Teller效应使占据Zn~(2+)位置的中心C_2发生轻微的轴向伸长和明显的平面键角变化,对应于更加规则的八面体。首次建立了正交八面体中3d_1离子阳离子配体超超精细结构参量的微扰公式,由此得到C_1中心杂质次近邻W~(6+)配体的超超精细结构参量与实验符合较好。其次,针对不同情形的d~7离子,系统研究了一些功能材料中上述离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)针对较强共价性的ZnO微线、薄膜和块体中Co~(2+)中心(弱场高自旋情形),建立了同时包含晶场和荷移机制的叁角畸变四面体中3d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,发现荷移机制的贡献不容忽视。杂质Co~(2+)并非占据理想Zn~(2+)位置,而是沿叁次轴方向发生很小的轴向位移,对应于比母体更小的局部叁角畸变。(ii)基于斜方畸变八面体中3d~7离子(中间场高自旋情形)自旋哈密顿参量的微扰公式,研究了NaF中占据母体Na~+位置的斜方Fe~+的局部结构,发现杂质沿二次轴([110])方向朝最近邻阳离子空位V_(Na)位移约0.28?。(iii)针对电极材料LiAlyCo_(1-y)O_2中占据Co~(3+)位置的常规四角Ni~(3+)中心和罕见叁角Ni~(3+)中心(均属强场低自旋情形),分别采用四角和叁角畸变八面体中3d~7离子的g因子微扰公式,满意解释了不同浓度下g因子的实验结果,发现其各向异性的浓度变化趋势与局部畸变程度一致,且Al的掺入明显增强了Ni~(3+)的局部晶场和轴向畸变。叁角体系的叁角畸变角随Al浓度y变化极小,而四角体系的四角伸长率则随y的增大略微增加。(iv)采用正交畸变八面体中4d~7离子(极强场低自旋情形)自旋哈密顿参量微扰公式,对掺杂Rh~(2+)的KTA中的中心C_1和KTP中的中心C_2和C_3进行了分析,上述中心具有显着的轴向伸长和很小的平面键长相对变化,分别与轴向和垂向各向异性?g和?g对应。(v)针对ZnWO_4中的两个Pt~(3+)中心(极强场低自旋情形),分别采用斜方伸长和压缩八面体中5d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,得到的理论值与实验符合很好。发现占据Zn~(2+)位置的伸长(和压缩)中心因Jahn-Teller效应分别发生0.01?的轴向伸长(和0.02?的轴向压缩)和7.4o(和7.8o)的平面键角变化,显着降低了原Zn~(2+)位置很大的轴向伸长和平面角度畸变,导致更加规则的八面体[PtO_6]~(9–)基团。最后,采用四角或斜方伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式,研究了一些功能材料中Cu~(2+)离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)研究了MPSC玻璃中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量和局部结构随杂质浓度的变化规律,发现Jahn-Teller效应引起[CuO_6]~(10?)基团中度的四角伸长,该规律可解释为相关参量关于浓度的傅里叶型函数关系。(ii)对于LaSrGa_(0.995)Cu_(0.005)O_4,杂质Cu~(2+)的局部伸长率略大于母体Ga~(3+)位置。首次从理论上研究了阳离子配体Ga~(3+)的超超精细结构参量,并对相比常见阴离子配体的奇异性(即平行分量小于垂直分量)作出了分析。Cu~(2+)-O~(2-)轨道杂化和局部伸长在一定程度上可表征此类材料中铜氧平面的性质。(iii)研究了ZnWO_4中占据母体Zn~(2+)位置的杂质Cu~(2+)中心的局部结构,发现轴向伸长量为0.01?,平面键角变化为8.1°,Jahn-Teller缩小因子为0.29,使杂质中心更接近于规则八面体,并对应于各向同性的g因子。(iv)针对桨轮型双核铜(II)络合物{Cu_2(μ_2-O_2CCH_3)_4}(OCNH_2CH_3)粉末和单晶,采用ORCA软件对其结构和g因子进行了DFT计算,分析了[CuO_5]基团的电子结构和铜-氧共价性,模拟了可见紫外光吸收谱。计算了铜位置对OCNH_2CH_3、NH_3和H_2O等小分子的吸附性质。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-04-15）
何佳峻[3]（2017）在《玻璃中过渡金属离子自旋哈密顿参量和局部结构的理论研究》一文中研究指出玻璃的性能和应用与组成和结构密切相关。在玻璃光学特性方面过渡金属离子起着关键的调制作用,这归因于其丰富的3d电子能级。同时,过渡金属离子的3d轨道对环境变化非常敏感,常作为有效的探针,借助光谱和电子顺磁共振(EPR)谱来探测玻璃等体系的局部结构信息。大量实验结果显示,光谱和EPR谱分析可搭建玻璃体系局部结构与性能之间的桥梁,并通过不同杂质或调节剂浓度合理调制玻璃体系的结构和性能。前人分别对掺有不同浓度Cr_2O_3的CdO–SrO–B_2O_3–SiO_2(CSBS)玻璃体系、掺有不同浓度V_2O_5的Li_2O–PbO–B_2O_3–P_2O_5(LPBP)玻璃体系和掺有不同浓度MoO3的PbO–Y_2O_3–P_2O_5(PYP)玻璃体系进行了EPR实验检测,得到了体系的d-d跃迁光谱和g因子,但对于上述实验结果至今尚未给出满意的理论解释。