导读:本文包含了低温气相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:等离子体增强化学气相沉积,NH,内应力,生长工艺
低温气相沉积论文文献综述
宋秋明,贾浩,张礼博,刘松[1]（2019）在《低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究》一文中研究指出SiNx薄膜是一种具有优良光学性能,高介电常数,高电绝缘性,高稳定性以及良好的水氧阻隔性等优点的材料,广泛应用于微电子工艺中。SiNx薄膜制备工艺包括化学气相沉积,磁控溅射等,其中等离子体增强化学气相沉积(PECVD)应用比较广泛。但是常规的PECVD工艺生长温度需要300-400摄氏度左右,温度较高,不适合于一些需要低温生长环境的应用场景。例如应用于有机电致发光二极管(OLED)中的薄膜封装技术,SiNx可以作为性能优异的水氧阻隔层,可以大幅降低水氧透过率,大幅延长OLED中有机电致发光材料的寿命。但是柔性OLED中,有机材料的生长温度要求较低(<100摄氏度),因此研究低温下条件下SiNx薄膜的生长工艺很有必要。同时,柔性OLED器件通常需要可弯折特性,而弯折可能会造成刚性的无机陶瓷材料膜层产生微裂纹或者破碎,从而失去水氧阻隔性能。SiNx膜层产生裂纹主要因为膜层中由弯折产生的附加应力与膜层内应力共同作用下的结果。本文研究SiNx低温PECVD生长工艺,通过改变生长过程中的SiH4/NH3比例可以获得膜层内应力从张应力向压应力梯度变化的SiNx薄膜,分析了薄膜内应力以及光学性质与生长参数之间的关系,可以获得可应用于柔性OLED薄膜封装的SiNx低温低内应力PECVD生长工艺。图1为SiNx膜层内应力以及折射率与NH3气体流速关系曲线。所有SiNx薄膜都使用一台电感耦合等离子体增强化学气相沉积仪(Sentech SI 500D)进行制备,基底为8寸硅片,生长温度85摄氏度,厚度为530nm;使用一台椭偏仪(J.A.Woollam)测量得到膜层厚度和光学常数;使用一台薄膜应力测量仪(FSM)测量镀膜前后的基片弯折程度从而获得膜层内应力数据。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
陈琛,董艳苹[2]（2019）在《化学气相沉积技术在中低温选择性还原脱硝催化剂和光电领域的应用》一文中研究指出化学气相沉积作为一种新型镀膜技术,已经发展出成熟的有极其优异的电、光、热、力、声学性能的材料制备工艺。而催化剂表面修饰以及太阳能电池材料表面修饰都是提升各自催化性能和光电转化效率的有效手段,因此将化学气相沉积作为催化剂和太阳能电池材料增材工艺是一个热点趋势。(本文来源于《广东化工》期刊2019年02期）
陈鑫耀[3]（2016）在《用于低温生长石墨烯的微波等离子体辅助化学气相沉积系统》一文中研究指出化学气相沉积(CVD)是一种重要的薄膜制备工艺,其中微波等离子体辅助化学气相沉积(MP-CVD)被广泛用于制备纳米功能薄膜、硬质薄膜和光学薄膜.介绍一种普适型2.45 GHz微波的MP-CVD系统,包括硬件配置、自动控制软件等,并采用该系统在低温条件下制备高质量石墨烯薄膜.(本文来源于《湖北文理学院学报》期刊2016年11期）
王驰,孙妮娟,张娟,张大海[4]（2016）在《基于低温化学气相沉积法的碳化硅纤维表面氮化硼涂层制备及表征》一文中研究指出以硼氨烷络合物为前驱体,采用低温化学气相沉积(CVD)工艺,在碳化硅纤维表面制备了氮化硼(BN)涂层.采用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和掠入射X射线衍射(GIAXRD)对涂层进行了表征,采用单纤维电子强力仪测试了碳化硅纤维沉积BN涂层前后的拉伸强度.结果表明BN涂层无孔洞裂纹等缺陷,且表面均一致密,B,N元素比例接近为1:1,纤维与涂层之间相互渗透,结合良好.在较低的沉积温度下可以得到成分单一的BN涂层,涂层微观结构随温度升高更加理想.综合考虑结晶性与纤维强度保留率的情况下,800~1000℃可作为碳化硅纤维BN涂层的最佳沉积温度.在沉积温度为900℃时,随涂层厚度的增加至0.28,0.51和0.82?m,纤维强度保留率分别为92.7%,83.6%,77.7%.(本文来源于《科学通报》期刊2016年22期）
