气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO2薄膜及其性能

论文摘要

采用气溶胶辅助化学气相沉积法（AACVD）在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO2（FTO）薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为（200）面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致（110）面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×1021cm–3以及最小的电阻率3.42×10–4?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。（200）面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王轩,梁波,邸庆银,赵洪力,杨静凯

关键词: 气溶胶辅助化学气相沉积法,氟掺杂二氧化锡薄膜,氟掺杂量,电学性能,光致发光

来源: 硅酸盐学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 燕山大学材料科学与工程学院,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室

基金: 国家青年自然科学基金(51602278),河北省自然科学基金青年科学基金(E2016203149),河北省教育厅高等学校科技计划青年拔尖人才(BJ2018004)

分类号: TB383.2

DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.02.13

页码: 243-249

总页数: 7

文件大小: 1815K

下载量: 122

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