本文拟对上述玻璃体系中过渡离子Cr~(3+)、V~(4+)和Mo~(5+)的光谱、g因子和杂质局部结构及其浓度依赖关系做出系统的分析,并引入局部光学碱度这一新概念来描述杂质局域的原子配位和电子云混合等微观信息,主要包含以下内容:1)对于CSBS玻璃中Cr~(3+)的g因子和d-d跃迁带的浓度变化关系,本文计算了不同掺杂浓度下的非桥氧占有率o,并分析了Cr~(3+)离子的局部环境。为了分析其它阳离子(如Sr2+)对杂质Cr~(3+)配位环境和电子云混合等的影响,本文在描述玻璃整体给电子能力的传统光碱度基础上,引入了局部光碱度Λloc这一新概念,用以描述[CrO6]基团中Cr~(3+)局部环境的变化。该局部光碱度主要依赖于非桥氧占有率o,并与非桥氧浓度f(NBO)有关。采用立方场参量Dq和轨道缩小因子k关于杂质浓度x的叁段线性函数很好地拟合了d-d跃迁带和g因子随浓度的变化关系。基于Λloc的变化和近邻强离子性的Sr2+分析,合理地解释了[CrO6]基团的晶场强度和共价性随x变化的物理机制。2)对于Li_2O–PbO–B_2O_3–P_2O_5玻璃体系中的V~(4+)杂质,本文总体上考虑了中心离子配位数的准连续变化,局部上则分析了八面体[VO6]基团中V~(4+)–O_2?键的共价性、晶场强度和压缩畸变等的影响。四面体[VO4]基团所在的局部环境视为相对稳定(即不随浓度x变化)。八面体[VO6]和四面体[VO4]基团的分布由扩散率χ表示,通过拟合Dq和g因子实验数据得到其与x间呈指数函数关系。为表征O_2?配体向中心离子V~(4+)供电子能力和深入分析各参量随掺杂浓度的变化关系,本文计算了局部光碱度Λloc。共价因子N(及轨道缩小因子k和k’)随x指数递增及轨道混合系数λe和λt的递减都符合计算得到的光碱度值ΛO,而ΛO的递减可归因于随着V_2O_5掺杂浓度的增加VO_2+位上的电子激发态与邻近V~(5+)的空3d态重迭所导致的中心离子V~(4+)有效价电子数的减少。DqO的指数递减同样也可由中心离子的有效价电子数和V~(4+)–O_2?中σ键和π键之间排斥能的差异来解释,前者由Λloc表征后者由λt–λe表征。相对四角压缩率ρ也随x指数递减,这可以归因于V~(4+)–O_2–键能的减弱导致的振动相互作用的减弱,从而造成Jahn-Teller压缩畸变的减弱。3)对于PbO–Y_2O_3–P_2O_5玻璃体系中的杂质Mo~(5+),本文也假定四面体[MoO4]基团的局部环境相对稳定,即不随x变化。为了表征八面体[MoO6]基团中O_2?配体向中心离子Mo~(5+)供电子的能力,本文计算了局部光碱度Λloc。共价因子N随x指数递增,并与局部光碱度Λloc趋势相符合。Λloc的递减可解释于杂质MoO3浓度增加使Mo~(5+)的电子激发态与邻近Mo6+的空4d态重迭从而引起中心离子Mo~(5+)有效价电子数减少。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-04-01）
胡贤芬[4]（2016）在《晶体中d~5和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出掺杂过渡离子的功能材料常表现出独特的光学和磁学等性质,并敏感地依赖于其中过渡离子杂质的电子能级和局部结构。电子顺磁共振谱(EPR)是研究晶体和化合物中未配对电子能级跃迁、缺陷结构以及光学和磁学性质等的有效手段。通过对这些体系EPR谱的自旋哈密顿参量(g因子、零场分裂、超精细结构常数以及超超精细结构参量等)进行分析,可获得杂质离子自旋能级、局部结构等重要微观信息,为含过渡离子的新型功能材料的设计提供有效的理论依据。d~5和d~7离子是过渡族中非常重要且较复杂的体系,既是诸多功能材料(如激光晶体、发光材料和生物蛋白质等)的活性中心,也包含强场和弱场、高自旋和低自旋等问题。前人在上述离子的EPR实验研究方面积累了较丰富的数据,但在理论解释上显得不足。1)引入较多调节参量描述低对称畸变,未能定量地把杂质局部结构与自旋哈密顿参量相联系,故难以获得杂质局部结构信息;2)大多基于传统晶场模型,未考虑配体轨道和旋轨耦合贡献,尤其对一些强共价体系忽略了电荷转移机制的影响;3)对超超精细结构参量的处理通常靠直接拟合两个实验值来获得未配对自旋密度,未建立未配对自旋密度与体系共价性等的定量关系。为了克服上述不足,本工作基于离子簇模型,采用不同对称(立方、叁角、四角和斜方等)下d~5和d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统分析了一些典型的d~5(包括弱场高自旋的Cr~+和Fe~(3+)以及强场低自旋的Ru~(3+))和d~7(包括中间场高自旋的Co_(2+)和强场低自旋的Rh2+)体系,在满意解释其EPR实验结果的基础上获得了杂质中心的局部结构信息。(1)系统分析了强共价立方和叁角畸变四面体中3d~5离子的自旋哈密顿参量,具体考虑了电荷转移对g因子和超精细结构常数以及零场分裂的影响,建立了相关参量与体系共价性和杂质局部畸变的定量关系。将上述公式分别应用于Zn X(X=S,Se,Te)和Cd Te中的立方Cr~+中心以及Cd X(X=S,Se,Te)中的叁角或立方Fe~(3+)中心,研究发现,1)电荷转移机制的影响不容忽视。立方情形下电荷转移机制对g因子位移Δg(=Δg CT+Δg CF)的贡献与晶场机制反号(即为正)且更加显着,比率|Δg CT/Δg CF|对配体S,Se和Te分别为11%,66%和104%(71%);电荷转移对超精细结构常数的贡献与晶场机制同号(即为正)且为晶场机制的50-53%。