导读:本文包含了施主浓度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:施主,原子,浓度,陶瓷,钛酸钡,偏压,微结构。
施主浓度论文文献综述
蒲永平,杨文虎,樊小蒲,王瑾菲,陈寿田[1]（2007）在《施主掺杂BaTiO_3陶瓷临界浓度的理论计算(英文)》一文中研究指出空气中烧结各种施主掺杂的BaTiO3陶瓷时,存在一种电阻率反常现象。从热力学以及晶体结构化学的角度出发,对临界施主掺杂浓度进行了理论计算和推导。结果表明:释放氧所需的能量与施主离子的种类无关,因而临界施主掺杂浓度为一定值;临界掺杂浓度时的晶粒尺寸越小,在晶粒重结晶过程中临界施主掺杂浓度就越大。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2007年07期）
张中太,石新兰[2]（1992）在《施主掺杂浓度对BaTiO_3陶瓷高温平衡电导的影响》一文中研究指出通过高温平衡电导率的测量等手段研究了施主Y的掺杂浓度对BaTio_3陶瓷的缺陷结构的影响及村料的缺陷补偿机理,结果表明:样品的高温平衡电导率随氧分压的变化呈明显的叁个区域。在中氧分压区出现电导率不随氧分压而改变的平台区;施主掺杂浓度较低的样品与掺杂浓度较高的样品的高温电导曲线在该区域有很大不同,相同条件下,高掺杂浓度的样品的电导率较小,没有出现低掺杂浓度的样品所具有的在一定温度以上电导率不再随温度和氧分压而改变的现象,相反却有更大的温度依赖性,并且在高温下有失去施主掺杂半导特性的倾向。(本文来源于《首届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊1992-10-26）
叶超,姜奇,沈明荣,林军[3]（1992）在《施主掺杂浓度对PTC陶瓷材料导电性能和微观结构的影响》一文中研究指出本文研究了施主Nb掺杂BaTiO_3PTC陶瓷的微观结构和导电性能。总结了材料电阻、介电、复阻抗、电流电压关系、耗散等特性及微结构随施主浓度变化的实验规律。(本文来源于《苏州大学学报(自然科学)》期刊1992年03期）
肖金才,俞志毅,陆卫,叶红娟,张继昌[4]（1988）在《用傅里叶变换光谱仪同时测定半导体浅施主和浅受主杂质浓度的装置》一文中研究指出报道了一个与Nicolet 200SXV傅里叶变换光谱仪联用的可同时测定半导体样品中浅施主和浅受主杂质浓度的实验装置,介绍了用该装置同时测定硅样品中杂质硼和磷浓度的实验。(本文来源于《红外研究(A辑)》期刊1988年03期）
黄世华[5]（1987）在《电多极相互作用引起的静态能量传递中施主发光衰减与受主浓度的关系》一文中研究指出本文指出,通常用于描述电多极相互作用引起的静态传递模型中时间足够长时施主发光衰减规律的表示式exp[-γt-C_A(X_0t)~(3/s))Г(1-3/s)]应该用exp[-γt-CA·A(C_A)(X_0t)~(2/s)Г(1-3/s)]/(1-C_A)来代替;文中还指出,静态有序阶段的时间上限由X_0t<In[1+(1-CA)~(1/s))确定。(本文来源于《发光学报》期刊1987年03期）
凌仲赓[6]（1982）在《Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-PbTe异质结结区附近净施主浓度分布》一文中研究指出测量了用液相外延技术制备的(P)Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-(n)PbTe异质结二极管的电容-电压特性,据此计算了结区附近PbTe外延层中的净施主浓度分布。发现零偏压下PbTe外延层中空间电荷区边界的净施主浓度(N_o)强烈地依赖于液相外延的生长温度(T_(ep)),认为它是由于液相外延生长过程中缺陷的互扩散所造成。(本文来源于《红外研究》期刊1982年02期）
江炳熙,周必忠,胡志萍[7]（1980）在《汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度》一文中研究指出本文描述了制备Hg—n-GaP表面势垒结构的工艺方法。采取真空(2×10~(-4)乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法,消除了样品表面吸附的水分子和其它沾污。研究了肖特基二极管负偏压的容压特性,从它求得扩散电势等于1.26±0.06伏特。势垒高度测定值(φ_b=1.3(±0.06电子伏特)基本上符合于按文献经验公式的计算值;因而,按本文的工艺方法可以准确测定GaP晶体中浅施主杂质浓度。为了简化实验数据的处理,建议在一定负偏压下测量恒定面积的肖特基二极管的电容值来测定浅施主杂质浓度。(本文来源于《发光与显示》期刊1980年04期）
