双局域共振Helmholtz声子晶体带隙研究

双局域共振Helmholtz声子晶体带隙研究

论文摘要

设计了一种双局域共振原理的Helmholtz型声子晶体结构,该结构采用U字型嵌套设计,分为内外两个腔,摆脱了内腔空气对带隙上限的影响,使得低频带隙上限得以大大提高。在分析低频带隙形成机理和影响因素时,将弹性杆-弹簧模型引入理论计算,使得简化模型计算精度得以提高。研究表明:该结构具有良好的低频带隙特性,其最低带隙范围为86. 9~445. 9 Hz。结构低频带隙主要受晶格常数、壁厚、细管宽度和长度的影响。在保持其它参数不变的情况下,带隙上限随晶格常数、壁厚和细管长度的增加而降低,随细管宽度的增加而增加;带隙下限随晶格常数、细管长度的增加而降低,随细管宽度、壁厚的增大而增大。该研究为低频噪声控制提供了一定的理论支持,拓宽了声子晶体的设计思路。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 结构带隙与隔声性能
  • 3 带隙形成机理及其等效模型构建
  • 4 带隙影响因素研究
  • 5 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 陈鑫,姚宏,赵静波,张帅,贺子厚

    关键词: 声子晶体,低频带隙,噪声控制

    来源: 人工晶体学报 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学

    单位: 空军工程大学基础部

    基金: 国家自然科学基金(11504429)

    分类号: O735

    DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.01.003

    页码: 13-17

    总页数: 5

    文件大小: 853K

    下载量: 153

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