对叁角情形,电荷转移对零场分裂的贡献与晶场机制的比率DCT/DCF对配体S和Se分别为133%和1600%,对g因子位移的贡献也很显着且随配体旋轨耦合系数增大而明显增大(即S<Se<Te)。2)Cd S和Cd Se中叁角Fe~(3+)中心的杂质-母体阳离子尺寸或电荷失配引起明显的局部畸变,并导致零场分裂的显着变化。计算发现,杂质Fe~(3+)并非正好处于母体阳离子位置而是沿着C3轴向远离配体叁角形的方向分别位移0.14?和0.006?。基于上述局部畸变(杂质位移)且包含电荷转移贡献的自旋哈密顿参量理论值与实验吻合很好。(2)首次建立了斜方对称下低自旋4d~5离子自旋哈密顿参量微扰公式,得到了相关参量(如分子轨道系数、未配对自旋密度和晶场参量等)与体系共价性和局部畸变的定量关系。将上述公式应用于Ag X(X=Cl,Br)中的叁种斜方Ru~(3+)中心,研究发现,对A,A′,X和X′中心,Ru~(3+)因受到阳离子空位的吸引沿[110]轴分别位移0.022,0.017,0.019和0.015?;同时,A,A′,B,B′,X和X′中心毗邻阳离子空位的配体X因受其静电排斥作用而向远离空位的方向分别位移0.03,0.05,0.006,0.001?,0.022和0.006?。(3)利用4T1g(F)态下6×6能量矩阵建立了叁角畸变八面体中3d~7离子自旋哈密顿参量的微扰公式,并考虑了前人通常忽略的不同J之间Kramers双重态的混合、局部低对称(叁角)畸变以及配体轨道和旋轨耦合作用等的影响。将此公式应用于Mg Cl_2中的叁角Co_(2+)中心,发现杂质-配体键角增大3.44°,使原本轻微压缩的配体八面体发生进一步的压缩,并揭示不同J之间Kramers双重态的混合对自旋哈密顿参量的贡献不能忽略。此外,还对具有相同叁角环境(D3d对称)的不同晶体中Co_(2+)的杂质局部畸变性质作出了系统的比较。(4)基于斜方(正交)对称下低自旋4d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,将g因子、超精细结构常数和超超精细结构参量的理论分析与体系局部结构定量地联系起来。将上述公式应用于Ag Cl中的两种斜方(正交)Rh~(2+)中心R4和R5以及NH_4Cl中的Rh~(2+)中心。研究发现由于受到带有效正电荷的H2O分子静电排斥作用,R4和R5中心的Rh~(2+)分别沿[110]和[100]方向位移0.006和0.008?,同时R5中心毗邻空位的配体因受到空位静电排斥作用而向远离空位的方向位移0.01?。NH_4Cl中的四角Rh~(2+)中心归因于占据填隙位置的Rh~(3+)得到一个电子被还原为顺磁的Rh~(2+),其两个最近邻轴向NH~(4+)因电荷补偿分别被H_2O分子代替,因轴向H_2O分子的晶场强于垂直方向Cl~-的晶场而表现为四角压缩八面体。(5)d~9离子在四角伸长或斜方(正交)压缩八面体中的能级结构和基态与强场低自旋4d~7离子在四角压缩或斜方(正交)伸长八面体中非常类似。首先,基于四角伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统研究了TO_2(M=Te,Ge)晶体或非晶以及(Tl_(0.5)Pb_(0.5))Sr_2Ca Cu_2O_7)高温超导体中Cu~(2+)的EPR谱,发现Te O_2和Ge O_2晶体和非晶中的Cu~2+中心由于Jahn-Teller效应分别产生11.4%,9.5%,10.8%和6.6%的相对四角伸长率;高温超导体(Tl_(0.5)Pb_(0.5))Sr_2Ca Cu_2O_7)中观察到的各向异性(?)和(?)>(?)归结于四角畸变下~2B_1g基态。其次,基于斜方(正交)压缩八面体中4d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式研究了NH_4Cl中正交Rh0中心的局部结构,研究发现其两个最近邻轴向NH~(4+)因电荷补偿分别被H_2O分子代替,而平面键长因Jahn-Teller效应沿[011]和[110]方向产生0.042?的相对变化,从而表现为正交压缩八面体。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-28）
李国良[5]（2016）在《纳米晶中d~(5,7,9)离子自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出纳米晶中掺杂过渡离子具有独特的光学、发光和磁学等特性,而这些特性与过渡离子杂质的局部结构和电子能级有着密切的联系。电子顺磁共振(EPR)是研究晶体中未配对电子能级跃迁、杂质占位(纳米晶的核或表面)以及局部结构的有效手段。通过分析纳米晶中过渡离子EPR谱的自旋哈密顿参量(g因子、超精细结构常数和零场分裂等),可以获得这些过渡离子在纳米晶中的杂质占位和局部结构等重要微观信息,为掺杂过渡离子纳米晶性能及其与局部结构关系的研究提供可靠的理论依据。53d、73d和93d离子是过渡族中非常重要的体系,关于这些离子在纳米晶(尤其是II-VI族纳米晶)中的EPR研究方面积累了丰富的实验数据,但是在理论解释和定量分析方面却明显不足。