导读:本文包含了化合物半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,化合物,氮化,晶格,功率,费米,衬底。
化合物半导体论文文献综述
[1]（2019）在《化合物半导体代工风云再起》一文中研究指出随着各种高频和高功率应用需求的提升,化合物半导体的市场规模不断扩大,相应芯片的设计和制造业务受到越来越多从业者和资本的关注,发展前景一片大好。化合物半导体主要是指第二代和第叁代半导体材料及工艺,其中,第二代以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,它们相对于第一代半导体材料(以硅为主),具有电子迁移率高,光电转换效率高的优点,非常适合用于制造光电和射频器件。手机的普及带动了GaAs功率放大器(PA)的稳定增长,迎来了第二代(本文来源于《半导体信息》期刊2019年05期）
诸玲珍,朱邵歆[2]（2019）在《化合物半导体产业趋势论坛：迎接产业化浪潮》一文中研究指出编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备(本文来源于《中国电子报》期刊2019-09-10）
马嵩松,舒天宇,朱家旗,李锴,吴惠桢[3]（2019）在《Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展》一文中研究指出半导体异质结在探索新奇物理和发展器件应用等方面一直发挥着不可替代的作用.得益于其特有的能带性质,相对较窄的带隙和足够大的自旋轨道耦合相互作用,Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结不仅在红外器件应用方面具有重要的研究价值,而且在拓扑绝缘体和自旋电子学等前沿领域引起了广泛的关注.尤为重要的是,在以CdTe/PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结界面上发现了高浓度、高迁移率的二维电子气.该电子气的形成归因于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结独特的扭转界面.进一步的研究表明,该二维电子气体系不仅对红外辐射有明显响应,而且它还表现出狄拉克费米子的性质.本文系统综述了近年来Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究取得的主要进展.首先对Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结扭转界面二维电子气的形成机理进行了介绍;然后讨论该二维电子气在低温强磁场下的输运性质,并分析了它的拓扑性质以及在自旋器件方面的应用前景;最后,展示了基于该二维电子气研制的中红外光电探测器.(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
[4]（2019）在《士兰微厦门12英寸产线主体施工已进场 先进化合物半导体项目工艺设备陆续安装》一文中研究指出士兰微12英寸特色工艺芯片项目计划投资70亿元,目前厂房桩基施工已完成,主体施工已进场;先进化合物半导体项目计划投资50亿元,目前工艺设备正陆续安装调试。2018年10月18日,士兰微厦门12英寸特色工艺芯片生产线暨先进化合物半导体生产线在海沧动工。这是国内首条12英寸特色工艺芯片制造生产线(本文来源于《半导体信息》期刊2019年04期）
李金岚[5]（2019）在《化合物半导体外延生长中的微观缺陷与器件性能研究》一文中研究指出化合物半导体具有优异的光电性能,以及具有高速、高频、高功率、耐高温和高辐射等特征,在光电子器件和功率器件中得到广泛应用。本文针对化合物半导体中的碳化硅和锑化物材料缺陷及其对器件性能的影响展开了深入研究。一方面研究了 CVD制备4H-SiC外延片中的表面缺陷和深能级缺陷,从物理形貌,结构表征和电学特性等角度阐明了相关缺陷对器件性能的影响,并通过CVD工艺参数的优化实现了高质量4H-SiC肖特基二极管(SBD)。另一方面对锑化物Ⅱ类超晶格红外探测器的暗电流与噪声的物理机制、超晶格材料中的深能级缺陷以及他们之间的影响关系进行了深入的研究。具体研究内容如下:1)研究了 CVD关键工艺参数对4H-SiC外延层的表面缺陷的影响。设计和制备了叁组不同CVD关键工艺参数(碳硅比、掺杂浓度和生长速率)的4-inch 4H-SiC外延片。分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(Micro-PL)、拉曼(Micro-Raman)和透射电镜(TEM)分析了表面缺陷的微观结构和形成机理,通过工艺优化成功降低了外延缺陷密度,并深入分析了表面缺陷对4H-SiC SBD的电学性能影响。2)研究了不同C/Si比(C/Si=0.9,1和1.1)对Ni/4H-SiC SBD电性能的影响。实验发现随着C/Si比的增加,Ni/4H-SiC SBD的反向漏电流和1/f噪声增加。DLTS结果表明Z1/2缺陷浓度几乎不随着生长参数的变化而变化。