高临界电流密度11型铁基超导体的制备与低维材料探索

高临界电流密度11型铁基超导体的制备与低维材料探索

论文摘要

铁基超导体是2008年发现的新的高温超导体系。和铜氧化物超导体类似,其具有层状的四方结构,超导层Fe2X2(X=As、Se等)主要由Fe元素和磷族或者硫族元素构成。铁基超导体的母相为金属,其各向异性比铜氧化物超导体小,同时其上临界场(Hc2)和不可逆场(Hirr)远高于传统合金超导体,这使得其在高场应用中有着独特的优势。本论文以无毒性且不含活泼元素的11型铁基超导体为对象,以多种不同合成手段以及微量的元素添加等方法研究了对Fe(Te,Se)的成相、微观结构以及超导性质的影响。另外还在几种低维体系中进行了一些新超导材料的探索工作。固相反应合成的Fe(Te,Se)多晶中通常会存在间隙铁和FeTe2等杂质,这导致其超导线临界电流密度(Jc)非常之低。为了改善固相合成的Fe(Te,Se)多晶的超导性能,我们首先通过微量的元素添加研究了其成相、微观结构以及超导性质。在被研究的十余种元素之中,Ca和Bi的微量添加对Fe(Te,Se)多晶超导性能的提升非常明显。多晶X射线衍射(XRD)分析表明Ca能进入FeTe0.5Se0.5的晶格,但Ca的添加会导致FeTe2杂质含量减少,同时改善样品的晶粒连接,形成大小均匀致密的晶粒,这有利于减小样品中的弱连接效应。此外,Ca添加样品M-H曲线的磁性背景明显减弱,这可能是由于间隙铁的减少。得益于此,适量的Ca添加可将FeTe0.5Se0.5多晶样品的Jc提高至无添加样品的23倍。对于微量Bi添加的样品,多晶XRD分析表明Bi没有进入到FeTe0.5Se0.5的晶格中,同时其FeTe2杂质要比无添加的样品明显减少。另外由于Bi的液相辅助生长作用,Bi添加样品的晶粒尺寸很大,连接紧密且具有层状特征,这显著地减小了FeTe0.5Se0.5多晶样品中的弱连接效应。?-T曲线表明Bi的微量添加能够提高FeTe0.5Se0.5多晶的Tczero,对于绝大多数Bi添加的样品,其在2 K下的Hc2超过50 T。由于FeTe2杂质的减少,弱连接效应的改善,Bi的添加可将FeTe0.5Se0.5的Jc提升数十倍,其在零场下的Jc可达28000 A/cm2(2 K)。接下来我们通过多种方法合成了Fe(Te,Se)多晶,其中气相合成和微波合成可以明显提升Fe(Te,Se)多晶的超导性能。气相合成的样品晶粒大且连接紧密,不过XRD分析表明其一直存在成分不均的问题。气相合成的样品在M-T曲线上有着比固相反应的样品更高的Tc,但成分不均使得其很容易在低温下出现两个超导转变。由于气相合成的Fe(Te,Se)晶粒间连接较好,我们得到了高场Jc为固相反应合成样品十余倍的Fe0.95Te0.5Se0.5多晶,不过成分不均限制了其Jc进一步提高。微波合成的FeTe0.6Se0.4多晶致密,晶粒取向一致,这有利于弱连接效应的改善。与固相合成的FeTe0.6Se0.4多晶相比,微波合成的样品的c轴更小,M-T曲线上的Tc更高,M-H曲线上没有磁性背景,这些结果预示其晶格中可能不存在间隙铁,这对Jc的提高十分有利。此外,微波合成的样品需要退火来改善其超导性能。与固相合成相比,微波合成可以将FeTe0.6Se0.4多晶的高场Jc提升约30倍,达到12000 A/cm2(7 T,2 K)。K2Cr3As3是最近报道的具有准一维晶体结构的超导体,我们发现同结构的K2Mo3As3中同样存在超导电性。为了了解这两种超导体之间的联系,我们合成并研究了一系列的K2(Cr1-xMox)3As3掺杂样品。电阻率和磁化强度数据表明Mo掺杂会压制K2Cr3As3的超导电性,在掺杂量为0.2时,其超导被完全压制。