1)前人一般仅对纳米晶或块体材料中的过渡离子进行分析,而很少对纳米晶和块体中同一掺杂离子(如Mn2(10))的局部行为和谱学性质作出比较和分析;2)虽然发现了掺杂离子(如2Mn(10))在纳米晶核或表面的不同谱学性质(如超精细结构常数数值大小的明显差异),但至今未能建立关于II-VI族纳米晶中Mn2(10)等杂质占位的量化判据,因而在判断杂质占位时常出现误判;3)前人对纳米晶中掺杂离子(如2Cu(10))各向异性g因子和超精细结构常数的理论分析中,通常借助可调的四角场参量等拟合少数几个自旋哈密顿参量实验值,未能从理论上将EPR分析与杂质局部结构相联系,故难以获得杂质局部结构的定量信息;4)前人对具有较强共价性的II-VI族半导体中过渡离子的EPR分析中,一般在传统晶场模型基础上只考虑了中心离子轨道和旋轨耦合作用的贡献,但该近似对于II-VI体系中的过渡离子不再适用,此时配体轨道和旋轨耦合贡献应当予以考虑。为了克服前人的不足,本工作采用包含配体贡献的不同对称(叁角和四角)下53d、73d和93d离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统分析了一些含53d(2Mn(10))、73d(2Co(10))和93d(2Cu(10))的II-VI族纳米晶体系,满意地解释了EPR实验结果,并得到了杂质离子的局部结构信息,特别是首次提出了Cd X和Zn X(X=S,Se,Te)纳米晶中杂质2Mn(10)占位(核或表面)的定量判据。(1)首次提出Cd X和Zn X纳米晶中杂质2Mn(10)的占位定则。鉴于2Mn(10)在Cd X和Zn X纳米晶中不同的占位(核或表面)对应不同的超精细结构常数,提出了基于Cd X和Zn X纳米晶中2Mn(10)占位的超精细结构常数不等式的定量判据,据此将前人针对Cd S和Zn Te纳米晶信号SI中杂质2Mn(10)判定为占据纳米晶核内的误判更正为占据表面。(2)利用叁角畸变四面体中53d离子自旋哈密顿参量高阶微扰公式,考虑前人通常忽略的配体轨道和旋轨耦合贡献,对Zn X(X=O和S)纳米晶和块体中杂质2Mn(10)的局部结构进行了研究。对于2Zn O:Mn(10)块体,杂质-母体离子的尺寸失配导致局部紧致,故杂质Mn2(10)沿3C轴朝远离氧叁角形方向移动0.042?来消除局部点阵紧致;而Zn O纳米晶中内应力和尺寸失配的共同影响使2Mn(10)沿3C轴朝远离氧叁角形方向移动0.036?。与Zn S块体中的立方2Mn(10)中心(q≈109.47o)相比,Zn S纳米晶中内应力和尺寸失配导致Mn2 S2(10)--键相对3C轴发生了0.39°的键角增加,以消除局部点阵紧致。(3)利用四角畸变四面体和四角伸长八面体中93d离子微扰公式,对Zn O和Zn S纳米晶以及Cd S薄膜(含不同杂质浓度)中2Cu(10)的各向异性自旋哈密顿参量进行了研究。相比四角伸长八面体情形,四角畸变四面体的计算值与实验符合的更好,并得到Zn O和Zn S纳米晶中基于Jahn-Teller效应的角度畸变(35)q分别为2.47°和1.68°,Cd S薄膜中(35)q约为1.54°,表明这些Cu2(10)中心均为四角压缩四面体,并对前人关于杂质占位的错误指定予以更正。同时,对Zn X(X=O,S和Se)纳米晶中各向同性铜g因子进行了研究,并预测了Zn S纳米晶中2Cu(10)的各向同性g因子,发现Zn O、Zn S和Zn Se纳米晶中2Cu(10)的(35)q分别为1.26°、1.24°和1.07°。此外,对Zn O纳米晶体系I和II中不同2Cu(10)浓度各向同性g因子的研究表明,(35)q均约为1.5°,并基于不同制备条件对两个体系g因子和(35)q不同的浓度变化趋势作出了讨论。(4)利用四角伸长八面体中93d离子自旋哈密顿参量微扰公式,对Zn O纳米晶中两个2Cu(10)信号I和II进行了研究,满意地解释了d-d跃迁光谱和EPR谱的实验结果,发现杂质中心分别表现为3.4%和3.2%的Jahn-Teller相对四角伸长。此外,根据四角伸长八面体中93d离子的Knight位移公式解释了2 4Hg Ba Cu O(10)d中Cu2(I)(10)位置的Knight位移,并对其g因子数值作出了理论预测。(5)基于叁角畸变四面体中73d离子自旋哈密顿参量微扰公式,对Zn O纳米晶中2Co(10)中心的叁个光学跃迁带和自旋哈密顿参量进行了理论分析,其中考虑了配体轨道和旋轨耦合作用的贡献,满意地解释了EPR实验结果,并发现2Co(10)中心具有0.51°的角度畸变。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-01）
程永坤[6]（2015）在《低对称场中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出很多掺杂3d9(Cu2+)离子的功能材料具有奇异的磁性、催化、导电、非线性光学性质和自组装结构特性而引起研究者的关注。这些材料的光学和磁学性质敏感地取决于其中掺杂的过渡离子(如Cu2+)周围的局部环境,而且可借助电子顺磁共振(EPR)谱学手段进行研究。针对3d9离子这一过渡族中非常重要的体系,前人的EPR研究积累了丰富的实验数据,并描述为自旋哈密顿参量(各向异性g因子和超精细结构常数等)。遗憾的是,以前的研究者对于上述实验结果进行理论分析时存在一些缺陷,例如大多是建立于传统晶体场模型并且忽略了配体旋-轨耦合的贡献,没有将理论分析和杂质中心的局部结构相联系等。为了克服上述不足,本文在考虑配体贡献的基础上,得到了3d9离子在四角和斜方(正交)拉伸八面体中关于自旋哈密顿参量(g因子和A因子)的高阶微扰公式,并建立了晶场参量和归一化因子等参量与体系光谱实验数据和局部结构信息的关系。将上述公式应用于以下低对称3d9体系,满意地解释了EPR实验结果。