导读:本文包含了集成滤波器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:滤波器,波导,电流,可调,通滤波器,合金,波段。
集成滤波器论文文献综述
祁思博,王学田,高洪民[1]（2018）在《自屏蔽式MEMS微波集成滤波器优化设计》一文中研究指出微波滤波器是无线通信收发端的关键组件之一。通过自屏蔽式MEMS微波集成滤波器的结构及工作原理,进行自屏蔽式MEMS微波集成滤波器叁维模型的绘制、整体仿真、结果分析、并针对所得的结果与设计目标比较,进行优化仿真。(本文来源于《微波学报》期刊2018年S2期）
李津[2]（2017）在《高性能RF MEMS全硅腔/基片集成滤波器工艺及可重构技术研究》一文中研究指出本论文围绕RF MEMS(RF microelectromechanical systems)滤波器的加工工艺和可重构设计技术,分别研究了基于硅微加工技术的全硅腔凋落模可调滤波器和基于商用RF MEMS器件的可重构微带滤波器,具体研究内容如下。(一)首次提出基于硅微加工技术的K–Ka频段二阶RF MEMS全硅腔凋落模可调带通滤波器,并提出基于纯金溅射工艺的新型微齿薄膜用于该滤波器的频率调谐。该滤波器的耦合凋落模腔体谐振器采用四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)湿法刻蚀技术制作在(700±25)-?m厚低阻(电阻率5–10Ω·cm,下同)硅衬底上,表面金属淀积采用1-?m厚纯金溅射工艺;微齿薄膜的齿同样采用TMAH湿法刻蚀技术制作在(300±25)-?m厚低阻硅衬底上,1-?m厚溅射金薄膜采用硅的二氟化氙气体干法刻蚀释放。提出的滤波器具有在23–35 GHz范围内通带中心频率连续可调,滤波器品质因数(Q)高(530–750)和静电驱动电压低(小于140 V)的优势。对于实现相同的频率调谐范围,微齿薄膜的静电驱动电压远小于传统商用压电执行器膜片,且不存在压电执行器膜片偏置电压—形变关系的迟滞效应;与相同物理尺寸的平面金膜相比,微齿薄膜的静电驱动电压减小了2倍以上。(二)首次提出基于金、钒双金属源共溅射技术的抗蠕变纳米晶粒金钒合金微齿薄膜,研究了金钒合金微齿薄膜的抗蠕变性能。针对纯金微齿薄膜在RF MEMS全硅腔可调滤波器宽频率范围调谐中的蠕变,在溅射金薄膜中引入极少量的钒(2.2原子百分比(at.%)钒)可以大幅度细化晶粒,增大材料的屈服强度,明显提升薄膜的抗蠕变性能,这符合金属薄膜的晶界强化机制。首次在微齿薄膜加工中引入纯氩气环境中的2小时300℃退火工艺,进一步提升了薄膜的抗蠕变性能。1-?m厚共溅射金钒合金微齿薄膜制作在(300±25)-?m厚低阻硅衬底上;采用X射线光电子能谱技术(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)检测金钒合金薄膜中的钒含量;用场发射扫描电子显微技术(Field emission scanning electron microscopy,FESEM)观察比较退火前后薄膜表面的晶粒形貌并测量薄膜的平均表面晶粒尺寸;在微力探针台上测量微齿薄膜的应力松弛响应,量化比较薄膜的抗蠕变性能。金钒合金(2.2 at.%钒)微齿薄膜的平均表面晶粒尺寸比纯金微齿薄膜减小了50%以上,其稳态应力松弛响应在第3和第12小时处的应力松弛速率分别为后者的约1/2和1/10,且12小时的回复力衰减量比后者减少13.4%。提出的金钒合金薄膜与传统纯金薄膜加工工艺兼容性好,抗蠕变性能明显优于后者,能够有效地改善薄膜使能的RF MEMS器件长期工作下的机械可靠性。(叁)在(二)的基础上首次深入研究了2小时300℃退火和改变钒含量对金钒合金薄膜机械和电气性能的影响。采用相同物理尺寸和加工工艺制备了钒含量分别为0.7 at.%和6.8 at.%的金钒合金微齿薄膜。类似地,薄膜的钒含量和平均表面晶粒尺寸分别用XPS和FESEM技术测得,薄膜的应力松弛响应用微力探针台测得。