导读:本文包含了光电器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光电,器件,原位,量子,瓦尔,黑磷,电势。
光电器件论文文献综述
王根旺,侯超剑,龙昊天,杨立军,王扬[1]（2019）在《二维半导体材料纳米电子器件和光电器件》一文中研究指出近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年12期）
陈迎春[2]（2019）在《新型量子点光电器件专利分析》一文中研究指出分析了世界主要国家量子点光电器件专利情况,美国、韩国和日本量子点光电器件发展比中国快,但是中国未来发展潜力巨大;国外机构在量子点光电器件领域的专利申请有比较全面、完整的布局。对中国量子点光电器件发展提出了建议。(本文来源于《技术与市场》期刊2019年12期）
刘燕文,田宏,陆玉新,石文奇,朱虹[3]（2019）在《用于微波真空电子器件的光电阴极》一文中研究指出为了满足高频率、小型化真空微波器件的需求,寻找合适的阴极材料和激光系统,开展了用于微波真空电子器件的光阴极研究,提出了一体化的光电阴极制备方法,通过加热具有扩散阻挡层的发射物质存储室,提供受控的光电发射层,以代替活性物质蒸发损失,从而延长阴极的使用寿命,并可以从中毒、暴露大气过程中恢复。在超高真空系统内制备了Cs3Sb光电阴极,利用连续激光器测得其量子效率为0.145%(0.53μm),在能量为0.37W的连续激光照射下,测得发射电流密度达29.2m A/cm2。光电阴极在高强度的激光作用下被损坏后,重新加热激活,光电发射可以得到一定的恢复并长时间稳定,说明这种光电阴极具有可重复激活的特点,有望成为微波真空电子器件的理想电子源。(本文来源于《真空》期刊2019年06期）
刘琳琳[4]（2019）在《有机光电器件的原位拉曼表征》一文中研究指出有机半导体在实现低成本和柔性电子器件方面具有很大的前景,但现在仍然缺乏能够有效地描述有机半导体中电荷传输的理论。目前在有机半导体材料和器件的研究当中,主要借鉴了无机半导体中的能带概念,用分子轨道理论中能级的概念来解释实验现象并进行器件结构的设计。但无论是在微观的分子结构、界面效应、载流子传输过程还是宏观的介电常数、迁移率方面,有机半导体与无机材料都有很大的差异。另一方面由于分子微观结构不均匀和界面效应复杂,宏观的器件性能往往与材料表征结果差别巨大,但常规的衍射和显微技术难以直接研究在分子尺度上的电荷注入和传输,表观的电荷输运特性测试也无法追踪器件的稳健性。因此,开发一种能够直观可视地观察有机半导体中载流子动力学过程的新型表征方法对于更深入地理解真实器件的物理本质和表征材料的光电性质至关重要。本文我们介绍叁种基于共聚焦拉曼光谱技术的原位表征方法:1,表面增强拉曼实现沟道载流子叁维分布的可视化。利用表面增强拉曼散射对电压的响应,将银纳米粒子引入并五苯薄膜中并进行原位拉曼成像,从二维SERS成像截面中观察到了沟道夹断点,且根据夹断长度计算得到的器件阈值电压和直接电学测试的结果非常接近。银纳米粒子具有明显的电荷存储效应,从原位SERS光谱中峰位和强度的变化中可以追踪电荷存储释放过程。通过改变银纳米粒子在活性层中的深度进一步探测了垂直于沟道方向的电势分布,实现了晶体管沟道电势和载流子浓度的叁维分布可视化并首次通过实验方法估算了晶体管超薄沟道层厚度。2,共轭离子态掺杂膜的离子物种空间分布与导电性。离子态会对有机半导体器件的电学性能产生重要的影响。拉曼光谱法可以追踪苝酰亚胺(PBI)自掺杂膜内离子态物质在大气环境下的时间演变过程。在共聚焦模式下,对自掺杂膜进行深度序列测试,获得了不同离子态在不同深度处的分布情况。通过激光光源的调节,共振拉曼光谱大大提高了光谱的纵向分辨率。3,多元原位成像技术表征有机发光二极管工作过程。在器件工作的同一个区域,通过激光光源的改变,获得PL(532nm激光器)、EL(器件自发光)、拉曼(785nm激光)成像图,通过不同条件成像图的差别可以深入的分析在器件的工作过程中的变化情况。共聚焦成像技术具有高的空间分辨率,可以观察到普通显微镜下无法直接看到的结构缺陷。通过不同光谱和成像的比较,可以观察到不同区域聚集形态的不同,不同聚集形态在不同电压下,发光剖面的变化等常规测试手段无法观察到的信息。(本文来源于《第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）论文摘要集》期刊2019-11-03）
王嘉瑶,史焕聪,蒋林华,刘黎明[5]（2019）在《类石墨烯二维材料及光电器件应用研究进展》一文中研究指出二维层状材料是具有单原子层或几个原子层厚度的平面材料,有着特殊的物理化学性能,在光电功能器件、吸附与分离、催化等领域具有重要应用前景,是目前国际研究的前沿和热点领域之一。其中,石墨烯是最先受到人们重视的二维材料,随即以过渡金属硫化物为主的类石墨烯二维光电功能材料也被广泛研究。近年来黑磷的发现也极大促进了二维光电材料的研究和发展。二维光电材料中石墨烯及类石墨烯硫化物的研究及其光电功能器件应用现状进行简单综述,并对其应用趋势进行展望,为光电材料研究领域的研究提供参考。(本文来源于《功能材料》期刊2019年10期）
[6]（2019）在《“钙钛矿光电材料与器件”专栏导读》一文中研究指出基于钙钛矿材料的光电性能研究是近年来的研究热点,该领域发展十分迅速。有机-金属-卤素杂化钙钛矿材料显示了优异的光电性能,其迅速提升的光伏及发光效率以及其可大范围设计调节的光电特性成为国际材料学界和光电子学界关注的研究热点。当前钙钛矿太阳能电池认证效率已超过25%,成为仅次于单晶硅的薄膜太阳能电池技术。其电(本文来源于《中国光学》期刊2019年05期）