1)对于NaCl和AgCl中的四角Cu2+中心,基于考虑配体轨道和旋轨耦合贡献的改进离子簇模型的(g因子和A因子)的高阶微扰公式就算得到的理论值与实验结果符合的很好,并且发现杂质中心由于Jahn-Teller效应而沿C4轴发生约0.15和0.08?相对四角伸长。虽然配体氯的旋轨耦合系数比中心离子铜的略小,但由于体系有明显的共价性而导致配体贡献较重要而不能被忽略。2)对于氧化和非氧化的BaCuO2+x中的正交Cu2+位置,由于Jahn-Teller效应引起[CuO6]10?基团沿c轴方向分别发生了1%和0.6%的相对伸长,而垂直方向的平面键长则分别发生有6.9%和8.9%的相对变化。上述的局部正交畸变分别对应于实验测得的轴向和垂向g因子各向异性。本工作的研究将有助于理解寄生相Ba CuO2+x的EPR行为及其对母体R123高温超导体相关谱学性质和超导电性的影响。3)合理解释了[Cu(ipt)(dap)H2O]n?nH2O中斜方Cu2+位置的自旋哈密顿参量。EPR实验测到的近轴各向异性g因子和超精细结构常数可归因于显着拉伸的五角锥[CuN2O3]基团,而轻微的垂向各向异性则源于不同平面配体N和O,其贡献可能在很大程度上互相抵消,从而导致实验误差范围内近轴的EPR信号。上述分析对于理解[Cu(ipt)(dap)H2O]n?nH2O及类似体系的局部结构和谱学性质具有参考价值。4)合理解释了[Cu(men)2(BF4)2](men=N-methyl-1,2-diaminoethane)中斜方Cu2+的各向异性g因子。基于斜方伸长八面体中3d9离子g因子高阶微扰公式的理论值与实验结果符合的较好。铜离子所处的六配位[CuN4F2]基团表现出明显的斜方伸长畸变。由于Cu2+-N3?键长较短而使体系具有很强的共价性,故在EPR分析时配体轨道和自旋-轨道耦合的贡献应当予以考虑。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-04-14）
匡泯泉[7]（2015）在《3d~9离子自旋哈密顿参量和Knight位移的理论研究》一文中研究指出功能材料(FM)的物化性质能够通过掺杂过渡金属离子(TM)而得到改善,其改善程度与过渡金属离子的电子和局部结构息息相关。过渡金属离子的微观结构可借助相关谱学手段作出研究,尤其是利用电子顺磁共振(EPR)谱的自旋哈密顿参量(各向异性g因子、超精细结构常数和超超精细结构参量等)以及核磁共振(NMR)谱的Knight位移表征。3d9离子因其较简单的能级结构而在过渡金属离子中具有代表性,前人已对此类体系积累了较丰富的EPR和NMR实验素材。然而,关于上述实验结果的理论解释因存在以下不足而不能令人满意:(i)配体轨道和旋轨耦合作用的贡献在传统晶场模型中未予以考虑;(ii)杂质局部结构未能定量地与自旋哈密顿参量分析相联系,常需引入较多调节参量(如晶场参量等)描述低对称畸变,并对Jahn-Teller(JT)效应的讨论显得不足,因而杂质局部结构信息一般难以获得;(iii)未能在理论上建立g因子和Knight位移的定量关系,只能通过较多调节参量作出较简单的拟合分析。为了克服上述不足,本工作采用基于改进离子簇模型的高阶微扰公式对d9(Cu2+、Pd+)和类似的d7(Ni3+、Pd3+)等离子的自旋哈密顿参量以及3d9(Cu2+)离子的Knight位移进行了系统的理论研究,构建了EPR和NMR解谱的完整图像,获得了杂质离子局部信息,合理解释了以下体系的EPR和NMR实验结果:(1)系统分析了四角(或正交)伸长八面体中3d9离子的自旋哈密顿参量和杂质局部结构。i)针对低掺杂高温超导体YBa2Cu3O7-x(Tc=86.5K)中四角和正交Cu2+中心随温度变化的各向异性g因子,推导了隐含温度和自旋赝能隙(ΔAF)的浓度公式,考虑了JT效应引起的局部畸变,与立方和四角晶场参量、轨道缩小因子等相关参量相联系,合理解释了实验结果。ii)通过对碱金属四硼酸盐含铅玻璃90R2B4O7·9PbO·CuO(R=Li、Na和K)中Cu2+中心的自旋哈密顿参量的理论计算,发现由于JT效应和Cu2+替代母体R+后导致的尺寸和电荷失配,[CuO6]10-基团将沿C4轴分别伸长18%,23%和30%。iii)具有叁方晶系结构的LiNbO3掺Cu2+后将产生正交畸变:JT效应和Cu2+取代母体Nb5+之后的电荷失配将导致五配位[CuO5]8-基团沿平面a和b轴方向发生相对键长变化0.16?,而带有效正电荷的氧空位VO将引起Cu2+将沿c轴方向远离VO约0.3?。理论计算所得的各向异性g因子(gx、gy和gz)和超精细结构常数(Ax、Ay和Az)与实验较符合。iv)基于重迭模型和JT效应,合理解释了PrBa2Cu3O6+x粉末中正交伸长八面体Cu2+(1)位置的EPR数据,计算表明配体八面体沿c轴伸长约0.04?,沿平面a轴和b轴的相对键长变化约为0.09?。(2)LaCuO3-δ中部分抗磁性Cu3+离子因为氧缺失而成为顺磁性Cu2+离子,配体数也可由原来的6变为4,形成四面体的[CuO4]6?基团,JT效应将导致Cu2+-O2?键相对C4轴发生变化从而形成四角畸变四面体。基于离子簇模型(考虑配体贡献)的g因子理论值与实验相符,并得到Cu2+中心的四角畸变角为3.56°。(3)伸长或压缩八面体中低自旋(S=1/2)d7离子的基态和能级结构与压缩或伸长八面体中3d9离子类似,同时由于明显的共价性而需计入配体轨道和旋轨耦合作用的贡献。