实验表明,金钒合金(0.7或6.8 at.%钒)薄膜的平均表面晶粒尺寸与金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜差异不大,但均远小于纯金薄膜的平均表面晶粒尺寸。两种晶界强化金钒合金(0.7和2.2 at.%钒)微齿薄膜的12小时稳态应力松弛响应无明显区别,但明显优于纯金薄膜。固溶强化金钒合金(6.8 at.%钒)微齿薄膜在所有被测材料薄膜中抗蠕变性能最好,且明显优于前两种晶界强化金钒合金薄膜,其3小时的回复力衰减量仅约6%,分别是纯金和金钒合金(2.2 at.%钒)微齿薄膜同期衰减量的约1/4和1/3,且在第3小时处的应力松弛速率分别是后两者的约1/9和1/5。实验还发现在该退火条件下,纯金薄膜退火后重结晶显着导致应力松弛明显改善,但金钒合金薄膜退火后重结晶不明显且应力松弛无明显改善。在对金钒合金电气性能的评估中,实验采用四端传感技术测量了2小时300℃退火前后(500±50)-nm厚纯金和金钒合金薄膜的表面电阻Rs,并计算出了薄膜的电阻率ρ和电导率σ。然后,实验基于500-?m厚石英衬底接地共面波导传输线测量了退火前后的纯金和金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜在毫米波20–40 GHz频段的传输性能,并计算出了薄膜的射频衰减因子α。直流(四端传感技术)和射频(S参数)测量方法验证了薄膜电导率的一致性。实验发现,2小时300℃退火可以明显提高纯金薄膜的电导率,但是对改善金钒合金薄膜的电导率无明显作用。退火后金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜表面电阻为339.10 mΩ/□,电导率为5.9 MS/m,衰减因子为0.327–0.410 dB/mm。金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜的电阻率约为纯金薄膜的5倍,这是由于薄膜平均晶粒的大幅度减小增大了晶界处的电子散射密度。(四)基于商用RF MEMS开关和带通—准吸收式带阻级联滤波器拓扑,提出了L频段RF MEMS可重构窄带陷波微带带通滤波器。该滤波器中,1.575-GHz叁阶静态窄带带通滤波器采用小型化发夹线形谐振器实现,而与带通滤波器级联的两个准吸收式带阻滤波器采用Omron商用RF MEMS电阻性开关进行陷波频率的切换。提出的滤波器实现了叁种可重构状态,即只含1.575-GHz带通响应、1.575-GHz带通响应加1.525-GHz陷波和1.575-GHz带通响应加1.625-GHz陷波。该可重构窄带陷波实现了大于90 dB的衰减,这是传统反射式带阻滤波器无法实现的。(五)基于商用RF MEMS可调电容器和并联带通滤波器拓扑,提出了0.95/2.45-GHz频率切换式恒定带宽带通滤波器。该滤波器中,0.95-GHz四阶带通滤波器采用集总电感器和集总电容器实现,而2.45-GHz四阶微带带通滤波器采用小型化发夹线形谐振器实现。采用WiSpry商用RF MEMS数字式可调电容器分别失谐每个带通滤波器中的两个谐振器来实现通带频率的切换。提出的频率切换式滤波器实现了四种可重构状态,即0.95-GHz和2.45-GHz双通带响应、只含0.95-GHz通带响应、只含2.45-GHz通带响应和无任何通带响应(滤波器关断)。该滤波器实现了大于2.5:1的频率跨度下恒定带宽通带的固有切换和开启/关断功能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-02-20）