郭贝贝,万冬云,高彦峰[5]（2016）在《低压化学气相沉积(LPCVD)低温制备VO_2薄膜》一文中研究指出采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在低于400℃的条件下成功制备出VO_2薄膜。VO_2薄膜表征手段包括XRD、拉曼、XPS、SEM和AFM。通过合理地调控工艺参数可得到厚度可控且结晶度高的多孔纳米VO_2膜。研究结果表明,石英基底上厚度分别为85.69 nm和82.88 nm的VO_2薄膜,其可见光透过率分别为为52.1%(20℃)/52.18%(90℃)和52.27%(20℃)/44.39%(90℃),红外调控能力达到9.97%和16.23%,相变温度为62.15℃和64.4℃。优异的热致变色性能使其适合应用于VO_2基智能窗上。另外,利用两步沉积法可进一步将薄膜沉积温度降低至325℃。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第五分会：分子与固体化学》期刊2016-07-01）
张建辉,郑艳真[6]（2016）在《化学气相沉积低温各向同性热解炭微观结构及沉积机制》一文中研究指出为了研究低温各向同性热解炭(LTIC)的微观结构及沉积机制,采用不同体积分数的丙烷为碳源,在不同的沉积温度下进行稳态流化床化学气相沉积实验制备LTIC,借助SEM和TEM对不同沉积条件下制备的LTIC微观结构进行表征和分析。结果表明:不同沉积条件下制备的LTIC由类球形颗粒状和片层状炭结构组成,沉积温度升高,降低了热解炭在气相中的形核势垒,LTIC中类球形颗粒数量增多,尺寸变小,且类球形颗粒内包围炭黑颗粒的炭层织构逐渐降低;丙烷体积分数升高,热解炭沉积过程逐渐由以表面生长机制为主转变为以气相形核机制为主,所制备的LTIC中类球形颗粒形貌越来越明显,而片层状炭结构逐渐减少甚至完全消失。(本文来源于《复合材料学报》期刊2016年08期）
王子梁,刘荣正,刘马林,常家兴,邵友林[7]（2016）在《致密SiC包覆层低温流化床化学气相沉积制备及形成机制》一文中研究指出一般致密SiC材料的制备需要极高的温度,而降低制备温度一直是SiC制备领域的重要研究方向。采用流化床化学气相沉积法,在球形二氧化锆陶瓷颗粒上制备了厚度为几十微米的SiC包覆层。通过对不同温度SiC包覆层的显微形貌及微观结构变化规律研究,给出了沉积效率变化规律,发现低温产物富硅,而高温产物富碳。对不同氩气含量的实验研究发现,氩气的加入可以促进沉积反应向富碳方向移动,从而可以在显着降低温度的条件下制备出致密SiC包覆层。综合实验结果给出了流化床化学气相沉积方法在不同温度及氩气浓度条件下制备SiC的物相分布图。(本文来源于《复合材料学报》期刊2016年08期）
陈磊山,王存景,苗郁,陈改荣[8]（2014）在《化学气相沉积法低温合成螺旋碳纳米管》一文中研究指出以水溶性氯化钠负载Fe做催化剂,直接通过化学气相沉积法在没有掺杂任何含硫气体噻吩的条件下催化裂解乙炔在450℃下进行反应制备纳米碳材料。产物通过扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜进行了表征。结果表明:在该条件下制备了选择性较高的螺旋碳纳米管,其直径在25~200nm之间,绝大部分碳纳米管都有着非常规整的螺旋性并且其螺距很短。所制备螺旋碳纳米管晶格没有好的连续性,中间有断痕出现,并且排列也很不规则,为一种有缺陷的石墨结构。(本文来源于《化工新型材料》期刊2014年11期）
王坤鹏[9]（2014）在《ZnS及其掺杂材料的低温化学气相沉积法制备与表征》一文中研究指出ZnS是Ⅱ-Ⅵ族化合物中一种重要的直接宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度是3.7eV,具有十分优良的光电性能,广泛应用于场发射器、激光器、发光二极管和传感器等光电器件。掺杂的ZnS材料具有更高的发光效率和范围更广的发射波长,是多种荧光粉的重要基础材料之一。ZnS微纳米材料的很多新颖特性,使得ZnS纳米材料成为当前研究的一个焦点。目前,大多数的制备技术都是通过高温蒸发ZnS粉末获得ZnS及其掺杂的纳米材料,但由于ZnS的熔点(约1700℃)很高,致使该方法所需的工作温度较高(1000℃左右),工艺条件比较难控制,如何在低温的条件下制备ZnS及其掺杂的纳米材料成为了研究焦点。由于Zn粉和S粉的熔点较低,分别为419℃和119℃,利用两者作前驱物制备ZnS纳米结构可以大幅降低热蒸发温度。本文以Zn粉和S粉为源材料,采用低温化学气相沉积法制备了ZnS纳米颗粒、微纳米球、纳米线和Mn2+掺杂ZnS纳米线以及Ga掺杂ZnS纳米线和纳米棒。对所制备的ZnS及其掺杂纳米材料的形貌、晶体结构、成分和光致发光性能进行了表征,对不同的纳米结构的形成机理进行了系统的探讨,主要的研究结果如下：1、采用低温化学气相沉积法分别在喷Au和无Au的Si片上制备了ZnS纳米颗粒和微米球。ZnS纳米颗粒的生长符合VS机制,而ZnS微米球的生长不遵循VLS机制,对ZnS微米球的生长机理进行了讨论,得出了可能的生长机制：Au/Si/Zn/S纳米液滴形成的共晶点温度可能高于450℃(反应温度),使纳米液滴固化成Au/Si/Zn/S；纳米粒子,生成的ZnS以该粒子为核生长,最终得到了ZnS微米球；分别在450℃、550℃和650℃温度下沉积得到了ZnS微米球、纳米棒和纳米线。