高峰,钱森,宁哲,王志刚,马丽双[7]（2019）在《光电探测器件的单光电子谱数据获取》一文中研究指出在常规光电器件性能研究中,测试光电倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)的单光电子谱(Single Photoelectron Spectra,SPE)系统一般是采用基于VME和NIM机箱的电荷数字转换器(Charge-to-DigitalConverter,QDC)和时间数字转换器(Time-to-Digital-Converter,TDC)电子学插件等,而测试硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPMT)的系统则倾向于使用基于快速模数转换器(Flash-Analog-to-Digital-Converter,FADC)的便携式桌面机电子学。本文基于相同型号的20寸PMT和SiPMT对比测试,通过比较PMT的性能参数(增益、峰谷比、相对探测效率和能量分辨率等)测试结果,从硬件配置和软件分析等方面深入比较两套数据获取系统的异同,明确使用FADC的一些必要操作过程和数据分析方法。实验结果表明:便携式的FADC系统,可以和基于VME机箱的QDC系统一样,可实现对PMT工作于脉冲模式的阳极信号精确测试,但性能各有优劣。(本文来源于《核技术》期刊2019年10期）
毕宴钢,易方顺,冯晶[8]（2019）在《金属等离子体微纳结构对有机光电器件光场调控的研究》一文中研究指出在有机电致发光器件(OLEDs)中,由于存在多种光子束缚模式,其光提取效率很低。在有机太阳能电池(OPVs)中,有机材料的载流子迁移率较低,需要控制有源层厚度,导致光吸收不足,降低光电转换效率。利用金属等离子体微纳结构调控有机光电器件中的光场分布,是提高器件效率的有效方法之一。对基于金属等离子体微纳结构调控有机光电器件光场分布的最新研究进展进行总结,并详细讨论利用等离子体金属结构提高OLEDs的光提取效率和OPVs的光吸收效率的机理和方法。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年20期）
程天霁,周辰辉,苏丹,杨晨曦,赵宁[9]（2019）在《光电转换器件的伏安特性的快速测试方法设计及实现》一文中研究指出通过硅光电转换器件的热平衡方程及其单指数模型,分析了温度改变对器件的实际测试精度的影响。基于数字源表和虚拟仪器平台LabVIEW,针对电压线性扫描测试过程中脉冲上升沿对测试时间的限制问题,设计了电压脉冲上升沿进行器件伏安特性测试方案,测试时间缩短为130μs,开路电压及光电转换效率均有1%～2%的提升。实验证明该方法能够实现对光电器件的伏安特性的快速测量及有效提高测试精度。(本文来源于《电子器件》期刊2019年04期）
苏亚丽,朱胜利[10]（2019）在《光电耦合器件中子辐照位移损伤效应试验研究》一文中研究指出空间高能粒子引发的位移损伤效应会引起光电耦合器件饱和压降、电流传输比、击穿电压和正向电压等参数发生变化以致器件失效。为研究低地球轨道中子环境产生的位移损伤效应对该轨道航天器上光电耦合器件的影响,文章利用中子辐照源,在不同注量下对不同型号的光电耦合器件进行试验研究,得出器件饱和压降、电流传输比、击穿电压及正向电压随中子辐照注量的变化规律。研究结果表明:饱和压降、电流传输比和击穿电压对中子辐照的敏感度较高,而正向电压对辐照并不敏感。分析表明,辐照引起的位移损伤效应是导致器件电流传输性能退化的一个重要原因。研究结果可为光电耦合器件在空间环境中的使用提供试验依据和参考。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年04期）
光电器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分析了世界主要国家量子点光电器件专利情况,美国、韩国和日本量子点光电器件发展比中国快,但是中国未来发展潜力巨大;国外机构在量子点光电器件领域的专利申请有比较全面、完整的布局。对中国量子点光电器件发展提出了建议。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光电器件论文参考文献
[1].王根旺,侯超剑,龙昊天,杨立军,王扬.二维半导体材料纳米电子器件和光电器件[J].物理化学学报.2019
[2].陈迎春.新型量子点光电器件专利分析[J].技术与市场.2019
[3].刘燕文,田宏,陆玉新,石文奇,朱虹.用于微波真空电子器件的光电阴极[J].真空.2019
[4].刘琳琳.有机光电器件的原位拉曼表征[C].第二十届全国光散射学术会议（CNCLS20）论文摘要集.2019
[5].王嘉瑶,史焕聪,蒋林华,刘黎明.类石墨烯二维材料及光电器件应用研究进展[J].功能材料.2019
[6]..“钙钛矿光电材料与器件”专栏导读[J].中国光学.2019
[7].高峰,钱森,宁哲,王志刚,马丽双.光电探测器件的单光电子谱数据获取[J].核技术.2019
[8].毕宴钢,易方顺,冯晶.金属等离子体微纳结构对有机光电器件光场调控的研究[J].激光与光电子学进展.2019
[9].程天霁,周辰辉,苏丹,杨晨曦,赵宁.光电转换器件的伏安特性的快速测试方法设计及实现[J].电子器件.2019
[10].苏亚丽,朱胜利.光电耦合器件中子辐照位移损伤效应试验研究[J].航天器环境工程.2019
论文知识图