丁文其[3]（2016）在《W波段基片集成滤波器的研究》一文中研究指出伴随着无线通信系统的高速发展,W波段(W-Band,75-110GHz)由于具有超宽的频带资源而被广泛关注。毫米波滤波器是W-Band无线系统的关键模块之一,近年来受到国内外学者的广泛关注,本文基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)技术,对低成本W-Band平面滤波器进行了深入研究。基片集成波导元件由大量金属通孔所构成,在全波仿真分析时需要精密剖分并产生大量未知数,从而会耗费大量的计算时间与计算机资源。为了克服这一挑战,论文使用主动空间映射法,借助仿真软件ADS和HFSS分别建立粗糙模型和精确模型,并使用Matlab软件建立电路模型和全波电磁模型之间的映射关系,使用少量的全波仿真高效精确地完成了滤波器的设计。本文的主要工作如下：首先,论文介绍了W波段的应用背景及SIW技术的发展概况,并回顾了滤波器基本综合的理论以及主动空间映射算法思想,为本文设计打下理论基础。其次,对W波段的SIW-矩形波导转接的进行了研究,设计了两种转接结构,包括一种传统的垂直转接以及一种结构新颖简单的鳍线转接结构,并且分别对其进行了分析、加工及测试。实验结果验证了设计的正确性,为W-Band SIW滤波器的测试打下了坚实基础。最后,结合耦合矩阵理论及主动空间映射法设计了多种结构形式的W-Band SIW滤波器,并将之与所设计的鳍线转接或垂直转接相连,从而可以利用波导馈电的方式实现滤波器的测试。为了验证设计结果,本文利用低成本的PCB工艺,对所设计的滤波器进行了加工和测试,实验结果验证了设计的准确性,同时表明了所设计的W-Band滤波器具有低插损、高选择性等优点。另外,本文进一步对所有集成了鳍线转接结构的滤波器进行了容差分析,论证了采用低成本PCB工艺能够实现高性能的W-Band平面滤波器。(本文来源于《东南大学》期刊2016-01-01）
[4]（2015）在《意法半导体(ST)推出全球首个汽车以太网接口EMI集成滤波器》一文中研究指出意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)的EMIF02-01OABRY是一款拥有高集成度的汽车Broad R-Reach悖接口EMI噪声抑制解决方案。这款EMI低带通滤波器(low-pass filter)具有15k V符合ISO 10605标准的电涌保护功能,并通过AEC-Q101汽车级质量认证。以前,设计人员使用分立器件设计符合Broad R-Reach规范的EMI滤波器。因为不同器件之间的参数偏差巨大,设备厂商必须精确地调整这些分立器件网络的性能,而这需要花费大量的时间及成本。(本文来源于《电子设计工程》期刊2015年24期）
龚敏,王世山,宋峥[5]（2015）在《环形“感容”单元的叁参数集成滤波器模块及其在开关电源中的应用》一文中研究指出"电感"和"电容"的模块(简称"LC单元")是组成EMI滤波器的核心元件,采用不同的连接方式可实现不同的参数集成。本文提出一种新型连接方式的LC单元,实现了共模电感、差模电感和差模电容的叁参数集成。当通入共模(CM)电流时,由于上下线圈完全对称,对应线匝电位分布相同,则电容效应可忽略,LC单元可等效为两个平绕线圈;当通入差模(DM)电流时,单位电感的感应电动势相互抵消为零,电感效应消失,LC单元等效为一个电容。本文在分析其耦合方式的基础上,给出了差、共模电流作用下的等效电路,并采用错位过孔连接技术完成EMI滤波器的连接,最终将其运用于小功率电源PFC电路中,通过实验验证其有效性和优越性。(本文来源于《电工电能新技术》期刊2015年09期）
刘彦[6]（2015）在《微波毫米波基片集成滤波器的研究》一文中研究指出滤波器是微波毫米波通信、雷达等系统的关键元件之一,研究和开发平面集成的小型化、高性能的微波毫米波滤波器具有重要的实用价值。本文基于基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)技术和标准印刷电路板(PCB, Printed Circuit Board)工艺,研究设计了容性加载SIW谐振腔小型化带通滤波器、利用非谐振节点(Non Resonant Node, NRN)的SIW双模谐振腔滤波器、可控混合电磁耦合SIW不对称响应滤波器,并分别进行了分析讨论。