光电导开关开关结构论文_王馨梅,王慧慧,张丽妮,段鹏冲,贾婉丽

导读:本文包含了光电导开关开关结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电导,电阻,激光,存储器,利用率,脉冲,薄膜。

光电导开关开关结构论文文献综述

王馨梅,王慧慧,张丽妮,段鹏冲,贾婉丽^[1]（2019）在《10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计》一文中研究指出漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料的漏电流。器件建模仿真显示,电、光触发区能合理分担10kV外加偏置电压,在相同的电场偏置强度下,器件的漏电流低于传统光电导开关两个数量级,而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区,使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发,提高了激光能量利用率。此外,计算分析了激光参数与器件输出特性之间的关系,以进一步提高激光利用率。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年19期）

陈文丽^[2]（2017）在《基于β-CuSCN微/纳米结构的电阻开关及光电导性能研究》一文中研究指出随着微电子技术的发展及闪存面临小型化的极限,阻变存储器因同时具备高速和高密度存储的特点,成为下一代存储器有力竞争者之一。但是目前对于其工作机理还不是很清晰,寻找合适的阻变材料并完善其物理机制对于阻变存储器的进一步发展非常重要。β态硫氰酸亚铜(β-CuSCN)作为一种宽禁带(3.6 eV)半导体,具有优异的光、电、化学和热学等性能。本文选用电化学沉积方法制备出β-CuSCN微纳米薄膜,重点研究其电阻开关性能,并给出合理的物理机制解释,探索了其在非易失性阻变存储器方面的应用。同时我们进一步探究了其在光电探测方面的应用。主要取得以下的研究结果:(1)利用ITO作为电极构筑了具有叁明治对称结构的ITO/CuSCN/ITO阻变存储器。在高操作电压下,器件表现出非易失性负电阻开关特性并伴随有对称的负差分电阻现象。并且通过相对高的固定偏压分别在正反向作用后,器件在低操作电压下能够实现典型的双极性电阻开关。施加大的偏压后,少子电子在与正极相连的一端聚集,形成薄反型层,在紧邻其下形成耗尽层。多子空穴在与负极相连的一端聚集,形成多子积累层。之后在较低的反向和正向偏压下,由于空穴在势垒较高的反型层和耗尽层的填充与取出,使得器件出现高低阻态的变化。器件在小的读取电压0.2 V时的记忆窗口达到10,并且经过大约2 h的稳定性测试后,器件的高低阻态下的电流只出现很微小的变化。(2)引入有机物PVDF作为中间层,制备了基于ITO对称电极的CuSCN/PVDF/ZnO p-i-n异质结构型阻变存储器。该器件表现出典型的双极性电阻开关性能,能对信息进行存储,且能将存储的信息进行快速的擦除。由于样品中存在大量的陷阱,会发生电子的注入或者排出,使得Zn O导带和CuSCN价带之间发生量子遂穿效应,从而得到具有非易失性存储的器件。(3)探究了基于CuSCN微纳米结构器件的光电导性能。器件对390 nm附近的紫外光有很强的光响应,对可见光部分也有一定的响应。同时还发现由于器件两端的势垒高度不同,使其在正负偏压下对光的响应大小也不同。(本文来源于《南昌大学》期刊2017-05-16）

光电导开关开关结构论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

随着微电子技术的发展及闪存面临小型化的极限,阻变存储器因同时具备高速和高密度存储的特点,成为下一代存储器有力竞争者之一。但是目前对于其工作机理还不是很清晰,寻找合适的阻变材料并完善其物理机制对于阻变存储器的进一步发展非常重要。β态硫氰酸亚铜(β-CuSCN)作为一种宽禁带(3.6 eV)半导体,具有优异的光、电、化学和热学等性能。本文选用电化学沉积方法制备出β-CuSCN微纳米薄膜,重点研究其电阻开关性能,并给出合理的物理机制解释,探索了其在非易失性阻变存储器方面的应用。同时我们进一步探究了其在光电探测方面的应用。主要取得以下的研究结果:(1)利用ITO作为电极构筑了具有叁明治对称结构的ITO/CuSCN/ITO阻变存储器。在高操作电压下,器件表现出非易失性负电阻开关特性并伴随有对称的负差分电阻现象。并且通过相对高的固定偏压分别在正反向作用后,器件在低操作电压下能够实现典型的双极性电阻开关。施加大的偏压后,少子电子在与正极相连的一端聚集,形成薄反型层,在紧邻其下形成耗尽层。多子空穴在与负极相连的一端聚集,形成多子积累层。之后在较低的反向和正向偏压下,由于空穴在势垒较高的反型层和耗尽层的填充与取出,使得器件出现高低阻态的变化。器件在小的读取电压0.2 V时的记忆窗口达到10,并且经过大约2 h的稳定性测试后,器件的高低阻态下的电流只出现很微小的变化。(2)引入有机物PVDF作为中间层,制备了基于ITO对称电极的CuSCN/PVDF/ZnO p-i-n异质结构型阻变存储器。该器件表现出典型的双极性电阻开关性能,能对信息进行存储,且能将存储的信息进行快速的擦除。由于样品中存在大量的陷阱,会发生电子的注入或者排出,使得Zn O导带和CuSCN价带之间发生量子遂穿效应,从而得到具有非易失性存储的器件。(3)探究了基于CuSCN微纳米结构器件的光电导性能。器件对390 nm附近的紫外光有很强的光响应,对可见光部分也有一定的响应。同时还发现由于器件两端的势垒高度不同,使其在正负偏压下对光的响应大小也不同。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。