进一步实验结果表明,不同C/Si比对Ni/4H-SiC SBD性能影响的主要原因是由晶体质量所引起的不同程度的界面态密度导致器件反向漏电流和噪声的变化。3)研究子Ti深能级缺陷对Ni/4H-SiC SBD电学性能的影响。在器件正向I-V特性中出现了双势垒,在反向I-V特性分析中通过引入提出的分析模型解释了反向漏电流中流经高和低势垒区域的电流各自的贡献。拟合计算分析表明低势垒区域电流的贡献占主要作用。进一步通过DLTS表征发现样品中存在Ec-0.16 eV和Ec-0.67 eV两个的电子缺陷。前者是可能与碳空位有关的本征缺陷,后者是Ti杂质缺陷。Ti杂质缺陷是引起势垒高度降低的原因,并且严重影响Ni/4H-SiC SBD的电学性能。4)采用MBE法生长的2.5 μm InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格(T2SL)探测器中观察到的产生复合电流(G-R)为主导的暗电流是由于深能级缺陷的存在。在77～300K的温度范围内,DLTS结果表明T2SL中存在叁个电子缺陷El(Ec-0.11eV)、E2(Ec-0.28eV)、E3(Ec-0.17eV)和一个空穴缺陷 H1(Ev+0.25 eV)。并且分析计算了各缺陷参数以及缺陷浓度的深度分布。此外通过DLTS峰与填充脉冲宽度tp的关系分析可得缺陷E1和H1归因于扩展缺陷的局域态,E2归因于扩展缺陷的带状态。5)研究了 10μm InAs/GaSb T2SL探测器的晶体质量和光电性能。Raman分析表明超晶格结晶良好,并未观测到相关的界面模。噪声测试表明探测器的噪声特性为1/f噪声,其主要源于超晶格材料的表面态所产生的侧边漏电,并通过钝化工艺优化了探测器,使其噪声降低了两个数量级。此外,在不同反偏电压、激发波长和温度条件下,通过扫描光电流响应测试系统研究了电压和温度等因素对响应度(Ri)、噪声等效功率(NEP)和探测率的影响(D*)。(本文来源于《南京大学》期刊2019-06-20）
张宏[6]（2019）在《钴类化合物负载半导体催化剂的合成及光催化二氧化碳还原的研究》一文中研究指出随着工业化进程的发展,以煤、石油、天然气等不可再生能源的需求与日俱增,在人类过度使用化石燃料的过程中,又会引发能源短缺、全球变暖、环境污染的重大问题。因此,利用清洁能源,减少二氧化碳的排放变得尤为重要。太阳能因具备分布广泛、可再生等优点而受到人们的关注,另外光催化二氧化碳还原可作为减少空气中二氧化碳含量的有效途径而引发了人们的兴趣。本文以开发新的非贵金属催化剂为出发点,制备了非贵金属的硼化物、碳叁氮四负载的磷化钴、氮化钴等纳米材料,并且对光催化二氧化碳还原进行研究,研究结果如下:1.使用硝酸钴为钴源,氨硼烷为硼源,合成了Co_3B-CoB纳米材料,并且采用XRD、TEM、XPS、ICP对材料进行表征,再将制备的纳米材料运用于光催化二氧化碳还原体系中,分别从所选溶剂、所加催化剂的质量,牺牲剂的体积,加入水的体积四个方面进行优化,最终得出在最佳催化条件下,叁个小时内,CO的生成速率高达28562 umol·h~(-1)·g~(-1),CO的选择性高达79%。2.使用硝酸钴为钴源,叁聚氰胺为原料,制备了CoP@P-C_3N_4纳米材料并采用XRD、TEM、XPS、ICP对材料进行表征,再将制备的纳米材料运用于光催化二氧化碳还原体系中,分别从所选溶剂、所加催化剂的质量,牺牲剂的体积,加入水的体积四个方面进行优化,最终得出在最佳催化条件下,叁个小时内,CO的生成速率高达28795 umol·h~(-1)·g~(-1),CO的选择性高达78.5%。3.使用硝酸钴为钴源,叁聚氰胺为原料,制备了CoN@P-C_3N_4纳米材料,并且采用XRD、TEM、XPS、ICP对材料进行表征,再将制备的纳米材料运用于光催化二氧化碳还原体系中,分别从所选溶剂、所加催化剂的质量,牺牲剂的体积,加入水的体积四个方面进行优化,最终得出在最佳催化条件下,叁个小时内,CO的生成速率高达28698 umol·h~(-1)·g~(-1),CO的选择性高达78%。(本文来源于《云南师范大学》期刊2019-06-02）
[7]（2019）在《在SEMICON China 2019上探讨功率及化合物半导体最新趋势与挑战》一文中研究指出3月21日至22日,享誉业界的"功率及化合物半导体国际论坛2019"于SEMICON China同期在上海浦东嘉里酒店成功举办。本次共有20余位来自海内外演讲嘉宾,既有各领域的翘楚如SiC领域第一的Wolfspeed(CREE)、功率半导体IDM巨头英飞凌、化合物半导体外延巨头IQE、氮化镓功率电子领先(本文来源于《半导体信息》期刊2019年02期）
