真空条件下多热源法合成高纯β-SiC微粉

真空条件下多热源法合成高纯β-SiC微粉

论文摘要

以高纯的硅质原料和碳质原料为合成原料,采用多热源法在真空条件下合成出了β-SiC微粉。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、化学分析及激光粒度分析仪等分析测试手段对合成产物进行了表征。结果表明,合成产物晶相为β-SiC,纯度达99%以上,一级品中晶体颗粒多为半自形体和自形体。温度越高,合成的β-SiC微粉晶型程度越好,纯度也相应的提高。当温度超过1758℃时,合成产物由β-SiC转变为α-SiC。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 实验
  • 3 结果与讨论
  •   3.1 原料粒度对合成产物粒度的影响
  •   3.2 反应温度对合成结果的影响
  •   3.3 合成过程中真空度的变化规律
  • 4 产物测试及表征
  • 5 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王国卫,王晓刚,吴泽民,陆树河,邓丽荣

    关键词: 真空合成,多热源,微粉

    来源: 硅酸盐通报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工

    单位: 西安科技大学材料科学与工程学院,西安科技大学材料科学与工程学院硅镁节能与多联产工程中心

    分类号: TQ163.4

    DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.02.030

    页码: 478-481

    总页数: 4

    文件大小: 210K

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