论文的主要工作如下：第一章绪论部分简要回顾了相关领域的研究背景,介绍了基片集成波导技术的发展历程和在微波毫米波频段的研究现状,阐述了本论文的主要内容。第二章研究了容性加载SIW谐振腔的基本特性和加载规律。在保持谐振腔主模谐振模式不变的情况下,加载SIW谐振腔的面积可以最小缩减到加载前腔体面积的百分之二十。利用双层PCB工艺和容性加载SIW谐振腔,设计制作了小型化的二阶Chebyshev带通滤波器,测试结果与仿真结果吻合较好,并与对应的SIW滤波器进行了对比和分析。第叁章设计了一种新的NRN结构,并将其运用到SIW双模谐振腔中,使其与腔内的谐振模式产生耦合,在双模滤波器中引入了一个新的传输零点,进而使得单腔滤波器的通带两侧各存在一个传输零点,有效提高滤波器频率选择性,同时滤波器的面积相对于传统结构没有增大。此结构具有简单易控,适用频率范围宽,易于平面集成等优点。第四章利用一种可控混合电磁耦合结构设计了两种具有不对称频率响应的SIW滤波器,其滤波响应可以通过调节传输零点的分布进行控制。分析了结构参数对零点分布的影响规律。该滤波器可以用于高性能双工器的设计。(本文来源于《信阳师范学院》期刊2015-04-01）
李志栋,张逸成,张佳佳,叶尚斌,姚勇涛[7]（2014）在《车用大功率DC/DC变换器集成滤波器设计》一文中研究指出提出了一种新型的适用于大功率场合的EMI集成滤波器。采取基于有限元方法有效提取滤波电感器的寄生参数,消除了寄生参数对滤波电感器的高频影响。运用有限元仿真方法,对滤波器进行仿真分析,并结合电动汽车实际要求设计了集成EMI滤波器。新型集成EMI滤波器不仅能够有效抑制电磁干扰影响,而且能实现滤波器体积的优化与功率密度的提高,具有较高的工程实际意义。(本文来源于《电器与能效管理技术》期刊2014年19期）
张瑜,陈丹丹,赵俊杰,张磊昂[8]（2012）在《集成滤波器优化设计新方法》一文中研究指出针对集成滤波器设计中灵敏度高,波动大的问题,以LC梯形滤波器为设计原型,利用滤波器设计阶数上取整后带来的设计余量优化传递函数.通过对低通滤波器设计解析公式的优化,得到了滤波器设计的最佳解析公式.借助Bruton变换,可使模拟LC梯形滤波器转化成低灵敏度集成有源滤波器.仿真实验表明,利用该优化设计方法得到的集成滤波器,不仅具有LC梯形滤波器元件变化灵敏度低的优点,又在不增加滤波器阶数的情况下,改善了滤波器通带波动范围.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2012年05期）
王聪,郝翊杰,刘昌泰[9]（2011）在《集成滤波器MAX267的应用设计》一文中研究指出对集成滤波器MAX267的特性及应用要点进行了论述,提出了一种基于C8051F060片上系统的四阶切比雪夫带通滤波器的设计方法,并进行了实验测试,该滤波器3dB带宽约为10 Hz,f0±100 Hz衰减大约为60dB,实验证明该电路滤波效果很好.(本文来源于《吉林化工学院学报》期刊2011年11期）
杨志,杨拥军,李倩,胡小东[10]（2011）在《宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作》一文中研究指出基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400～700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%～10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2011年02期）