i)La2Ni0.5Li0.5O4中母体Ni2+因掺入Li+后生成Ni3+(3d7),JT效应导致Ni3+-O2-键长沿C4轴方向伸长约0.14?。ii)室温下掺杂Pd2+的NH4Cl晶体在γ辐照下通过杂质分别捕获一个电子和空穴会得到四角伸长的八面体Pd+(4d9)中心和四角压缩的八面体Pd3+(4d7)中心。研究表明,此二中心具有相同的g因子各向异性ge(?2.0023)≤g?≤g//,这是由于四角伸长4d9和四角压缩4d7基团的基态均为2B1g。另外,基于离子簇模型统一理论公式减少了调节参量数目,获得Pd+和Pd3+中心未配对自旋密度分别为fs(?0.62%和0.69%)和fσ(?2.61%和12.49%)。(4)在离子簇模型基础上建立了伸长八面体中3d9离子Knight位移与g因子的定量关系,得到了各向异性g因子和Knight位移改进的高阶微扰公式,满意地解释了CuGeO3和铜基高温超导体(YBa2Cu3O7、YBa2Cu3O7–σ、YBa2Cu4O8、Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3O10、TlSr2CaCu2O7–y、Tl2Ba2CuOy和HgBa2Ca2Cu3O8+δ)中Cu2+的EPR(g因子和超精细结构常数)和NMR谱学实验结果。g因子和Knight位移各向异性的相似性可归因于四角(或斜方或正交)伸长八面体中Cu2+满足的线性关系(Kz–Ki)/(gz–gi)?6%(i=x,y)。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-03-20）
张华明,易江林,肖文波[8]（2014）在《晶体zinc 1-malate trihydrate∶Cu~(2+)的自旋哈密顿参量及局部结构的理论研究》一文中研究指出在晶体场理论的基础上,利用四角对称3d9离子自旋哈密顿参量高阶微扰公式计算了Zinc 1-malate trihydrate:Cu2+的g因子(g//,g⊥)和超精细结构常数(A//,A⊥)。结果表明,由于Jahn-Teller效应,Zinc 1-malate trihydrate:Cu2+晶体中配体氧八面体沿C4轴方向伸长约0.0033 nm,络离子[CuO6]10-的键长R//≈0.2157 nm,R⊥≈0.2058 nm;局域结构沿C4轴方向呈伸长八面体结构。所得EPR参量理论计算与实验符合较好,并对上述结果进行了讨论。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2014年03期）
张志红[9]（2013）在《晶体中d~(1,2)离子低对称的自旋哈密顿参量的理论研究》一文中研究指出功能材料中的缺陷结构对材料光学和磁学等性质具有显着影响，而过渡金属离子杂质在基质晶体中的电子结构和局部结构信息对于深入了解材料性能至关重要，可借助电子顺磁共振(EPR)谱进行研究，并可用自旋哈密顿参量(包含零场分裂、各向异性的g因子g//和g以及超精细结构常数等)描述。本工作基于晶体场和电子顺磁共振(EPR)理论，利用离子簇模型对掺杂d~(1,2)过渡离子的晶体的电子顺磁共振谱和自旋哈密顿参量进行系统的理论研究。d~(1,2)离子是过渡族中具有代表性且非常重要的体系之一，因其较简单的能级结构而备受关注，已有大量关于d~(1,2)离子的EPR实验研究工作。但是这些实验结果大多尚未得到满意的理论解释，主要存在以下不足：(i)前人的理论分析大多采用传统晶场模型，未考虑配体轨道和旋轨耦合作用的贡献；(ii)未能建立合适的理论模型把杂质局部结构和自旋哈密顿参量联系起来，因而在描述低对称畸变时通常引入较多调节参量；(iii)对Jahn-Teller效应的处理未能建立统一的理论模型和公式，通过引入较多的调节参量对组态相互作用和低对称畸变贡献进行讨论，因而未能获得杂质局部结构信息。为了克服上述不足，本文对d1和d2体系的自旋哈密顿参量进行系统深入的理论研究，主要包括以下内容：(1)针对四面体中d~(1,2)离子，考虑了前人通常忽略的配体轨道和旋轨耦合贡献，并进一步分析了电荷转移机制对半导体等强共价体系中3d2离子自旋哈密顿参量的贡献；(2)对于叁角和四角畸变八面体中的d~(1,2)离子，根据离子簇模型，考虑了配体轨道和旋轨耦合作用以及组态相互作用等因素的贡献，建立了基于Jahn-Teller效应的自旋哈密顿参量改进的微扰公式，获得了杂质局部结构与上述参量的定量关系，减少了调节参量个数。将以上理论模型和公式应用于如下体系：(1)针对BaTiO3块体和薄膜中的四角Ti~(3+)-VO中心，基于离子簇模型，考虑配体轨道和旋轨耦合作用的贡献。对于BaTiO3块体中的[TiO5]7–基团，研究发现电荷补偿导致的C4轴方向上最近邻的氧离子空位使杂质Ti~(3+)沿C4轴方向远离VO大约0.15。对于BaTiO3薄膜中的[TiO4]5–基团，发现Jahn-Teller效应使局部杂质-配体键角增大到55.88°。对于MO2(M=Sn, Ti和Ge)中的斜方Nb4+(4d1)中心，由于Jahn-Teller效应和掺杂引起的尺寸失配的影响，[NbO6]8基团二次轴方向的键长相对压缩约0.01-0.02，平面键角增加约3°，并形成斜方压缩的八面体中心。基于上述局部结构的自旋哈密顿参量理论值与实验符合很好。(2)对于叁角和四角八面体中的3d2离子，基于离子簇模型，考虑配体轨道和旋轨耦合作用以及组态相互作用这两方面因素的影响，建立了基于Jahn-Teller效应的自旋哈密顿参量改进的微扰公式，并将杂质局部结构与EPR分析相联系,从而有效地减少了调节参量个数。