导读:本文包含了氧化限制结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:结构,量子,射频,纳米,电压,功率,器件。
氧化限制结构论文文献综述
李春光,鲁振达,张桥,葛建平,Shaul,Aloni[1]（2015）在《硒化镉量子点在介孔二氧化硅微球中的限制生长以制备多功能纳米结构（英文）》一文中研究指出本文报道了一种新颖且便捷的将荧光半导体纳米晶包覆到二氧化硅球中进而制备多功能纳米结构的方法.从溶胶凝胶法合成二氧化硅微球开始,在聚合物配体保护下进行化学刻蚀从而获得介孔级孔道,然后将带有孔道的二氧化硅微球投入到制备Cd Se量子点的高温反应体系中,就可以直接在二氧化硅微球的孔道中生长尺寸均匀且具有高荧光产率的Cd Se纳米晶.研究发现二氧化硅微球中的孔道对于Cd Se量子点的生长有一定的抑制作用,因此与自由生长的量子点比较其荧光光谱会发生蓝移,二氧化硅微球中负载Cd Se量子点的数量可以通过选择不同刻蚀程度的二氧化硅微球来实现.这种纳米结构优点在于:不需要特殊的表面处理工艺,对于不同形貌及尺寸的二氧化硅微球具有普适性,对于纳米晶与主体材料的尺寸调控具有较高的灵活性,并且可以同时包裹其他功能材料,比如将磁性纳米粒子引入到该体系,合成了兼具磁学与光学性能的Fe3O4@Si O2/Cd Se复合纳米结构材料.该方法为制备多功能复合纳米结构材料提供了一个平台.(本文来源于《Science China Materials》期刊2015年06期）
齐臣杰,傅军,王军军,刘理天[2]（2004）在《射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)》一文中研究指出提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0 %达到平行平面结的理想值(本文来源于《半导体学报》期刊2004年11期）
氧化限制结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0 %达到平行平面结的理想值
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化限制结构论文参考文献
[1].李春光,鲁振达,张桥,葛建平,Shaul,Aloni.硒化镉量子点在介孔二氧化硅微球中的限制生长以制备多功能纳米结构（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2015
[2].齐臣杰,傅军,王军军,刘理天.射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)[J].半导体学报.2004
论文知识图