集成滤波器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文围绕RF MEMS(RF microelectromechanical systems)滤波器的加工工艺和可重构设计技术,分别研究了基于硅微加工技术的全硅腔凋落模可调滤波器和基于商用RF MEMS器件的可重构微带滤波器,具体研究内容如下。(一)首次提出基于硅微加工技术的K–Ka频段二阶RF MEMS全硅腔凋落模可调带通滤波器,并提出基于纯金溅射工艺的新型微齿薄膜用于该滤波器的频率调谐。该滤波器的耦合凋落模腔体谐振器采用四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)湿法刻蚀技术制作在(700±25)-?m厚低阻(电阻率5–10Ω·cm,下同)硅衬底上,表面金属淀积采用1-?m厚纯金溅射工艺;微齿薄膜的齿同样采用TMAH湿法刻蚀技术制作在(300±25)-?m厚低阻硅衬底上,1-?m厚溅射金薄膜采用硅的二氟化氙气体干法刻蚀释放。提出的滤波器具有在23–35 GHz范围内通带中心频率连续可调,滤波器品质因数(Q)高(530–750)和静电驱动电压低(小于140 V)的优势。对于实现相同的频率调谐范围,微齿薄膜的静电驱动电压远小于传统商用压电执行器膜片,且不存在压电执行器膜片偏置电压—形变关系的迟滞效应;与相同物理尺寸的平面金膜相比,微齿薄膜的静电驱动电压减小了2倍以上。(二)首次提出基于金、钒双金属源共溅射技术的抗蠕变纳米晶粒金钒合金微齿薄膜,研究了金钒合金微齿薄膜的抗蠕变性能。针对纯金微齿薄膜在RF MEMS全硅腔可调滤波器宽频率范围调谐中的蠕变,在溅射金薄膜中引入极少量的钒(2.2原子百分比(at.%)钒)可以大幅度细化晶粒,增大材料的屈服强度,明显提升薄膜的抗蠕变性能,这符合金属薄膜的晶界强化机制。首次在微齿薄膜加工中引入纯氩气环境中的2小时300℃退火工艺,进一步提升了薄膜的抗蠕变性能。1-?m厚共溅射金钒合金微齿薄膜制作在(300±25)-?m厚低阻硅衬底上;采用X射线光电子能谱技术(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)检测金钒合金薄膜中的钒含量;用场发射扫描电子显微技术(Field emission scanning electron microscopy,FESEM)观察比较退火前后薄膜表面的晶粒形貌并测量薄膜的平均表面晶粒尺寸;在微力探针台上测量微齿薄膜的应力松弛响应,量化比较薄膜的抗蠕变性能。金钒合金(2.2 at.%钒)微齿薄膜的平均表面晶粒尺寸比纯金微齿薄膜减小了50%以上,其稳态应力松弛响应在第3和第12小时处的应力松弛速率分别为后者的约1/2和1/10,且12小时的回复力衰减量比后者减少13.4%。提出的金钒合金薄膜与传统纯金薄膜加工工艺兼容性好,抗蠕变性能明显优于后者,能够有效地改善薄膜使能的RF MEMS器件长期工作下的机械可靠性。(叁)在(二)的基础上首次深入研究了2小时300℃退火和改变钒含量对金钒合金薄膜机械和电气性能的影响。采用相同物理尺寸和加工工艺制备了钒含量分别为0.7 at.%和6.8 at.%的金钒合金微齿薄膜。类似地,薄膜的钒含量和平均表面晶粒尺寸分别用XPS和FESEM技术测得,薄膜的应力松弛响应用微力探针台测得。实验表明,金钒合金(0.7或6.8 at.%钒)薄膜的平均表面晶粒尺寸与金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜差异不大,但均远小于纯金薄膜的平均表面晶粒尺寸。两种晶界强化金钒合金(0.7和2.2 at.%钒)微齿薄膜的12小时稳态应力松弛响应无明显区别,但明显优于纯金薄膜。固溶强化金钒合金(6.8 at.%钒)微齿薄膜在所有被测材料薄膜中抗蠕变性能最好,且明显优于前两种晶界强化金钒合金薄膜,其3小时的回复力衰减量仅约6%,分别是纯金和金钒合金(2.2 at.%钒)微齿薄膜同期衰减量的约1/4和1/3,且在第3小时处的应力松弛速率分别是后两者的约1/9和1/5。实验还发现在该退火条件下,纯金薄膜退火后重结晶显着导致应力松弛明显改善,但金钒合金薄膜退火后重结晶不明显且应力松弛无明显改善。