结果表明，受动态Jahn-Teller效应影响，α-Al_2O_3:V~(3+), Cr4+体系中局部键角相对C3轴变化约1.5-1.9°(更趋近于理想八面体)，因而满意地解释了零场分裂、各向异性g因子和自旋晶格耦合系数的实验结果。另外，研究发现MgO:V~(3+), CaO:V~(3+)和CaO:Ti2+中配体八面体沿四次轴相对伸长约1.5%，4.4%和4.6%。(3)对于四面体中3d2离子的自旋哈密顿参量和局部结构进行了理论研究。针对ZnO:V~(3+)，利用叁角畸变四面体中3d2离子自旋哈密顿参量的高阶微扰公式进行计算，表明杂质V~(3+)离子并非恰好占据母体Zn2+位置，而是沿C3轴向远离配体叁角形的方向位移约0.08。对于Si: Cr4+, Mn5+，由于杂质离子的高价态和基质晶体的强共价性，配体轨道和电荷转移机制的贡献不能忽略，同时包含晶场和电荷转移机制贡献的g因子和超精细结构常数计算值与实验符合较好。(4)对于Bi4GeO12(BGO)中的V4+和Cr4+，研究发现，局部的杂质-配体键角分别较母体减小约4.91°和5.64°，表明掺杂使原来母体时的四角压缩四面体变为杂质中心的四角伸长四面体。该变化主要源于杂质与母体Ge4+离子半径差异导致的局部应力和Jahn-Teller效应(对V4+中心)的影响。(5)本工作还对硅量子点的表面结构及其制成的光纤气敏传感器的特性进行了研究，具体观测了传感器对不同分析物的响应和可逆性。当探测端暴露在不同的蒸汽下，硅量子点的荧光强度会随时间发生变化，但是对大气中蒸汽浓度的量化检测问题尚需进一步的研究。硅量子点材料在蓝光或紫外光辐照下具有荧光效应，初步分析其机制如下：纳米颗粒表面Si-H键破裂，留下非辐射中心(如Pb中心)，此时荧光强度下降，荧光寿命缩短；表面形成氧化物或者氢化物，从而导致室温下几小时内荧光强度增加。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-03-28）
杨维清,张胤,高敏,林媛,赵小云[10]（2013）在《掺Gd~(3+)钼酸盐AMoO_4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算》一文中研究指出采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//,g⊥和零场分裂b20,b40,b44,b60,b64).矩阵中的晶体场参量采用重迭模型计算.计算结果显示,应用叁个合理的可调参量[即重迭模型中的内禀参量2(R0),4(R0)和6(R0)],计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好,表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.(本文来源于《物理学报》期刊2013年04期）
自旋哈密顿参量理论论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
很多功能材料的奇异性能与其中过渡离子杂质的局部结构相关,并可借助电子顺磁共振(EPR)谱进行分析。对于过渡离子典型代表的d~1和d~7(以及d~9)体系,EPR实验研究积累了丰富的素材,但在自旋哈密顿参量理论分析方面存在系统性不够、未联系局部畸变以及忽略配体贡献等不足。本论文利用不同对称下d~1和d~7(以及d~9)离子自旋哈密顿参量微扰公式,对一些功能材料中上述杂质离子的EPR谱作出系统的理论解释,据此获得杂质局部结构信息,并对材料性能与局部结构的关系和变化规律进行探讨。首先,针对一些功能材料中的d~1离子,采用不同对称下自旋哈密顿参量微扰公式,分析了Jahn-Teller效应的影响,满意解释了EPR实验结果。(i)采用四角压缩八面体中3d~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,分析了NaPO_3-ZnO玻璃中V~(4+)的局部结构及其浓度变化关系。八面体[VO_6]~(8-)基团因Jahn-Teller效应表现为较小的四角压缩畸变。上述浓度变化规律可解释为混合碱效应引起的杂质局部行为随浓度的变化。(ii)采用正交压缩八面体中nd~1离子自旋哈密顿参量微扰公式,系统研究了非线性光学材料KTiOPO_4(KTP)中占据不同位置的各类nd~1中心。Mo~(5+)中心I、W~(5+)中心II和III具有比母体时更明显的正交压缩畸变。3d~1中心C_1、C_2和C_3表现为较母体更大的轴向压缩率和平面键长相对变化率,其大小顺序(C_1>C_2>C_3)分别与轴向和垂向的各向异性Δg和δg相一致。(iii)基于正交(斜方)伸长八面体和四面体中d~1离子的自旋哈密顿参量微扰公式,研究了ZnWO_4中两个Ti~(3+)中心C_1和C_2。中心C_1归因于占据母体四面体W~(6+)位置的Ti~(3+),伴随两个最近邻空位。Jahn-Teller效应使该[TiO_4]~(5?)基团变为正交伸长四面体。另外,Jahn-Teller效应使占据Zn~(2+)位置的中心C_2发生轻微的轴向伸长和明显的平面键角变化,对应于更加规则的八面体。首次建立了正交八面体中3d_1离子阳离子配体超超精细结构参量的微扰公式,由此得到C_1中心杂质次近邻W~(6+)配体的超超精细结构参量与实验符合较好。