ZnS纳米棒和纳米线是按VLS机制生长。叁组样品在336nm处都有一个很强的紫外发光峰,该峰是由ZnS带边激子辐射复合引起的,随着温度的升高,PL谱的强度增加；分别在60sccm、80sccm和100sccm载气流量下沉积得到了ZnS蠕虫状纳米线、光滑纳米线和伴有大量微米片的纳米线。在PL谱中发现,叁组样品在336nm处都有一个很强的紫外发光峰,随着流量的增加,PL谱的强度增加。同时在紫外可见光吸收光谱中发现,ZnS纳米线在250～350nm范围内可以较强的吸收紫外光,吸收强度随着载气流量的增加而增加。2.采用低温化学气相沉积法制备得到Mn2+掺杂的ZnS纳米线和Ga掺杂的ZnS纳米线、纳米棒。Mn2+掺杂ZnS纳米线发出强度相对较弱的红光,按VLS机制生长,Mn2+掺杂对ZnS形貌的影响是通过其对Au/Si/Zn/S(/Mn)纳米液滴共晶点温度的影响引起的；随着温度的升高,Ga掺杂ZnS纳米结构的形貌发生了从蠕虫状纳米线到光滑纳米线再到纳米棒的演变。所制备的Ga掺杂的ZnS纳米结构在波长为336nm和675nm处存在一个较强的近带边紫外发射峰和一个Ga掺杂引起的微弱红光峰,而其它发光峰都是由Ga掺杂引起的缺陷发光峰。Ga掺杂的ZnS蠕虫状纳米线、平滑纳米线和纳米棒的生长均受气液固(VLS)生长机制控制。(本文来源于《太原理工大学》期刊2014-05-01）
席俊华,刘永强,杨凌霞,季振国[10]（2013）在《外置式电感耦合化学气相沉积法低温制备SiO_2薄膜》一文中研究指出设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置,并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)等对生长的薄膜进行表征。SEM测试结果表明,利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整,薄膜均匀性好;根据FTIR图中Si-O峰的横向与纵向光学声子吸收峰的分析发现,沉积功率越大,薄膜越疏松;等离子体区域内不同位置沉积的薄膜均匀,能够用于大规模、大面积的工业生产。此外,为了方便地获知SiO2薄膜的厚度,我们推导出了50W的功率下,薄膜厚度随沉积温度、沉积时间变化的经验公式。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2013年01期）
低温气相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学气相沉积作为一种新型镀膜技术,已经发展出成熟的有极其优异的电、光、热、力、声学性能的材料制备工艺。而催化剂表面修饰以及太阳能电池材料表面修饰都是提升各自催化性能和光电转化效率的有效手段,因此将化学气相沉积作为催化剂和太阳能电池材料增材工艺是一个热点趋势。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低温气相沉积论文参考文献
[1].宋秋明,贾浩,张礼博,刘松.低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[2].陈琛,董艳苹.化学气相沉积技术在中低温选择性还原脱硝催化剂和光电领域的应用[J].广东化工.2019
[3].陈鑫耀.用于低温生长石墨烯的微波等离子体辅助化学气相沉积系统[J].湖北文理学院学报.2016
[4].王驰,孙妮娟,张娟,张大海.基于低温化学气相沉积法的碳化硅纤维表面氮化硼涂层制备及表征[J].科学通报.2016
[5].郭贝贝,万冬云,高彦峰.低压化学气相沉积(LPCVD)低温制备VO_2薄膜[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第五分会：分子与固体化学.2016
[6].张建辉,郑艳真.化学气相沉积低温各向同性热解炭微观结构及沉积机制[J].复合材料学报.2016
[7].王子梁,刘荣正,刘马林,常家兴,邵友林.致密SiC包覆层低温流化床化学气相沉积制备及形成机制[J].复合材料学报.2016
[8].陈磊山,王存景,苗郁,陈改荣.化学气相沉积法低温合成螺旋碳纳米管[J].化工新型材料.2014
[9].王坤鹏.ZnS及其掺杂材料的低温化学气相沉积法制备与表征[D].太原理工大学.2014
[10].席俊华,刘永强,杨凌霞,季振国.外置式电感耦合化学气相沉积法低温制备SiO_2薄膜[J].材料科学与工程学报.2013
标签：等离子体增强化学气相沉积; NH; 内应力; 生长工艺;