而对于K2Mo3As3而言,仅需0.05的Cr掺杂即可完全压制其超导。在K2Cr3As3和K2Mo3As3的超导电性被压制之后,其正常态电阻由超导样品的金属行为转变为半导体行为。此外,通过对K2(Cr1-x-x Mox)3As3进行脱K处理,还可以得到x?0.6的K(Cr1-xMox)3As3多晶,其?-T曲线表现出半导体行为。此外,我们在LaRe2Si2样品中发现了超导电性,其Tc为3.2 K,Hc2为1.35T。发现了新相LaSSb,其空间群为P4/nmm(No.129),与LiFeAs空间群相同,其?-T曲线表现出半导体行为。还发现了ZrCuSiAs结构的SrFRuAs,其?-T曲线表现出金属行为。综上,我们分别研究了元素的微量添加和不同合成方法对Fe(Te,Se)多晶超导性能的影响,其中Ca和Bi的微量添加对Fe(Te,Se)多晶超导性能的提升效果明显。与固相反应相比,气相合成和微波合成的Fe(Te,Se)多晶的超导性能更好。此外,我们还研究了Mo掺杂对K2Cr3As3超导电性的影响。在新超导体的探索的过程中发现LaRe2Si2样品存在超导电性,合成了LaSSb和SrFRuAs两种新材料。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 第1章 绪论
  •   1.1 引言
  •   1.2 超导理论的发展
  •   1.3 超导材料的简介
  •   1.4 超导应用的简介
  •   1.5 实用化超导材料简介
  •   1.6 11 型铁基超导体简介
  •   1.7 论文的背景及目的
  • 第2章 实验方法及原理
  •   2.1 引言
  •   2.2 样品的制备方法
  •     2.2.1 固相反应法
  •     2.2.2 气相合成法
  •     2.2.3 微波合成法
  •   2.3 结构和形貌表征及分析方法
  •     2.3.1 X射线衍射法
  •     2.3.2 扫描电子显微镜
  •   2.4 物性测量及分析方法
  •     2.4.1 电阻的测量
  •     2.4.2 磁性的测量
  •   2.5 小结
  • c的11 型铁基超导体'>第3章 固相反应制备高Jc的11 型铁基超导体
  •   3.1 引言
  •   3.2 Fe含量对11 型铁基超导体的成相及超导性质的影响
  •   3.3 微量的元素添加对11 型铁基超导体超导性能的影响
  • c的提高'>  3.4 Ca添加对11 型铁基超导体Jc的提高
  • c的提高'>  3.5 Bi添加对11 型铁基超导体Jc的提高
  •   3.6 小结
  • c的11 型铁基超导体新合成方法的探索'>第4章 高Jc的11 型铁基超导体新合成方法的探索
  •   4.1 引言
  • c的11 型铁基超导体'>  4.2 气相合成高Jc的11 型铁基超导体
  • c的11 型铁基超导体'>  4.3 微波合成高Jc的11 型铁基超导体
  •   4.4 小结
  • 第5章 一些低维材料的探索
  •   5.1 引言
  • 2Cr3As3 超导体的Mo掺杂研究'>  5.2 K2Cr3As3超导体的Mo掺杂研究
  • 1-xMox)3As3 的制备与表征'>  5.3 K(Cr1-xMox)3As3的制备与表征
  • 2Si2 样品中的超导电性'>  5.4 LaRe2Si2样品中的超导电性
  •   5.5 LaSSb新相的发现
  •   5.6 SrFRuAs新相的发现
  •   5.7 小结
  • 第6章 总结与展望
  • 参考文献
  • 个人简历及发表文章目录
  • 致谢
  • 文章来源