其次,针对不同情形的d~7离子,系统研究了一些功能材料中上述离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)针对较强共价性的ZnO微线、薄膜和块体中Co~(2+)中心(弱场高自旋情形),建立了同时包含晶场和荷移机制的叁角畸变四面体中3d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,发现荷移机制的贡献不容忽视。杂质Co~(2+)并非占据理想Zn~(2+)位置,而是沿叁次轴方向发生很小的轴向位移,对应于比母体更小的局部叁角畸变。(ii)基于斜方畸变八面体中3d~7离子(中间场高自旋情形)自旋哈密顿参量的微扰公式,研究了NaF中占据母体Na~+位置的斜方Fe~+的局部结构,发现杂质沿二次轴([110])方向朝最近邻阳离子空位V_(Na)位移约0.28?。(iii)针对电极材料LiAlyCo_(1-y)O_2中占据Co~(3+)位置的常规四角Ni~(3+)中心和罕见叁角Ni~(3+)中心(均属强场低自旋情形),分别采用四角和叁角畸变八面体中3d~7离子的g因子微扰公式,满意解释了不同浓度下g因子的实验结果,发现其各向异性的浓度变化趋势与局部畸变程度一致,且Al的掺入明显增强了Ni~(3+)的局部晶场和轴向畸变。叁角体系的叁角畸变角随Al浓度y变化极小,而四角体系的四角伸长率则随y的增大略微增加。(iv)采用正交畸变八面体中4d~7离子(极强场低自旋情形)自旋哈密顿参量微扰公式,对掺杂Rh~(2+)的KTA中的中心C_1和KTP中的中心C_2和C_3进行了分析,上述中心具有显着的轴向伸长和很小的平面键长相对变化,分别与轴向和垂向各向异性?g和?g对应。(v)针对ZnWO_4中的两个Pt~(3+)中心(极强场低自旋情形),分别采用斜方伸长和压缩八面体中5d~7离子自旋哈密顿参量微扰公式,得到的理论值与实验符合很好。发现占据Zn~(2+)位置的伸长(和压缩)中心因Jahn-Teller效应分别发生0.01?的轴向伸长(和0.02?的轴向压缩)和7.4o(和7.8o)的平面键角变化,显着降低了原Zn~(2+)位置很大的轴向伸长和平面角度畸变,导致更加规则的八面体[PtO_6]~(9–)基团。最后,采用四角或斜方伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量微扰公式,研究了一些功能材料中Cu~(2+)离子的EPR实验结果和局部结构性质。(i)研究了MPSC玻璃中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量和局部结构随杂质浓度的变化规律,发现Jahn-Teller效应引起[CuO_6]~(10?)基团中度的四角伸长,该规律可解释为相关参量关于浓度的傅里叶型函数关系。(ii)对于LaSrGa_(0.995)Cu_(0.005)O_4,杂质Cu~(2+)的局部伸长率略大于母体Ga~(3+)位置。首次从理论上研究了阳离子配体Ga~(3+)的超超精细结构参量,并对相比常见阴离子配体的奇异性(即平行分量小于垂直分量)作出了分析。Cu~(2+)-O~(2-)轨道杂化和局部伸长在一定程度上可表征此类材料中铜氧平面的性质。(iii)研究了ZnWO_4中占据母体Zn~(2+)位置的杂质Cu~(2+)中心的局部结构,发现轴向伸长量为0.01?,平面键角变化为8.1°,Jahn-Teller缩小因子为0.29,使杂质中心更接近于规则八面体,并对应于各向同性的g因子。(iv)针对桨轮型双核铜(II)络合物{Cu_2(μ_2-O_2CCH_3)_4}(OCNH_2CH_3)粉末和单晶,采用ORCA软件对其结构和g因子进行了DFT计算,分析了[CuO_5]基团的电子结构和铜-氧共价性,模拟了可见紫外光吸收谱。计算了铜位置对OCNH_2CH_3、NH_3和H_2O等小分子的吸附性质。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自旋哈密顿参量理论论文参考文献
[1].张富.硼玻璃中金属铜离子自旋哈密顿参量和局部结构的理论研究[D].电子科技大学.2019
[2].丁长春.d~1和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2018
[3].何佳峻.玻璃中过渡金属离子自旋哈密顿参量和局部结构的理论研究[D].电子科技大学.2017
[4].胡贤芬.晶体中d~5和d~7离子体系自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2016
[5].李国良.纳米晶中d~(5,7,9)离子自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2016
[6].程永坤.低对称场中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2015
[7].匡泯泉.3d~9离子自旋哈密顿参量和Knight位移的理论研究[D].电子科技大学.2015
[8].张华明,易江林,肖文波.晶体zinc1-malatetrihydrate∶Cu~(2+)的自旋哈密顿参量及局部结构的理论研究[J].人工晶体学报.2014
[9].张志红.晶体中d~(1,2)离子低对称的自旋哈密顿参量的理论研究[D].电子科技大学.2013
[10].杨维清,张胤,高敏,林媛,赵小云.掺Gd~(3+)钼酸盐AMoO_4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算[J].物理学报.2013
论文知识图