吴全德[8]（1966）在《离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅰ)》一文中研究指出本文利用自由能的概念并作了固溶粒子(包括胚芽和胶粒)都是同样大小的假定,讨论了在离子晶体中由于杂质原子浓度的增加,该固体由半导体过渡到固溶胶体的物理条件;推导出杂质原子临界浓度公式;讨论了胚芽的临界值和施主原子临界浓度与激活条件的关系。并指出当温度改变时,出现临界温度,超过此温度时,固溶胶体将转化为半导体。最后分析了自由能曲面的特点和出现固溶胶粒的充分条件。 下一篇文章将讨论固溶胶粒有一定分布的情况,和胶粒的生长以及施主原子浓度等问题;并且还指出只要对这些讨论作简单的修正就可以应用于原子晶体和合金系统。(本文来源于《物理学报》期刊1966年01期）
吴全德[9]（1966）在《离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅱ)》一文中研究指出本文在前文的基础上进一步讨论了固溶胶粒的生长和施主原子浓度等问题。本文先讨论施主原子浓度的特性,证明它与杂质浓度无关;在胶粒生长后期,施主原子浓度可以近似地用杂质临界浓度表示。施主原子与胶粒的“平衡”,并不意味着系统的自由能处于极小,而是继续缓慢下降,因而在“平衡”条件下测得的施主原子浓度具有一定的零散度。进而从原子扩散角度描述小胶粒缩小和大胶粒生长的物理图象,并讨论了粒子的线度生长速率;接着讨论胶粒有一定分布时的情况。 具体讨论了KCl,KBr,KI和NaCl的临界状态,及其有关参量E_β,β。再后就热凝聚和光凝聚等问题进行一些讨论。(本文来源于《物理学报》期刊1966年01期）
施主浓度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过高温平衡电导率的测量等手段研究了施主Y的掺杂浓度对BaTio_3陶瓷的缺陷结构的影响及村料的缺陷补偿机理,结果表明:样品的高温平衡电导率随氧分压的变化呈明显的叁个区域。在中氧分压区出现电导率不随氧分压而改变的平台区;施主掺杂浓度较低的样品与掺杂浓度较高的样品的高温电导曲线在该区域有很大不同,相同条件下,高掺杂浓度的样品的电导率较小,没有出现低掺杂浓度的样品所具有的在一定温度以上电导率不再随温度和氧分压而改变的现象,相反却有更大的温度依赖性,并且在高温下有失去施主掺杂半导特性的倾向。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
施主浓度论文参考文献
[1].蒲永平,杨文虎,樊小蒲,王瑾菲,陈寿田.施主掺杂BaTiO_3陶瓷临界浓度的理论计算(英文)[J].硅酸盐学报.2007
[2].张中太,石新兰.施主掺杂浓度对BaTiO_3陶瓷高温平衡电导的影响[C].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992
[3].叶超,姜奇,沈明荣,林军.施主掺杂浓度对PTC陶瓷材料导电性能和微观结构的影响[J].苏州大学学报(自然科学).1992
[4].肖金才,俞志毅,陆卫,叶红娟,张继昌.用傅里叶变换光谱仪同时测定半导体浅施主和浅受主杂质浓度的装置[J].红外研究(A辑).1988
[5].黄世华.电多极相互作用引起的静态能量传递中施主发光衰减与受主浓度的关系[J].发光学报.1987
[6].凌仲赓.Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te-PbTe异质结结区附近净施主浓度分布[J].红外研究.1982
[7].江炳熙,周必忠,胡志萍.汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度[J].发光与显示.1980
[8].吴全德.离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅰ)[J].物理学报.1966
[9].吴全德.离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅱ)[J].物理学报.1966
论文知识图