    类型: 博士论文

    作者: 潘伯津

    导师: 任治安

    关键词: 超导,微波合成,临界电流密度

    来源: 中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

    分类号: O511.3

    总页数: 137

    文件大小: 8727K

    下载量: 170

    相关论文文献

    • [1].一种高温超导材料临界电流密度测试的方法[J]. 低温物理学报 2018(03)
    • [2].临界电流密度对圆柱状超导体力学特性的影响[J]. 物理学报 2019(18)
    • [3].临界电流密度的非均匀分布对高温超导体中磁通跳跃的影响[J]. 低温物理学报 2010(05)
    • [4].新材料与新工艺[J]. 军民两用技术与产品 2008(04)
    • [5].晶粒细化对MgB_2超导临界电流密度的作用[J]. 物理学报 2014(06)
    • [6].铝、碳共掺提高MgB_2临界电流密度[J]. 低温物理学报 2009(01)
    • [7].YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超导薄膜的制备及其特性研究[J]. 人工晶体学报 2015(07)
    • [8].YBCO高温超导磁体临界电流密度快速确定方法[J]. 低温物理学报 2012(02)
    • [9].用添加纳米碳的机械合金化先驱粉可以进一步提高MgB_2的临界电流密度[J]. 稀有金属快报 2008(09)
    • [10].高临界电流密度NbTiTa/Cu超导线材[J]. 热加工工艺 2013(02)
    • [11].片层法制备的NbTiTa/Cu超导体在3.0、4.2K的临界电流密度[J]. 热加工工艺 2011(24)
    • [12].Na掺杂对Bi-2212高温超导体性能的影响(英文)[J]. 稀有金属材料与工程 2020(04)
    • [13].改进型镁扩散法制备高临界电流密度MgB_2超导体性能研究(英文)[J]. 稀有金属材料与工程 2018(05)
    • [14].镁扩散法制备Pr_6O_(11)掺杂的MgB_2块体的临界电流密度和磁场性能(英文)[J]. 稀有金属材料与工程 2018(10)
    • [15].不同方法制备的Gd_2BaCuO_5粉体性能比较(英文)[J]. 稀有金属材料与工程 2010(04)
    • [16].我国科学家发现高电流承载能力超导材料[J]. 内蒙古电力技术 2013(05)
    • [17].高温超导YBCO块材临界电流密度与悬浮力磁滞的关系[J]. 稀有金属材料与工程 2008(S4)
    • [18].低能离子对高温超导YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的表面改性和机理[J]. 物理学报 2018(03)
    • [19].铝电解槽PFC排放识别的研究[J]. 轻金属 2017(11)
    • [20].铁硒基超导研究新进展:高质量(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜[J]. 物理学报 2018(12)
    • [21].Bi-2212/Ag多芯线(带)材的制备[J]. 稀有金属材料与工程 2008(S4)
    • [22].MgB_2超导参量的研究[J]. 低温物理学报 2010(01)
    • [23].超导线圈用MgB_2/Cu导线的临界电流密度与磁场的关系[J]. 稀有金属快报 2008(08)
    • [24].电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究[J]. 真空科学与技术学报 2012(08)
    • [25].低损耗Cu5Ni基NbTi超导线材制备技术研究[J]. 钛工业进展 2019(03)
    • [26].精英荟萃 群雄聚首——第十三届全国超导学术研讨会在苏州隆重开幕[J]. 现代传输 2015(06)
    • [27].一种高温超导薄膜临界电流密度感应法无损测量装置[J]. 低温与超导 2014(11)
    • [28].Nb_3Sn CICC交流损耗及分流温度计算与分析[J]. 低温与超导 2015(04)
    • [29].MRI用低铜比NbTi超导线材组织和性能[J]. 低温物理学报 2014(05)
    • [30].低损耗NbTi线材制备技术研究[J]. 低温物理学报 2019(02)

    标签:;  ;  ;  

    高临界电流密度11型铁基超导体的制备与低维材料探索
    下载Doc文档

    猜你喜欢