单晶硅同质互抛实验研究

单晶硅同质互抛实验研究

论文摘要

以材料的去除率和表面粗糙度为评价指标设计对比实验,验证了硬脆材料互抛抛光的可行性,得到了抛光盘转速对硬脆材料互抛的影响趋势和大小。实验结果表明:当抛光压力为48 265 Pa(7 psi)、抛光盘转速为70 r/min时,自配抛光液互抛的材料去除率为672.1 nm/min,表面粗糙度为4.9 nm,与传统化学机械抛光方式的抛光效果相近,验证了硬脆材料同质互抛方式是完全可行的;互抛抛光液中可不添加磨料,这改进了传统抛光液的成分;采用抛光液互抛时,材料去除率随着抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,硅片的表面粗糙度随着抛光盘转速的增大呈先减小后增大的趋势。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验
  •   (1)设备及仪器:
  •   (2)工艺参数如下:
  •   (3)实验材料。
  •   (4)实验参数及指标。
  •   (5)实验安排。
  • 2 互抛抛光和传统CMP的材料去除率
  • 3 互抛抛光和传统CMP的表面粗糙度
  • 4 无磨料互抛和有磨料互抛的抛光效果
  • 5 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李庆忠,孙苏磊,李强强

    关键词: 硅片,硬脆材料,互抛,化学机械抛光,对比实验,抛光效果

    来源: 中国机械工程 2019年23期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技

    专业: 化学,无线电电子学

    单位: 江南大学机械工程学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(51175228)

    分类号: TN304;O613.72

    页码: 2773-2777

    总页数: 5

    文件大小: 1227K

    下载量: 84

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