任婷[8]（2019）在《Cu-In-Te基叁元硫族化合物半导体材料的结构及热电性能研究》一文中研究指出本文利用粉末冶金法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备出Cu-In-Te的叁种衍生物Cu_(2.5)In_(4.5)Te_8、Cu_(3.52)In_(4.16)Te_8和CuIn_5Te_8。并在此基础上,研究了Cu_(2.5+x)In_(4.5)Te_8(x=0,0.05,0.1,0.15)、(Cu2Te)_x(Cu_(3.52)In_(4.16)Te_8)(x=0,0.03,0.05,0.08,0.11)和(Cu_2Te)_x(CuIn_5Te_8)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)这叁种材料的结构与热电性能。研究结果总结如下:在Cu_(2.5+x)In_(4.5)Te_8(x=0,0.05,0.1,0.15)这组材料中,当添加额外的Cu后,有效地提高了霍尔载流子浓度(n_H)、降低了晶格热导率(κ_L)。载流子浓度(n_H)的增强归因于价带顶(VBM)上G点处产生了简并杂质能带,而晶格热导率(κ_L)的降低则是由于晶格出现了畸变。因此,当绝对温度T=820 K、掺杂量x=0.1时,样品获得了最小晶格热导率κ_L:0.23 Wm~(-1)K~(-1),这与使用Callaway模型计算的结果非常一致。当x=0.1时,材料的热电优值ZT值达到了最高值(≈0.84),比本征Cu_(2.5)In_(4.5)Te_8高出约0.38;在(Cu_2Te)_x(Cu_(3.52)In_(4.16)Te_8)(x=0,0.03,0.05,0.08,0.11)这组材料中,当Cu_2Te掺到Cu_(3.52)In_(4.16)Te_8后,额外Te原子以间隙Te原子的形式存在于晶格中,引起周围局域对称性的改变,并由于局部Te原子的“振荡”作用优化了声子传输机制,有效得降低了晶格热导率(最低晶格热导率只有0.3WK~(-1)m~(-1))。同时,由于费米能级(E_f)向导带底(CBM)方向移动,导致霍尔载流子浓度(n_H)随着Cu_2Te含量的增大而降低,但功率因子保持稳定。因此,当掺杂量x=0.08时,在815K下,无量纲热电优值ZT值达到最高:1.65(±1.5),大约是x=0的1.5倍。这一材料在工业中具有巨大的应用前景;在CuIn_5Te_8材料中掺杂Cu_2Te形成化学式(Cu_2Te)_x(CuIn_5Te_8)后,有效地提高了材料的电导率。在814K下,电导率由本征时的0.34′10~3Ω~(-1)m~(-1)上升到x=0.4时的2.02′10~3Ω~(-1)m~(-1)。最高ZT值约为0.3(x=0.4,814K),比本征样品相同温度条件下的ZT值提高了3倍。(本文来源于《中国矿业大学》期刊2019-04-01）
朱邵歆,夏梦阳[9]（2019）在《Cree剥离LED照明业务对我国发展化合物半导体有何启示？》一文中研究指出2019年3月15日，美国Cree公司宣布将其旗下LED照明部门（Cree Lighting）以3.1亿美元出售给美国Ideal Industries公司。Cree出售的业务包括用于商业的LED照明灯具和企业照明解决方案。通过此次业务剥离，Cree公司继(本文来源于《中国电子报》期刊2019-03-22）
朱邵歆,黄伟熔[10]（2019）在《从“电力美国”项目布局看我国化合物半导体产业发展路径》一文中研究指出2018年8月,美国制造创新中心"电力美国"发布了新一批项目名单,继续推动化合物半导体制造能力提升、应用推广和人才环境建设。目前我国已基本完成化合物半导体的产业体系构建和方向布局,但技术水平和市场能力与国际企业有明显差距,同时面临不少挑战,比如国际技术和市场封锁、市场和产业未能协同发展、地方政府投资盲目。基于此,赛迪智库集成电路研究所提出4点建议:以5G和新能源汽车作为市场突破口,加快建设化合物半导体领域国家级制造业创新中心,加大关键技术和制造能力投入力度,建立项目投资窗口指导机制。(本文来源于《科技中国》期刊2019年03期）
化合物半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化合物半导体论文参考文献
[1]..化合物半导体代工风云再起[J].半导体信息.2019
[2].诸玲珍,朱邵歆.化合物半导体产业趋势论坛：迎接产业化浪潮[N].中国电子报.2019
[3].马嵩松,舒天宇,朱家旗,李锴,吴惠桢.Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展[J].物理学报.2019
[4]..士兰微厦门12英寸产线主体施工已进场先进化合物半导体项目工艺设备陆续安装[J].半导体信息.2019
[5].李金岚.化合物半导体外延生长中的微观缺陷与器件性能研究[D].南京大学.2019
[6].张宏.钴类化合物负载半导体催化剂的合成及光催化二氧化碳还原的研究[D].云南师范大学.2019
[7]..在SEMICONChina2019上探讨功率及化合物半导体最新趋势与挑战[J].半导体信息.2019
[8].任婷.Cu-In-Te基叁元硫族化合物半导体材料的结构及热电性能研究[D].中国矿业大学.2019
[9].朱邵歆,夏梦阳.Cree剥离LED照明业务对我国发展化合物半导体有何启示？[N].中国电子报.2019
[10].朱邵歆,黄伟熔.从“电力美国”项目布局看我国化合物半导体产业发展路径[J].科技中国.2019
论文知识图
