论文摘要
在晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度（100-525 K）的迁移率,并采用多种散射模型拟合迁移率温度依赖曲线,研究了高低温下InAlN/GaN异质结2DEG的迁移率机制.结果表明,随着温度由100 K逐渐增加至525 K,2DEG迁移率随温度增加而降低,低于200 K时平缓降低,高于200 K时则快速降低.多种散射模型拟合迁移率温度依赖数据表明,产生上述现象的原因是低温下（<200 K）,2DEG迁移率主要受界面粗糙散射影响,随着温度升高,极性光学声子散射占主导.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 任舰,汪照贤,苏丽娜,李文佳
关键词: 晶格匹配,迁移率,方块电阻
来源: 淮阴师范学院学报(自然科学版) 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 淮阴师范学院计算机科学与技术学院
基金: 江苏省高等学校自然科学基金项目(17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005)
分类号: TQ117
DOI: 10.16119/j.cnki.issn1671-6876.2019.04.008
页码: 317-321
总页数: 5
文件大小: 925K
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