在对金钒合金电气性能的评估中,实验采用四端传感技术测量了2小时300℃退火前后(500±50)-nm厚纯金和金钒合金薄膜的表面电阻Rs,并计算出了薄膜的电阻率ρ和电导率σ。然后,实验基于500-?m厚石英衬底接地共面波导传输线测量了退火前后的纯金和金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜在毫米波20–40 GHz频段的传输性能,并计算出了薄膜的射频衰减因子α。直流(四端传感技术)和射频(S参数)测量方法验证了薄膜电导率的一致性。实验发现,2小时300℃退火可以明显提高纯金薄膜的电导率,但是对改善金钒合金薄膜的电导率无明显作用。退火后金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜表面电阻为339.10 mΩ/□,电导率为5.9 MS/m,衰减因子为0.327–0.410 dB/mm。金钒合金(2.2 at.%钒)薄膜的电阻率约为纯金薄膜的5倍,这是由于薄膜平均晶粒的大幅度减小增大了晶界处的电子散射密度。(四)基于商用RF MEMS开关和带通—准吸收式带阻级联滤波器拓扑,提出了L频段RF MEMS可重构窄带陷波微带带通滤波器。该滤波器中,1.575-GHz叁阶静态窄带带通滤波器采用小型化发夹线形谐振器实现,而与带通滤波器级联的两个准吸收式带阻滤波器采用Omron商用RF MEMS电阻性开关进行陷波频率的切换。提出的滤波器实现了叁种可重构状态,即只含1.575-GHz带通响应、1.575-GHz带通响应加1.525-GHz陷波和1.575-GHz带通响应加1.625-GHz陷波。该可重构窄带陷波实现了大于90 dB的衰减,这是传统反射式带阻滤波器无法实现的。(五)基于商用RF MEMS可调电容器和并联带通滤波器拓扑,提出了0.95/2.45-GHz频率切换式恒定带宽带通滤波器。该滤波器中,0.95-GHz四阶带通滤波器采用集总电感器和集总电容器实现,而2.45-GHz四阶微带带通滤波器采用小型化发夹线形谐振器实现。采用WiSpry商用RF MEMS数字式可调电容器分别失谐每个带通滤波器中的两个谐振器来实现通带频率的切换。提出的频率切换式滤波器实现了四种可重构状态,即0.95-GHz和2.45-GHz双通带响应、只含0.95-GHz通带响应、只含2.45-GHz通带响应和无任何通带响应(滤波器关断)。该滤波器实现了大于2.5:1的频率跨度下恒定带宽通带的固有切换和开启/关断功能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
集成滤波器论文参考文献
[1].祁思博,王学田,高洪民.自屏蔽式MEMS微波集成滤波器优化设计[J].微波学报.2018
[2].李津.高性能RFMEMS全硅腔/基片集成滤波器工艺及可重构技术研究[D].电子科技大学.2017
[3].丁文其.W波段基片集成滤波器的研究[D].东南大学.2016
[4]..意法半导体(ST)推出全球首个汽车以太网接口EMI集成滤波器[J].电子设计工程.2015
[5].龚敏,王世山,宋峥.环形“感容”单元的叁参数集成滤波器模块及其在开关电源中的应用[J].电工电能新技术.2015
[6].刘彦.微波毫米波基片集成滤波器的研究[D].信阳师范学院.2015
[7].李志栋,张逸成,张佳佳,叶尚斌,姚勇涛.车用大功率DC/DC变换器集成滤波器设计[J].电器与能效管理技术.2014
[8].张瑜,陈丹丹,赵俊杰,张磊昂.集成滤波器优化设计新方法[J].河南师范大学学报(自然科学版).2012
[9].王聪,郝翊杰,刘昌泰.集成滤波器MAX267的应用设计[J].吉林化工学院学报.2011
[10].杨志,杨拥军,李倩,胡小东.宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作[J].微纳电子技术.2011
论文知识图
