论文摘要
基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度（<150ns）、优异的循环耐受性（>103）、长时间保持性（85℃时>105 s）、较小的开启/关闭电压波动性（3.5%/8.5%）和较低的高阻/低阻波动性（13.5%/10.1%）.Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王中强,张雪,齐猛,凡井波,严梓洋,李壮壮
关键词: 阻变存储器,氮化铪薄膜,氮空位缺陷,负微分电阻
来源: 物理实验 2019年06期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 材料科学,工业通用技术及设备,计算机硬件技术
单位: 东北师范大学物理学院,东北师范大学物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学)
分类号: TB383.2;TP333
DOI: 10.19655/j.cnki.1005-4642.2019.06.003
页码: 16-22
总页数: 7
文件大小: 507K
下载量: 77
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